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1. 发明专利

JP2021195594A プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021195594A
公开(公告)日：2021-12-27
申请号：JP2020103080
申请日：2020-06-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：松本貴士 , 清水亮 , 湯浅珠樹 , 井福亮太 , 和田真
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , C23C16/44
摘要：【課題】パーティクルの発生と異常放電の発生を抑えて好適なプラズマ処理を行う。【解決手段】処理容器内の基板にプラズマ処理する装置であって、前記処理容器は側壁及び天板部を有し、前記天板部に配置され、プラズマを生成するためのマイクロ波を前記処理容器内に導入するマイクロ波導入装置と、前記処理容器内に設けられて、前記基板を載置する載置台と、前記天板部に設けられたガス供給孔を介してガスを前記処理容器内に供給するガス供給機構と、を有し、前記天板部における前記処理容器内の表面及び前記ガス供給孔の内部表面は、シュウ酸陽極酸化被膜によって被覆されている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6980719B2 基板処理装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6980719B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2019121536
申请日：2019-06-28
申请人：株式会社KOKUSAI ELECTRIC
发明人：廣谷博史 , 高田暢人
IPC分类号： H01L21/677 , C23C16/44 , H01L21/31

3. 发明专利

JP2021186785A トラップ装置及び基板処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021186785A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020097165
申请日：2020-06-03
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：根津崇明 , 大和優太 , 川島章義 , 稲妻大樹 , 三浦和幸
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/3065 , H01L21/31 , B01D45/08
摘要：【課題】排気ガスに含まれる対象物を効率良く捕獲する。【解決手段】トラップ装置は、排気管を介して排気される排気ガスが流れる流路を有する筒状の筐体と、筐体の中心軸に沿う方向から見て流路の中央部を遮蔽するように筐体内に配置される、板状の第1のトラップ部材と、第1のトラップ部材から筐体の中心軸に沿う方向に間隔を空けて筐体内に配置され、第1のトラップ部材に対応する位置に開口を有する、板状の第2のトラップ部材とを有する。【選択図】図2

4. 发明专利

JP6967118B2 バッチ式基板処理装置及びその運用方法有权
公开(公告)号：JP6967118B2
公开(公告)日：2021-11-17
申请号：JP2020107729
申请日：2020-06-23
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：チェキュジン , イーカンイル
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C16/44

5. 发明专利

JP2021176174A プリコート方法及び処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021176174A
公开(公告)日：2021-11-04
申请号：JP2020081415
申请日：2020-05-01
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：井福亮太 , 松本貴士 , 杉浦正仁 , 和田真
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/26 , C23C16/50 , H01L21/31
摘要：【課題】連続成膜におけるウエハ間の膜厚の均一性を向上させる。【解決手段】プリコート方法は、プラズマによりカーボン膜の成膜を行うための処理容器のプリコート方法であって、第1の圧力の下で、第1の炭素含有ガスのプラズマにより、処理容器の内壁を第1のカーボン膜で被覆するプリコート工程と、第2の圧力の下で、第1のカーボン膜をプラズマにより処理するプラズマ処理工程と、を有する。【選択図】図7

6. 发明专利

JP6956660B2 クリーニング方法及び成膜装置有权
公开(公告)号：JP6956660B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2018051286
申请日：2018-03-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：ソンソゥンドク , 菱屋晋吾 , 柿本明修
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/31

7. 发明专利

JP2021174981A ウエハ位置決め方法及び半導体製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021174981A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020219268
申请日：2020-12-28
申请人：上海新昇半導體科技有限公司
发明人：劉麗英 , 曹共柏 , 林志▲しん▼
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/677
摘要：【課題】本発明は、薄膜プロセスに適用されるウエハ位置決め方法及び半導体製造装置を提供する。【解決手段】ウエハ位置決め方法は、ステップS1にて、第1のウエハ上で薄膜プロセスが実行された後に第1のウエハの第1表面の状態分布を取得し、第1表面は、薄膜プロセスにおいて上に薄膜が形成された表面とは反対側の表面であり、ステップS2にて、第1表面の状態分布に従って、第1のウエハが理想的な位置決め中心に位置するかを判定し、第1のウエハが理想的な位置決め中心に位置しない場合に、薄膜プロセスに掛けられる第2のウエハの位置決め位置を、薄膜プロセス中に第2のウエハが理想的な位置決め中心に位置決めされるように、第1表面の状態分布に従って調節する、ことを含む。本発明によれば、薄膜プロセスにおいてウエハが理想的な位置決め中心に位置決めされ、それにより、薄膜プロセス後の薄膜層及びウエハ全体(エピタキシャルウエハ)の品質が改善され、薄膜プロセスの効果が改善される。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2021170626A 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP2021170626A
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：JP2020157360
申请日：2020-09-18
申请人：ウォニクアイピーエスカンパニーリミテッド , WONIK IPS CO.,LTD.
发明人：イスンソブ , ソンジョンリン , キムジュホ , パクキョン , キムジュソブ , キムヨンジュン , キムビョンゾ
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/324
摘要：【課題】基板処理のための工程期間中、アウターチューブとインナーチューブと間の圧力をインナーチューブの反応空間より高く維持することによって、インナーチューブが損傷された場合にも、アウターチューブの内部に損傷範囲を制限することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置において、ガスユーティリティは、反応空間32に流入された複数の基板に対して、常圧より高い高圧工程と常圧より低い低圧工程とを含む変圧工程を行えるように、反応空間及び保護空間22をそれぞれ排気するアウター排気部791、インナー排気部792及び外部排気装置793を備える。また、反応空間と保護空間に対する独立的なガス供給及び排気だけでなく、ポンピング可能な真空ポンプ750と連結されることによって、、反応空間における低圧工程実行にも保護空間が常圧よりも低く、反応空間の圧力よりも高圧に維持できる。【選択図】図5

9. 发明专利

JP6955396B2 薄膜形成装置有权
公开(公告)号：JP6955396B2
公开(公告)日：2021-10-27
申请号：JP2017161363
申请日：2017-08-24
申请人：東レエンジニアリング株式会社 , 長州産業株式会社
发明人：陣田敏行 , 酒井博史 , 福永知 , 政田英昭 , 吉野剛 , 青江一規
IPC分类号： C23C16/44

10. 发明专利

JP2021166250A クリーニング方法およびプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021166250A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2020069207
申请日：2020-04-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：近藤佳幸 , 藤野豊 , 生田浩之 , 湯浅秀樹
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/31
摘要：【課題】処理容器内におけるクリーニングの均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】実施形態に係るクリーニング方法は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法である。クリーニング方法は、保護膜生成工程と、クリーニング工程とを含む。保護膜生成工程は、プラズマ生成領域と拡散領域とを有する処理空間が形成される処理容器内に成膜ガスを供給しつつ、プラズマを発生させてプラズマ生成領域に保護膜を形成する。クリーニング工程は、処理容器内にクリーニングガスを供給しつつ、プラズマを発生させて保護膜が形成された処理容器内をクリーニングする。【選択図】図5

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