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1. 发明专利

JP6899176B2 FZ法によって単結晶を引き上げるための方法有权
公开(公告)号：JP6899176B2
公开(公告)日：2021-07-07
申请号：JP2019565056
申请日：2018-02-13
申请人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト , Siltronic AG
发明人：シュレック,トーマス
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/28

2. 发明专利

JP6880208B2 FZ法によって単結晶を引き上げるための方法有权
公开(公告)号：JP6880208B2
公开(公告)日：2021-06-02
申请号：JP2019543791
申请日：2018-01-31
申请人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト , Siltronic AG
发明人：シュレック,トーマス
IPC分类号： C30B13/28 , C30B29/06

3. 发明专利

JP2020507553A FZ法によって単結晶を引き上げるための方法およびプラント审中-公开
公开(公告)号：JP2020507553A
公开(公告)日：2020-03-12
申请号：JP2019565056
申请日：2018-02-13
申请人：ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフト , Siltronic AG
发明人：シュレック,トーマス
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/28
摘要：本発明は、多結晶(100)が電磁融解装置によって融解され、その後再結晶化される、FZ法によって単結晶を引き上げる方法であって、第1段階で、多結晶(100)の下端が融解装置(300)によって融解され、第2段階で、単結晶の核(140)が多結晶(100)の下端に付着され、核(140)の上端から融解され、第3段階で、核(140)の下方セクションと多結晶(100)との間に、薄いネックセクション(130)が形成され、薄いネックセクション(130)の直径(d D )は核(140)の直径(d I )よりも小さく、第4段階で、薄いネックセクション(130)と多結晶(100)との間に、単結晶の円錐セクションが形成され、第4段階に達する前に、多結晶(100)切替位置(h’)が決定され、切替位置(h’)は、多結晶(100)が融解装置に対して動かされる速度が減少されることとなる位置であり、第4段階で、多結晶(100)が融解装置に対して動かされる速度は、切替位置(h’)に達するときに減少する方法、および対応するプラントに係る。

4. 发明专利

JP2019210163A 原料結晶棒の固定方法、半導体単結晶の製造方法及び原料結晶棒用包装材审中-公开
公开(公告)号：JP2019210163A
公开(公告)日：2019-12-12
申请号：JP2018105046
申请日：2018-05-31
申请人：信越半導体株式会社
发明人：永井直樹 , 鈴木聡 , 児玉義博
IPC分类号： C30B13/32 , C30B29/06 , C30B13/28
摘要：【課題】芯出しの誤差が小さい原料結晶棒の固定方法の提供。【解決手段】原料結晶棒1を固定する上軸3と種結晶を固定する下軸5とを有するFZ単結晶製造装置において、原料結晶棒1の先端部の形状に対応する円錐形状部分を有する包装材13を準備する工程と、原料結晶棒1の先端部と包装材13の円錐形状部分とを一致させて、原料結晶棒1を包装材13により包装する工程と、原料結晶棒1の先端部が嵌合する円錐形状の凹部16を有する冶具15を、円錐形状の凹部の円錐頂部と下軸5の軸中心とが一致するように下軸5に設置する工程と、原料結晶棒1が包装材13により包装された状態で、原料結晶棒1の先端部と冶具15の円錐形状の凹部16とを嵌合させることで、原料結晶棒1を下軸5に設置された冶具15に載せて原料結晶棒1を支える工程と、原料結晶棒1を上軸3及び下軸5に対して芯出ししながら上軸5に固定する工程とを有する原料結晶棒の固定方法。【選択図】図3

5. 发明专利

JP6471683B2 シリコン単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6471683B2
公开(公告)日：2019-02-20
申请号：JP2015238360
申请日：2015-12-07
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/12 , C30B13/28

6. 发明专利

JP2018177621A 酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料、並びに透明導電性基板审中-公开
公开(公告)号：JP2018177621A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017084553
申请日：2017-04-21
申请人：学校法人東京理科大学
发明人：宮川宣明 , 田中佑典 , 和田一啓 , 君塚昇 , フランシスコブラウン
IPC分类号： C30B13/28 , C30B29/22
摘要：【課題】従来のミクロンオーダーサイズの単結晶に比べて大サイズであり、1:1:1:4相の結晶(InGaZnO 4 )の占有率の高い酸化物半導体単結晶及びその製造方法、透明導電性材料並びに透明導電性基板の提供。【解決手段】インジウム、ガリウム、及び亜鉛を、In:Ga:Zn=1:1:a(a>1)で表されるモル比で含む試料棒を、フローティングゾーン法により1気圧を越える圧力下、酸素含有雰囲気中で加熱し、加熱により生成した融液を冷却することにより、(InGaO 3 ) m (ZnO) n (m≧1、n≧1、m,n:整数)で表される組成を有する酸化物半導体の単結晶を製造する工程を含む、酸化物半導体単結晶の製造方法。【選択図】図2A

