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1. 发明专利

JP2004146782A In-situ monitoring method in crystallization state 审中-公开
公开(公告)号：JP2004146782A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：JP2003184415
申请日：2003-06-27
申请人： Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd , 株式会社液晶先端技術開発センター
发明人： TAKAMI YOSHIO
IPC分类号： H01L21/66 , C30B13/28 , G01N21/84 , H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/67253 , C30B13/28 , G01N21/8422 , G01N2021/8477 , H01L21/2026 , H01L21/67115 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately monitor the crystallization state of thin films at high time resolution real time while monitoring the position where the state changes from melting to solidifying and crystallizing in the irradiation region of energy rays. SOLUTION: An in-situ monitoring method of crystallization state is used for laser annealing treatment performing energy ray irradiation for at least one of crystallization and acceleration of crystallization of thin films. In the in-situ monitoring method of the crystallization state, monitoring light for monitoring the crystallization state of thin films is projected on at least a plurality of places for monitoring the region having a predetermined area of at least one of the front surface and rear face of the thin film directly or through a substrate at the same time at least during or after of before, during, and after the projection of energy rays. The time change of the intensity of at least one of the reflected light and transmitted light of the monitoring light from the surface or the rear face of the thin film is measured as light intensity distribution related with the position of the place for monitoring. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

2. 发明专利

JP2018138699A 金属構成要素の加法的製造および修復审中-公开
公开(公告)号：JP2018138699A
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：JP2018088633
申请日：2018-05-02
申请人：ディーディーエムシステムズ, インコーポレイテッド
发明人：スーマンダス , ローハンバンザル , ジャスティンギャムボーン
IPC分类号： B22F3/105 , B23K26/21 , B23K26/34 , B22F3/16
CPC分类号： B22F7/062 , B22F3/1055 , B22F5/009 , B22F5/04 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B22F2007/068 , B23P6/007 , B29C64/153 , B29L2031/08 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C30B13/24 , C30B13/28 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/52 , Y02P10/295
摘要：【課題】エネルギーの指向性ビームを使用することによって、選択的に、金属粉末を焼結させ、部品を生産または修復するためのシステム方法を提供すること。【解決手段】走査レーザエピタキシは、ベース基板上に置かれた金属粉末の制御された溶融および再固化を通して、規定された微小構造を伴う3次元物体の加工を可能にする、層別の加法的製造プロセスである。SLEは、例えば、単一結晶タービン翼を修復し、かつ機能傾斜タービン構成要素を製造するために使用されることができる。SLEプロセスは、等軸の指向性固化されたSX構造を生成可能である。オフラインモデルに基づいたリアルタイムフィードバック制御方式が、規定された無欠陥微小構造を生成し、プロセスの再現性を改善する両方のために使用されることができる。【選択図】なし

