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1. 发明专利

JP6966063B2 結晶基板、紫外発光素子およびそれらの製造方法有权
公开(公告)号：JP6966063B2
公开(公告)日：2021-11-10
申请号：JP2017024585
申请日：2017-02-14
申请人：国立研究開発法人理化学研究所
发明人：定昌史 , 平山秀樹
IPC分类号： C30B25/18 , H01L21/205 , H01L33/12 , C30B29/38

2. 发明专利

JP2021525828A ナノパターン化基板上のダイヤモンド审中-公开
公开(公告)号：JP2021525828A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020565799
申请日：2019-05-23
申请人：アメリカ合衆国
发明人：ホバートカールディー , フェイジェルソンタチアナアイ , タドジャーマルコジェイ , アンダーソントラヴィスジェイ , コーラーアンドリューディー , グレイアムサムジュニア , グールスキーマーク , チェンズ , イェーツルーク , バイティンユー , ワンイェカン
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/18 , C01B32/26 , H01L21/314 , C23C16/27
摘要：工学的結晶粒成長と微細構造を有する多結晶ダイヤモンド膜を成長させる方法。基板上の多結晶ダイヤモンド膜の結晶粒成長は、ダイヤモンド膜の初期結晶粒サイズオーダーの特徴を有するナノパターン化基板上にダイヤモンドを成長させることによって操作される。このようなナノパターン化基板上にダイヤモンドを成長させることにより、多結晶ダイヤモンド膜の結晶組織を、好ましい配向組織を優勢にするように設計することができ、これは次に、ダイヤモンド膜の熱伝導率を高める。【選択図】図2

3. 发明专利

JP2021518323A LNO材料の単結晶層を生成するための方法、及びLNO材料の単結晶層をエピタキシャル成長させるための基板审中-公开
公开(公告)号：JP2021518323A
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2020549801
申请日：2019-03-26
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：ギスレン, ブルーノ
IPC分类号： C30B29/16 , C30B33/06 , C30B25/18 , C30B29/30
摘要：【課題】LNO材料の単結晶層を生成するための新規な方法を提供する。【解決手段】YSZ材料の単結晶シード層をシリコン材料のキャリア基板に転写し、続いてLNO材料の単結晶層をエピタキシャル成長させることを含む、LNO材料の単結晶層を生成するための方法。【選択図】図2

4. 发明专利

JP6866952B1 窒化物半導体ウェーハおよび窒化物半導体ウェーハの製造方法有权
公开(公告)号：JP6866952B1
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：JP2020128377
申请日：2020-07-29
申请人：信越半導体株式会社
发明人：土屋慶太郎 , 篠宮勝 , 菅原孝世
IPC分类号： C30B29/06 , C30B25/18 , C30B29/38 , C23C16/34 , H01L21/20
摘要：【課題】高周波デバイスに用いることに適した、CZ法により製造した高抵抗低酸素シリコン単結晶基板を用いても、塑性変形が起きにくく、基板の反りが小さい窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体ウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板12の上に窒化物半導体からなるデバイス層16を有する窒化物半導体ウェーハ10であって、シリコン単結晶基板16は、CZシリコン単結晶基板であり、抵抗率が1000Ω・cm以上であり、酸素濃度が5.0×10 16 atoms/cm 3 (JEIDA)以上、2.0×10 17 atoms/cm 3 (JEIDA)以下であり、窒素濃度が5.0×10 14 atoms/cm 3 以上である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6861522B2 多結晶III族窒化物ターゲットおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6861522B2
公开(公告)日：2021-04-21
申请号：JP2017009664
申请日：2017-01-23
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , C23C14/34

