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1. 发明专利

KR102238976B1 KR102238976B1 - Magnetooptical material, manufacturing method therefor, and magnetooptical device 有权
公开(公告)号：KR102238976B1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：KR1020167004889A
申请日：2014-09-11
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마사노리 이카리
IPC分类号： H01S5/00 , C30B1/12 , C30B29/22 , C30B29/30 , C30B29/32
CPC分类号： H01S5/0064 , C30B1/12 , C30B29/22 , C30B29/30 , C30B29/32
摘要： 하기 식 (1)로 표시되는 복합 산화물을 주성분으로서 포함하는 투명 세라믹스 또는 하기 식 (1)로 표시되는 복합 산화물의 단결정으로 이루어지고, 파장 1064nm에서의 베르데 상수가 0.14min/(Oe·cm) 이상이고, 파장대 0.9~1.1㎛의 파이버 레이저광을 흡수하지 않고, 열렌즈의 발생도 일어나지 않고, 베르데 상수는 TGG 결정보다도 큰, 광 아이솔레이터 등의 자기 광학 디바이스를 구성하는데 매우 적합한 투명한 자기 광학 재료를 제공한다.
Tb
2 R
2 O
7 (1)
(식 중 R은 실리콘, 게르마늄, 티탄, 탄탈, 주석, 하프늄, 지르코늄으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 하나의 원소이다(다만, 실리콘, 게르마늄 및 탄탈에 대해서는 당해 원소 단독인 것을 제외한다))

2. 发明专利

JP2020189768A 方向性鋼板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020189768A
公开(公告)日：2020-11-26
申请号：JP2019095983
申请日：2019-05-22
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人東京大学
发明人： ▲高▼橋拓暉 , 土井智史 , 岡▲崎▼ 恵一 , 大坪秀正 , 杉本裕太郎 , 柳本潤
IPC分类号： C21D9/00 , C21D8/02 , C30B29/52 , C30B1/12 , C21D9/46 , C30B1/06
摘要：【課題】結晶方位が特定方向に配向した領域を2以上有する方向性鋼板の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも2つの単結晶鋼21、22を、相互に結晶方位が異なる向きとなるように、多結晶鋼板10の主面101に接触させ、熱処理を行う。これにより、単結晶鋼21、22の結晶方位を多結晶鋼板10に成長させる。そして、多結晶鋼板10内に相互に結晶方位が異なる2以上の単結晶鋼を形成する。熱処理の前には多結晶鋼板10にひずみを付与することが好ましい。【選択図】図1

3. 发明专利

JPWO2019077820A1 ジルコニウムの窒化物を製造する方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019077820A1
公开(公告)日：2020-07-27
申请号：JP2018026665
申请日：2018-07-17
申请人：国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：川村史朗 , 谷口尚
IPC分类号： C30B29/38 , C30B1/12 , B01J3/06 , C01B21/076
摘要：低い圧力下において再現性よく、ジルコニウムの窒化物として、Zr 3 N 4 で表される立方晶窒化ジルコニウムの結晶構造と同一の結晶構造を有する無機物質を製造する方法を提供することである。本発明のZr 3 N 4 で表される立方晶窒化ジルコニウムの結晶構造と同一の結晶構造を有する無機物質であるジルコニウムの窒化物を製造する方法は、ジルコニウムのハロゲン化物の粉末と、第2族元素の窒化物の粉末とを含有する原料粉末を、1100℃より大きく2500℃以下の温度範囲で、5GPa以上8GPa以下の圧力下で反応させるステップを包含する。

4. 发明专利

JPWO2018179240A1 アルミナ結晶及びその製法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018179240A1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2017013283
申请日：2017-03-30
申请人：日本碍子株式会社
发明人：大河内聡太 , 渡邊守道 , 吉川潤 , 七瀧努
IPC分类号： C30B1/12 , C30B29/20
摘要：本発明のアルミナ結晶は、単結晶様のアルミナ結晶であって、面積が25mm 2 以上の結晶面を含み、前記結晶面における異物の面積比率が10%以下であり、前記アルミナ結晶のうち前記異物を除く領域にFを10〜300atppm含み、Mgを10〜250atppm含む。

6. 发明专利

JP2015003836A 単結晶体の製造方法有权
标题翻译：单晶体制造方法
公开(公告)号：JP2015003836A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013128519
申请日：2013-06-19
申请人：日本碍子株式会社 , Ngk Insulators Ltd
发明人： WATANABE MORIMICHI , YOSHIKAWA JUN , YAMAGUCHI HIROFUMI , NANATAKI TSUTOMU
IPC分类号： C30B1/12
摘要：【課題】従来の固相成長法よりも容易に厚肉の単結晶体を製造することができ、原料融液を得ることが困難な組成系にも適用可能な、単結晶体の製造方法の提供。【解決手段】多結晶粒子で構成され且つ特定面に配向した配向成形体又は該配向成形体を焼成して得られた配向焼結体と、単結晶体又は単結晶層が成膜された基板からなる種基板とを用意する工程と、配向成形体又は配向焼結体と種基板とを密着させ、加熱処理により固相反応を生じさせ、それにより単結晶体を製造する工程とを含む、単結晶体の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种比常规固相生长方法更容易制造厚单晶的单晶体制造方法，并且也可以应用于难以获得材料熔融液体的组成系统。解决方案：A 单晶体制造方法包括：制备由特定面取向的多晶粒子取向成型的取向成形体或通过烧结所述取向成型体而获得的取向烧结体的工序，以及由单晶的基板或由单晶层成膜的基板; 以及将定向成型或取向烧结成型体和种子基板保持紧密接触的步骤，通过热处理使固相反应成为制造单晶体的步骤。

