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1. 发明专利

JP2019186474A ボロン系膜の成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019186474A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018078543
申请日：2018-04-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：李金望 , 生田浩之 , 岡正浩 , 渡部佳優 , 山本勇生 , 上田博一
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/38 , H01L21/314
摘要：【課題】密着性が良好なボロン系膜を成膜することができるボロン系膜の成膜方法および成膜装置を提供する。【解決手段】基板上にボロンを主体とするボロン系膜を形成するボロン系膜の成膜方法は、基板上に、基板表面に含有される元素と窒素とを含む密着層を形成する第1工程と、次いで、密着層の上にボロン系膜を成膜する第2工程とを有する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2021166250A クリーニング方法およびプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021166250A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2020069207
申请日：2020-04-07
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：近藤佳幸 , 藤野豊 , 生田浩之 , 湯浅秀樹
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/31
摘要：【課題】処理容器内におけるクリーニングの均一性を向上させる技術を提供する。【解決手段】実施形態に係るクリーニング方法は、基板にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置のクリーニング方法である。クリーニング方法は、保護膜生成工程と、クリーニング工程とを含む。保護膜生成工程は、プラズマ生成領域と拡散領域とを有する処理空間が形成される処理容器内に成膜ガスを供給しつつ、プラズマを発生させてプラズマ生成領域に保護膜を形成する。クリーニング工程は、処理容器内にクリーニングガスを供給しつつ、プラズマを発生させて保護膜が形成された処理容器内をクリーニングする。【選択図】図5

3. 发明专利

JP2021125566A プラズマ処理装置及びガス流量調整方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021125566A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020018135
申请日：2020-02-05
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：近藤佳幸 , 藤野豊 , 湯浅秀樹 , 生田浩之
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46 , C23C16/511 , C23C16/455 , H01L21/31
摘要：【課題】基板に施す処理の面内均一性を向上するプラズマ処理装置及びガス流量調整方法を提供する。【解決手段】基板を載置する載置台を収容する処理容器と、前記処理容器にガスを供給するガス供給部と、前記処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、前記ガス供給部は、周方向に配置される複数のガスノズルと、複数の前記ガスノズルの流量を調整する流量調整機構と、を有する、プラズマ処理装置。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2020053455A 成膜方法および成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020053455A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018178476
申请日：2018-09-25
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：生田浩之 , 上田博一
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/318
摘要：【課題】成膜される膜に不均一が発生することを抑制すること。【解決手段】成膜方法は、基板に成膜する成膜方法であって、第1の工程と、第2の工程を有する。第1の工程は、基板が配置され、プラズマが生成された処理容器に対して成膜原料を含んだ成膜原料ガスの供給を開始する際に、成膜原料ガスを第1の流量設定値で流して、成膜原料ガスの流量を上昇させる。第2の工程は、第1の工程の後、第1の流量設定値よりも低い第2の流量設定値で成膜原料ガスを流して、成膜原料ガスの流量を安定させる。【選択図】図2C

5. 发明专利

JP2015078391A 成膜装置审中-公开
标题翻译：胶片沉积装置
公开(公告)号：JP2015078391A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2012012188
申请日：2012-01-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：生田浩之 , 久保田紳治 , 関伸彰
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/243 , C23C14/542
摘要：【課題】簡易な構成で有機材料の不要な消費を低減することができる成膜装置を提供する。【解決手段】蒸着材料の蒸気を含む蒸着ガスを噴射する蒸着ヘッド16cと、蒸着ヘッドに対面する基板S及び該蒸着ヘッド16cを収容する処理室12を画成する処理容器11と、蒸着材料Xの蒸気を発生する蒸気発生部31と、蒸気発生部を蒸着ヘッド16cに接続する加熱可能なキャリアガス輸送管L12,L13と、基板Sと蒸着ヘッド16cとの相対位置を取得する位置検出センサと、相対位置に応じて蒸気発生部へ供給されるキャリアガスの流量を制御する第1MFC41と、を備える。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种简单配置并可以减少不必要的有机材料消耗的成膜装置。解决方案：一种成膜装置，包括：蒸镀头16c，其喷射包括气相沉积材料气体的沉积气体; 处理容器11，其限定处理室12，其容纳面向气相沉积头的基板S和蒸镀头16C; 产生气相沉积材料X的蒸气的蒸汽产生部分31; 将蒸汽发生部连接到蒸镀头16C的输送管道L12，L13，获取基板S和蒸镀头16c之间的相对位置的位置检测传感器; 以及第一MFC41，其控制根据相对位置供应到蒸汽产生部分的载气的速率。

6. 发明专利

JP2020047499A プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020047499A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2018175634
申请日：2018-09-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：生田浩之 , 上田博一 , 藤野豊
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：【課題】必要なプラズマ処理効果を維持しつつ、チャンバー壁部等へのプラズマダメージを低減することができるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理方法は、被処理基板をチャンバー内のマイクロ波プラズマ生成領域から離れた領域に配置することと、チャンバー内の圧力を1Torr以上にすることと、チャンバー内にマイクロ波プラズマ源からマイクロ波を導入するとともに、還元性ガスを含む処理ガスを導入してマイクロ波プラズマを生成し、マイクロ波プラズマ生成領域のマイクロ波プラズマから活性種を被処理基板側に拡散させることと、被処理基板に高周波電力を印加して被処理基板近傍にカソードカップリングプラズマを生成し、基板近傍のイオンを基板に引き込むこととを有する。【選択図】図2

7. 发明专利

JP2019163497A 成膜装置およびそれに用いる載置台审中-公开
公开(公告)号：JP2019163497A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018050938
申请日：2018-03-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：李金望 , 大場大輔 , 生田浩之 , 森貞佳紀 , 軍司勲男 , 小宮隆行 , 上田博一
IPC分类号： H01L21/31 , H05H1/46 , C23C16/458
摘要：【課題】プラズマを用いて被処理体上に所定の膜を成膜するにあたり、被処理体のエッジ部分の膜厚の不均一を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】プラズマを用いて被処理体上に所定の膜を成膜する成膜装置であって、被処理体を収容する処理容器と、処理容器内で被処理体を載置する載置台と、処理容器内に成膜のための処理ガスを導入する処理ガス導入機構と、処理容器内にプラズマを生成するプラズマ生成機構とを具備し、載置台は、上面に被処理体載置領域を有する載置台本体と、被処理体載置領域を取り囲むように環状に設けられ、被処理体載置領域に載置された被処理体よりも高い高さを有する、プラズマ調整用の調整部材とを備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6573820B2 プラズマ処理装置用部材及びプラズマ処理装置有权
公开(公告)号：JP6573820B2
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：JP2015219797
申请日：2015-11-09
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：茂山和基 , 鎌田豊弘 , 生田浩之 , 箕浦佑也
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/32 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H01L21/31 , H05H1/46

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