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    • 1. 发明专利
    • 酸化物
    • JP2021185262A
    • 2021-12-09
    • JP2021122234
    • 2021-07-27
    • 株式会社半導体エネルギー研究所
    • 山崎 舜平
    • C30B29/22C04B35/01H01L21/363H01L21/477H01L27/146H01L29/786C23C14/06
    • 【課題】トランジスタの半導体などに適用可能な、欠陥の少ない酸化物の作製方法を提供する。 【解決手段】成膜室にスパッタガスを供給した後、ターゲット230の近傍にスパッタガスのイオンを有するプラズマ240を生成し、加速されたスパッタガスのイオンがターゲットを衝撃することで、平板状の粒子203およびターゲットを構成する原子を剥離させ、複数の平板状の粒子は、プラズマ中で表面が負に帯電し、負に帯電した平板状の粒子の一つは基板220上に表面を向けて堆積し、平板状の粒子の別の一つは、基板上で平板状の粒子の一つと互いに反発し合いながら、基板上の平板状の粒子の一つと離れた領域に堆積し、平板状の粒子の一つと平板状の粒子の別の一つとの隙間に、原子および原子の集合体が入り込み、原子および原子の集合体が、平板状の粒子の隙間を横方向に成長することで、平板状の粒子の一つと、平板状の粒子の別の一つと、の隙間を埋める。 【選択図】図1