7. 发明专利

JP6281884B1 機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法有权
公开(公告)号：JP6281884B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2016211704
申请日：2016-10-28
申请人：株式会社レゾネスト
发明人：前川博俊 , 池本慶子 , 佐々哲
IPC分类号： C30B15/22 , C30B13/28 , G05B13/02
CPC分类号： C30B13/28 , C30B15/22 , G05B13/02
摘要：【課題】制御対象物が所望の状態を維持するように、その制御対象物を扱う機械装置の動作を制御する技術を提供する。【解決手段】機械装置1が扱う制御対象物の状態に関する計測を行う計測部10と、前記計測部での計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定部21と、前記判定部21で求めた制約判定値に基づき、前記機械装置1に対する動作制御を、前記制御判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御部22,23と、前記制御部22,23が行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習部24と、を備えて機械制御装置6を構成する。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2016508479A チョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：使用切克劳斯基区熔融法制造太阳能级硅单结晶的方法
公开(公告)号：JP2016508479A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015558331
申请日：2013-11-01
申请人：天津市環欧半導体材料技術有限公司
发明人：彦君王 , 彦君王 , 雪▲ジュウ▼ 張 , 雪▲ジュウ▼ 張 , 浩平沈 , 浩平沈 , 柳喬 , 柳喬 , 嘉劉 , 嘉劉 , 遵義王 , 遵義王 , 錚劉 , 錚劉 , 健孫 , 健孫
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/28
CPC分类号： C30B13/32 , C30B13/10 , C30B13/26 , C30B13/28 , C30B13/30 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/06
摘要：本発明は、ゾーンメルト段階の等径成長工程において、ゾーンメルトシリコン単結晶炉の電気制御系統による制御の下で、下方回転モータを正方向、逆方向に交互に回転させて、前記下方回転モータによって所定の正方向角度と逆方向角度でシリコン単結晶を回転させるチョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法を提供する。本発明は、ソーラーグレードシリコン単結晶の径方向における均一性を高め、ソーラーグレードシリコン単結晶の中心部が黒化する課題を解決し、当該ソーラーグレードシリコン単結晶から得られる太陽電池の変換効率を高めることができる。【選択図】図1
摘要翻译：本发明中，在区域熔融阶段的大小相等生长步骤中，区域熔融硅单晶炉的电气控制系统的控制下，下旋转马达向前方向，在相反的方向交替地旋转时，下旋转电机提供一种使用该硅单晶提拉区熔化过程中，在旋转的制造预定的正方向角度和反向角太阳能级硅的单晶的方法。本发明增强了太阳能级硅单晶的径向方向上的均匀性，并解决太阳能级硅单结晶的问题中心变黑，从太阳能级硅单晶得到的太阳能电池的转换效率有可能增加。点域1

9. 发明专利

JP2009215163A Method of producing single crystal using temperature gradient furnace 有权
标题翻译：使用温度梯度炉生产单晶的方法
公开(公告)号：JP2009215163A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2009124717
申请日：2009-05-22
申请人： Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： NAKAMURA MASATERU
IPC分类号： C30B13/02 , C30B13/28 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of continuously producing a single crystal by using a temperature gradient furnace, which forms a desired temperature gradient without needing a heat source, and uniforms the temperature distribution in the cross section.
SOLUTION: A temperature gradient furnace 100 including a heat insulating wall 104 surrounding the outer circumference of a columnar work W, a heating part 108 for heating the lower edge WB of the columnar work through a susceptor 110 for heating, and a cooling part 112 for cooling the upper end WT of the columnar work through a susceptor 114 for cooling is used. A raw material bar 10, a solvent 12, a seed crystal 14, and a support bar 16 are laminated to form the columnar work W. The bottom of the raw material bar 10, as the bottom WB of the columnar work, is heated with the heating part 108; and the top of the support bar 16, as the top WT of the columnar work, is cooled with the cooling part 112. Thus, a temperature gradient in the columnar work W is formed through the solvent 12; the heating temperature of the bottom WB of the columnar work is decreased gradually; and the temperature of the top WT is decreased simultaneously to thereby continuously grow a single crystal downward from the seed crystal 14, which is the starting point.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过使用温度梯度炉连续生产单晶的方法，该温度梯度炉在不需要热源的情况下形成所需的温度梯度，并且使横截面中的温度分布均匀化。解决方案：包括围绕柱状工件W的外周的隔热壁104的温度梯度炉100，用于通过用于加热的基座110加热柱状工件的下边缘WB的加热部分108以及冷却使用用于通过用于冷却的基座114来冷却柱状工件的上端WT的部分112。将原料棒10，溶剂12，籽晶14和支撑杆16层叠以形成柱状工件W.作为柱状工件的底部WB的原料棒10的底部用加热部108; 并且作为柱状工件的顶部WT的支撑杆16的顶部被冷却部112冷却。因此，柱状工件W中的温度梯度通过溶剂12形成; 柱状工件的底部WB的加热温度逐渐降低; 并且同时降低顶部WT的温度，从而从作为起点的晶种14向下连续生长单晶。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4016363B2 Floating melting zone control device and a control method 失效
公开(公告)号：JP4016363B2
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：JP21244798
申请日：1998-07-28
申请人：信越半導体株式会社
发明人：慶一中沢 , 和幸平原 , 政彦濁川
IPC分类号： C30B13/28 , H01L21/208

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