基本信息:
- 专利标题： LNO材料の単結晶層を生成するための方法、及びLNO材料の単結晶層をエピタキシャル成長させるための基板
- 申请号：JP2020549801 申请日：2019-03-26
- 公开(公告)号：JP2021518323A 公开(公告)日：2021-08-02
- 发明人： ギスレン, ブルーノ
- 申请人： ソイテック , Soitec
- 申请人地址： フランス国, 38190 ベルナン, パルク テクノロジーク デ フォンテーヌ, シュマン デ フランク
- 专利权人： ソイテック,Soitec
- 当前专利权人： ソイテック,Soitec
- 当前专利权人地址： フランス国, 38190 ベルナン, パルク テクノロジーク デ フォンテーヌ, シュマン デ フランク
- 代理人： 池田 成人; 酒巻 順一郎; 野田 雅一
- 优先权： FR1800256 2018-03-28
- 国际申请： IB2019000200 JP 2019-03-26
- 国际公布： WO2019186263 JP 2019-10-03
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16 ; C30B33/06 ; C30B25/18 ; C30B29/30
摘要：
【課題】LNO材料の単結晶層を生成するための新規な方法を提供する。 【解決手段】YSZ材料の単結晶シード層をシリコン材料のキャリア基板に転写し、続いてLNO材料の単結晶層をエピタキシャル成長させることを含む、LNO材料の単結晶層を生成するための方法。 【選択図】 図2
摘要（英）：
A process for producing a monocrystalline layer of LNO material comprises the transfer of a monocrystalline seed layer of YSZ material to a carrier substrate of silicon material followed by epitaxial growth of the monocrystalline layer of LNO material.