6. 发明专利

JP2021508943A 光電子デバイスのための疑似基板及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP2021508943A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2020535517
申请日：2018-11-21
申请人：アレディア
发明人：ロベンイヴァン−クリストフ , ナピエアラジェローム
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/08 , C30B29/38 , C30B25/18 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L27/15 , H01L33/32
摘要：本発明は、発光ダイオード(11,12,13)の成長に適合された光電子デバイス(100)のための疑似基板(10)であって、前記疑似基板(10)は、基板(1)及び前記基板(1)の上面(1a)上に形成されたバッファ構造(2)を備える。前記バッファ構造(2)は、少なくとも1つの第1部分(21)であって、バルク窒化ガリウム(GaN)で形成された層(211)は、前記基板(1)の前記上面(1a)と反対側の面において第1型の少なくとも1つの自由表面(210)を区画し、前記第1型のそれぞれの自由表面(210)は、第1波長において光(L1)を放射することができるIII−V族化合物に主に基づいた少なくとも1つの発光ダイオード(11)の自由表面上での成長に適合される、少なくとも1つの第1部分(21)を備える。前記バッファ構造(2)は、少なくとも1つの第2部分(22)であって、第2部分(22)において、窒化インジウムガリウム(InGaN)の層及びGaNの中間層を交互に備え、前記インジウムが第1質量比率で存在し、前記第2部分(22)は、前記基板(1)の前記上面(1a)と反対側の面において第2型の少なくとも1つの自由表面(220)を区画し、前記第2型のそれぞれの自由表面(220)は、前記第1波長とは異なる第2波長において光(L2)を放射することができるIII−V族化合物に主に基づいた少なくとも1つの発光ダイオード(12)の自由表面上での成長に適合される、少なくとも1つの第2部分(22)を備える。前記基板(1)の前記上面(1a)の平面と平行に方向付けられた基準平面(P)において、前記バッファ構造(2)の第2部分(22)は、前記バッファ構造(2)の第1部分(21)に対してオフセットされている。本発明は、光電子デバイス(100)及び製造方法も記載する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021508659A 炭化ケイ素コーティング体を製造するためのプロセス有权
公开(公告)号：JP2021508659A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2020535518
申请日：2018-12-22
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
发明人：ゲルシオ, ピータージェイ. , ウェストファル, ポール
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/36 , C23C16/02 , H01L21/205 , C04B41/87
摘要：本発明は、シラン源としてジメチルジクロロシラン(DMS)を用いる化学気相堆積法でグラファイト基板上に炭化ケイ素(SiC)を堆積させることによりSiCコーティング体を製造するための新規のプロセスに関する。本発明のさらなる態様は、本発明の新規のプロセスによって得ることができる新規の炭化ケイ素コーティング体、ならびに高温用途のための物品、サセプタおよびリアクタ、半導体材料、ならびにウエハを製造するためのその使用に関する。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2021038117A 積層構造体、半導体装置及び半導体システム审中-公开
公开(公告)号：JP2021038117A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019160637
申请日：2019-09-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：坂爪崇寛 , 橋上洋 , 渡部武紀
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/01 , H01L21/368 , H01L21/365 , C30B29/16
摘要：【課題】電気抵抗率が低く、熱的に安定で半導体装置に適した、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜を有する積層構造体を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記基板がタンタル酸リチウムを主成分とする単結晶基板であり、前記結晶性酸化物膜がドーパントを含み、電気抵抗率が50mΩcm以下のものである積層構造体。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2021038112A 積層構造体、半導体装置及び半導体システム有权
公开(公告)号：JP2021038112A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019159966
申请日：2019-09-02
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：坂爪崇寛 , 橋上洋 , 渡部武紀
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/01 , H01L21/368 , H01L21/365 , C30B29/16
摘要：【課題】移動度に優れるとともに、熱的に安定で半導体装置に適した、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜を有する積層構造体を提供することを目的とする。【解決手段】基板と、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記基板がタンタル酸リチウムを主成分とする単結晶基板であり、前記結晶性酸化物膜がドーパントを含み、移動度が30cm 2 /Vs以上のものである積層構造体。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2021031363A 炭化ケイ素多結晶基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021031363A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019156529
申请日：2019-08-29
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：北川泰三
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/26 , C23C16/42 , H01L21/304 , C30B29/36
摘要：【課題】本発明は、従来の炭化ケイ素多結晶基板よりも、反りの小さい炭化ケイ素多結晶基板を製造することができる、炭化ケイ素多結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】化学的気相成長法によってカーボン支持基板上に炭化ケイ素多結晶膜およびカーボン膜を成膜する成膜工程を含み、当該成膜工程は、前記カーボン支持基板の上に第1炭化ケイ素多結晶膜を成膜する第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階と、前記第1炭化ケイ素多結晶膜成膜段階の後に、前記第1炭化ケイ素多結晶膜の上に、厚さが1μm〜10μmのカーボン膜を成膜するカーボン膜成膜段階と、前記カーボン膜成膜段階の後に、前記カーボン膜の上に、厚さが30μm〜80μmの第2炭化ケイ素多結晶膜を成膜する第2炭化ケイ素多結晶膜成膜段階と、を備える。【選択図】図2

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