3. 发明专利

JP6281884B1 機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法有权
公开(公告)号：JP6281884B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：JP2016211704
申请日：2016-10-28
申请人：株式会社レゾネスト
发明人：前川博俊 , 池本慶子 , 佐々哲
IPC分类号： C30B15/22 , C30B13/28 , G05B13/02
CPC分类号： C30B13/28 , C30B15/22 , G05B13/02
摘要：【課題】制御対象物が所望の状態を維持するように、その制御対象物を扱う機械装置の動作を制御する技術を提供する。【解決手段】機械装置1が扱う制御対象物の状態に関する計測を行う計測部10と、前記計測部での計測結果を所定の制約条件と対比して制約判定値を求める判定部21と、前記判定部21で求めた制約判定値に基づき、前記機械装置1に対する動作制御を、前記制御判定値と前記動作制御とについて設定された関係に従いつつ行う制御部22,23と、前記制御部22,23が行う動作制御によって前記制約判定値が変動した場合に、前記制御判定値と前記動作制御との関係を再設定する学習部24と、を備えて機械制御装置6を構成する。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2016508479A チョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：使用切克劳斯基区熔融法制造太阳能级硅单结晶的方法
公开(公告)号：JP2016508479A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015558331
申请日：2013-11-01
申请人：天津市環欧半導体材料技術有限公司
发明人：彦君王 , 彦君王 , 雪▲ジュウ▼ 張 , 雪▲ジュウ▼ 張 , 浩平沈 , 浩平沈 , 柳喬 , 柳喬 , 嘉劉 , 嘉劉 , 遵義王 , 遵義王 , 錚劉 , 錚劉 , 健孫 , 健孫
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/28
CPC分类号： C30B13/32 , C30B13/10 , C30B13/26 , C30B13/28 , C30B13/30 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/06
摘要：本発明は、ゾーンメルト段階の等径成長工程において、ゾーンメルトシリコン単結晶炉の電気制御系統による制御の下で、下方回転モータを正方向、逆方向に交互に回転させて、前記下方回転モータによって所定の正方向角度と逆方向角度でシリコン単結晶を回転させるチョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法を提供する。本発明は、ソーラーグレードシリコン単結晶の径方向における均一性を高め、ソーラーグレードシリコン単結晶の中心部が黒化する課題を解決し、当該ソーラーグレードシリコン単結晶から得られる太陽電池の変換効率を高めることができる。【選択図】図1
摘要翻译：本发明中，在区域熔融阶段的大小相等生长步骤中，区域熔融硅单晶炉的电气控制系统的控制下，下旋转马达向前方向，在相反的方向交替地旋转时，下旋转电机提供一种使用该硅单晶提拉区熔化过程中，在旋转的制造预定的正方向角度和反向角太阳能级硅的单晶的方法。本发明增强了太阳能级硅单晶的径向方向上的均匀性，并解决太阳能级硅单结晶的问题中心变黑，从太阳能级硅单晶得到的太阳能电池的转换效率有可能增加。点域1

5. 发明专利

JP2010265168A Method and apparatus for growing silicon single crystal from melt 有权
标题翻译：用于从熔体生长硅单晶的方法和装置
公开(公告)号：JP2010265168A
公开(公告)日：2010-11-25
申请号：JP2010109256
申请日：2010-05-11
申请人： Siltronic Ag , ジルトロニックアクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG
发明人： FILAR PIOTR
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method suitable for producing a low-oxygen silicon single crystal without needing so much efforts to control the oxygen concentration. SOLUTION: The method includes: providing a melt in a crucible; imposing, on the melt, a horizontal magnetic field having a magnetic induction B at a field center C; directing a gas between the silicon single crystal and a heat shield toward a melt free surface; and controlling the gas to flow over a region of the melt free surface which extends in a direction substantially perpendicular to the magnetic induction B. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供适合于生产低氧硅单晶的方法，而不需要太多的努力来控制氧浓度。解决方案：该方法包括：在坩埚中提供熔体; 在熔体上施加在场中心C具有磁感应B的水平磁场; 将硅单晶和隔热罩之间的气体引向无熔融表面; 并且控制气体在基本上垂直于磁感应B的方向延伸的无熔体表面的区域上流动。（C）2011，JPO和INPIT

6. 发明专利

JP2017148866A ダイオードレーザファイバーアレイを用いたレーザ粉体床溶融結合付加製造における凝固制御法审中-公开
公开(公告)号：JP2017148866A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017009925
申请日：2017-01-24
申请人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人：ウィリアム・トーマス・カーター , マーシャル・ゴードン・ジョーンズ , ラング・ユアン , ニーン・チョウ , スティーヴン・ジュード・デュクロス
IPC分类号： B23K26/21 , B23K26/00 , B22F3/105 , B22F1/00 , B22F3/16 , B33Y10/00 , B33Y50/02 , B23K26/34
CPC分类号： B22F3/1055 , B33Y10/00 , C30B13/06 , C30B13/24 , C30B13/28 , C30B29/52 , C30B29/605 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B22F5/04 , B23P6/007 , F05D2230/20 , F05D2230/80 , Y02P10/295
摘要：【課題】ダイオードレーザファイバーアレイを用いたレーザ粉体床溶融結合付加製造における固化制御法を提供すること。【解決手段】柱状又は等軸もしくは一方向凝固又は非結晶質もしくは単結晶のミクロ組織を有する超合金物品を形成又は補修する方法は、物品の層のパターンに対応するダイオードレーザファイバーアレイ101の選択されたファイバーから複数のレーザビーム120を超合金の粉体床130上に放射して溶融プールを形成するステップと、溶融プールの温度勾配及び凝固速度を制御して、柱状又は単結晶のミクロ組織を形成するステップとを含む。【選択図】図2