7. 发明专利

JP4264708B2 Method of manufacturing a ceramic membrane 有权
公开(公告)号：JP4264708B2
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：JP2003073929
申请日：2003-03-18
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：栄治名取 , 健木島
IPC分类号： H01L21/316 , B05D3/02 , C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/00 , C23C18/12 , C30B1/12 , F27B5/16 , F27B17/00 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L27/10
CPC分类号： C04B35/491 , C04B2235/65 , C04B2235/658 , C23C18/12 , C23C18/1208 , C23C18/1279
摘要： A method of manufacturing a ceramic film includes providing a treatment target in which a raw material body including a complex oxide is applied to a substrate, and crystallizing the raw material body by holding the treatment target in a chamber and subjecting the treatment target to a heat treatment at a predetermined pressure in a gas which is pressurized at two atmospheres or more and includes at least an oxidizing gas. The gas is supplied to the chamber after being heated to a predetermined temperature in advance.

8. 发明专利

JP2004323293A METHOD OF PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL 审中-公开
公开(公告)号：JP2004323293A
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：JP2003119952
申请日：2003-04-24
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： NAKAMURA MASATERU
IPC分类号： C30B29/36 , C30B1/04 , C30B1/12 , H01L21/208
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of stably producing SiC single crystals without using a temperature gradient.
SOLUTION: Raw material powder is contacted with seed crystals, and pressurization is performed at an ordinary temperature or under heating. The obtained green compact is heat-treated under an ordinary pressure.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

9. 发明专利

JPS61101484A Production of single crystal ferrite 失效
标题翻译：单晶水晶的生产
公开(公告)号：JPS61101484A
公开(公告)日：1986-05-20
申请号：JP22020784
申请日：1984-10-19
申请人： Hitachi Metals Ltd
发明人： KANAI KUNIO , YAMADA NOBUYUKI
IPC分类号： H01F1/34 , C30B1/12 , C30B29/22 , C30B29/24
摘要： PURPOSE: To obtain high-quality single crystal ferrite having small composition segregation inexpensively and simply, by inserting a single crystal ferrite substrate into a mold, packing polycrystalline ferrite powder having approximately the same composition as that of the substrate, pressing and sintering them by hot press method.
CONSTITUTION: The single crystal ferrite substrate having approximately the same diameter as that of a mold, the polycrystalline ferrite powder B having approximately the same composition as that of the single crystal ferrite is packed onto the single crystal substrate A, pressed and sintered by a hot press, so that the polycrystalline ferrite is processed into single crystal to produce single crystal ferrite. Generally, single crystal ferrite is grown by Bridgman method. Since the method is carried out at a high temperature ≥1,500°C, a furnace, a heating element, etc., are very expensive, the crucible 12 requires Pt or Pt-Ph alloy. In a plural system such as Mn-Zn system ferrite, etc., there is defects such as composition segregation, etc. These defects are eliminated by the method of this invention, inexpensive high-quality single crystal having small composition segregation can be produced simply.
COPYRIGHT: (C)1986,JPO&Japio
摘要翻译：目的：通过将单晶铁氧体衬底插入模具中，通过将单晶铁素体衬底插入到模具中，获得具有小组成偏析的高品质单晶铁氧体，其组成与衬底大致相同，通过热冲压和烧结按压方法。构成：具有与模具直径大致相同直径的单晶铁素体基板，将具有与单晶铁氧体大致相同组成的多晶铁氧体粉末B填充到单晶衬底A上，通过热压制和烧结将多晶铁素体加工成单晶，制成单晶铁素体。通常，通过Bridgman方法生长单晶铁素体。由于该方法在高于> 1500℃的高温下进行，所以炉，加热元件等非常昂贵，坩埚12需要Pt或Pt-Ph合金。在诸如Mn-Zn系铁氧体等的多重体系中，存在诸如组分偏析等的缺陷。通过本发明的方法消除了这些缺陷，可以简单地制备廉价的具有小组成偏析的高品质单晶。

10. 发明专利

JP5522606B2 diamond 有权
公开(公告)号：JP5522606B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2009552319
申请日：2008-03-07
申请人：エレメントシックスリミテッド
发明人：カールトンナイジェルドッジ , レイモンドアントニースピッツ
IPC分类号： C01B31/06 , B26D1/00 , C30B1/12 , C30B29/04
CPC分类号： C30B25/18 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , Y10T428/24942 , Y10T428/30

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