基本信息:
- 专利标题： 積層構造体、半導体装置及び半導体システム
- 专利标题（英）：LAMINATE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR SYSTEM
- 申请号：JP2019160637 申请日：2019-09-03
- 公开(公告)号：JP2021038117A 公开(公告)日：2021-03-11
- 发明人： 坂爪 崇寛 , 橋上 洋 , 渡部 武紀
- 申请人： 信越化学工業株式会社
- 申请人地址： 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
- 专利权人： 信越化学工業株式会社
- 当前专利权人： 信越化学工業株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都千代田区大手町二丁目6番1号
- 代理人： 好宮 幹夫; 小林 俊弘
- 主分类号： C30B25/18
- IPC分类号： C30B25/18 ; C23C16/40 ; C23C16/01 ; H01L21/368 ; H01L21/365 ; C30B29/16
摘要：
【課題】 電気抵抗率が低く、熱的に安定で半導体装置に適した、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜を有する積層構造体を提供することを目的とする。 【解決手段】 基板と、ベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記基板がタンタル酸リチウムを主成分とする単結晶基板であり、前記結晶性酸化物膜がドーパントを含み、電気抵抗率が50mΩcm以下のものである積層構造体。 【選択図】図1
摘要（英）：
To provide a laminate structure that has low electric resistivity, is thermally stable and suitable for semiconductor devices, and includes a crystalline oxide film having a β-gallia structure.SOLUTION: A laminate structure has a substrate, and a crystalline oxide film having a β-gallia structure. The substrate is a monocrystal substrate having lithium tantalate as the main component. The crystalline oxide film includes a dopant and has an electric resistivity of 50 mΩcm or less.SELECTED DRAWING: Figure 1