7. 发明专利

JP2017017065A シリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ审中-公开
标题翻译：制备和使用质量判断方法，用于硅晶片的硅晶片的硅晶片，该方法
公开(公告)号：JP2017017065A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015128970
申请日：2015-06-26
申请人：株式会社SUMCO
发明人：藤瀬淳 , 小野敏昭
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/66 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/322
CPC分类号： G01N21/9501 , C30B13/28 , C30B15/20 , C30B15/30 , C30B29/06 , C30B33/02 , G01N21/3563 , H01L21/3225 , H01L22/12 , G01N2021/3568 , G01N2021/3595 , G01N2201/12
摘要：【課題】デバイス作製工程の熱処理が施された後にスリップ転位が発生するか否かを高精度に判定できるシリコンウェーハの良否判定方法、該方法を用いたシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハを提案する。【解決手段】シリコンウェーハにおける、デバイス作製工程において施される熱処理後の析出酸素濃度および残存酸素濃度を求めた後(ステップS2)、求めた析出酸素濃度および残存酸素濃度に基づいて、デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生する臨界せん断応力τ cri を求め(ステップS3)、求めた臨界せん断応力τ cri とデバイス作製工程の熱処理においてシリコンウェーハに与えられる熱応力τとを比較して、熱応力τが臨界せん断応力τ cri 以上の場合にはデバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生すると判定し、熱応力τが臨界せん断応力τ cri を下回る場合には、デバイス作製工程においてシリコンウェーハにスリップ転位が発生しないと判定する(ステップS4)ことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：进行硅晶片的滑移提出质量确定方法，其位错可确定是否生成精度高，制造方法以及使用该装置制造过程中的热处理后的方法中的硅晶片的硅晶片。在硅晶片中，获得氧浓度的沉淀和热处理后的残留氧浓度后在器件制造过程（步骤S2）来执行，并且基于氧浓度的析出，并测定剩余的氧气浓度，该装置的制造工艺滑移位错的硅晶片确定临界剪切应力τcri在（步骤S3）产生的，并且将施加到在临界剪切应力的热处理在硅晶片上的热应力ττcri一种器件制造处理中计算出的热应力τ 有被确定在装置制造过程中的硅晶片发生在比临界剪切应力Taucri，当热应力τ小于在器件制造工序中的硅晶片发生滑移位错的临界剪切应力Taucri更的情况下的滑动错位其中，所述确定（步骤S4）和没有。点域1

8. 发明专利

JP2016502603A 金属構成要素の加法的製造および修復有权
标题翻译：添加剂制造和金属部件的修补
公开(公告)号：JP2016502603A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2015541966
申请日：2013-11-08
申请人：ディーディーエムシステムズ, インコーポレイテッド , ディーディーエムシステムズ, インコーポレイテッド
发明人：スーマンダス， , スーマンダス， , ローハンバンザル， , ローハンバンザル， , ジャスティンギャムボーン， , ジャスティンギャムボーン，
IPC分类号： B22F3/105 , B22F3/16 , B29C67/00 , B33Y30/00
CPC分类号： B22F7/062 , B22F3/1055 , B22F5/009 , B22F5/04 , B22F2003/1056 , B22F2003/1057 , B22F2007/068 , B23P6/007 , B29C64/153 , B29C67/0077 , B29L2031/08 , B33Y10/00 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C30B13/24 , C30B13/28 , C30B13/32 , C30B19/08 , C30B19/10 , C30B29/52 , Y02P10/295
摘要：走査レーザエピタキシは、ベース基板上に置かれた金属粉末の制御された溶融および再固化を通して、規定された微小構造を伴う3次元物体の加工を可能にする、層別の加法的製造プロセスである。SLEは、例えば、単一結晶タービン翼を修復し、かつ機能傾斜タービン構成要素を製造するために使用されることができる。SLEプロセスは、等軸の指向性固化されたSX構造を生成可能である。オフラインモデルに基づいたリアルタイムフィードバック制御方式が、規定された無欠陥微小構造を生成し、プロセスの再現性を改善する両方のために使用されることができる。制御方式は、赤外線撮像カメラならびに溶融プール視認用ビデオ顕微鏡によって、高フレームレートで提供される温度データフィードバックに基づいて使用されることができる。リアルタイム制御方式は、未加工粉末材料からエンジン始動可能正味形状タービン構成要素を生成する能力をもたらすことができる。
摘要翻译：扫描Rezaepitakishi，通过控制熔化和金属粉末的再凝固被放置在基底基板上，使3维对象的加工具有限定微结构是添加制造过程的分层。 SLE，例如，以修复单晶涡轮叶片和可用于产生功能梯度涡轮机部件。 SLE过程中可产生定向凝固SX结构的等轴。基于离线模型的实时反馈控制方案，产生限定的无缺陷的微结构，可以同时用于提高工艺的再现性。控制方法中，通过红外成像相机和熔池观看视频显微镜可以基于在高帧速率提供的温度数据反馈被使用。实时控制系统可提供以产生发动机起动从原料粉末使得净形状涡轮机组件的能力。

9. 发明专利

JP2015528201A エキシマレーザアニーリングプロセスのための監視する方法および装置有权
标题翻译：监测方法和装置，受激准分子激光退火工艺
公开(公告)号：JP2015528201A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2015517763
申请日：2013-06-20
申请人：コヒーレントレーザーシステムズゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー , コヒーレントレーザーシステムズゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー
发明人：デアヴィルト，パウルファン , デアヴィルト，パウルファン
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/956 , H01L21/20 , H01L21/268
CPC分类号： C30B13/24 , B23K26/0084 , B23K26/0622 , B23K26/083 , C30B13/28 , C30B29/06 , G01N21/4788 , G01N21/8422 , G01N2021/8461 , G01N2021/8477 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02686 , H01L21/268 , H01L22/12
摘要：エキシマレーザからのパルスを用いた照射によって結晶化されたシリコン層を評価する方法が、開示される。結晶化は、層が暴露されるパルスの数およびその中のエネルギー密度に依存して、結晶化層上に周期的特徴を生成する。層のある面積が、光で照明される。検出器は、照明された面積から回折された光を検出し、検出された回折光から、層が暴露されるパルス中のエネルギー密度を判定するように配列される。光の第2の部分が、第2の群の周期的特徴によって回折され、光のそのような第2の部分もまた、検出器および処理電子機器によって検出されるように、層上に、第1の方向とある角度における第2の方向に、第2の群の周期的表面特徴をさらに有する。
摘要翻译：如何评估通过用从受激准分子激光脉冲照射的结晶硅层中被公开。结晶，取决于脉冲层的数量和能量密度在其中被暴露，以产生晶体层上的周期性特征。与层区域与光照射。检测器检测从所述被照射区域衍射的光，从检测到的衍射光被设置成确定在脉冲层暴露能量密度。的光的第二部分由所述第二组的周期性特征衍射，光的这样的第二部分也是由检测器和处理电子器件所检测，在该层上，该在与该第一方向成一角度的第二方向上，还包括：所述第二组的周期性表面特征。

10. 发明专利

JP4831203B2 Manufacturing methods and semiconductor single crystal of the apparatus for manufacturing a semiconductor single crystal 有权
公开(公告)号：JP4831203B2
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：JP2009105965
申请日：2009-04-24
申请人：信越半導体株式会社
发明人：慶一中沢 , 英樹重野 , 聡鈴木
IPC分类号： C30B29/06 , C30B13/30
CPC分类号： C30B13/28 , C30B29/06

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