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1. 发明专利

JP2017501569A 基板処理装置有权
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2017501569A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2016536239
申请日：2014-12-10
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ジェ，ソン−テ , イ，ジェ−ホ , チェ，サン−ホ , ユン，スン−ヒョン
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/46 , C23C16/4412 , C23C16/45508 , C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/54 , H01L21/6719 , H01L21/67709 , H01L21/68785
摘要：本発明の一実施形態によると,基板処理装置は,基板に対する工程が行われる内部空間を提供するチャンバと,前記内部空間に設置されて上部に前記基板が置かれるサセプタと,前記サセプタの周りに沿って前記チャンバの側壁に形成された排気ポートの上に設置されて複数の貫通孔を有する固定プレートと,前記固定プレートの上部または下部に設置されて前記サセプタの中心を基準に回転可能であり,前記貫通孔を選択的に開閉する一つ以上のスライディングプレートと,を含む。【選択図】図2
摘要翻译：根据本发明的一个实施例中，衬底处理装置包括一个基座和腔室中提供的内部空间，其特征在于，在顶部的衬底被放置在所述内部空间被放置到处理基板中进行时，围绕基座具有多个通孔沿被置于形成在腔室的侧壁的排气口上，并且固定板，可围绕基座的参考旋转安装在固定板的顶部或底部在内，和一个或多个滑动板，以选择性地打开和关闭通孔。 .The

2. 发明专利

JP2016509750A 基板処理装置有权
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2016509750A
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：JP2015550337
申请日：2014-01-09
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ソン，ビョン−ギュ , キム，キョン−フン , キム，ヨン−キ , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/677
CPC分类号： C30B35/005 , H01L21/67109 , H01L21/67757
摘要：本発明の一実施形態によると,基板処理装置は,基板に対する処理が行われる処理室と,前記処理室と連結され,前記基板が出入りする通路を有する予備室と,前記予備室の内部をホルダ領域及び移送領域に区画する遮断板と,一つ以上の前記基板が積載され,前記ホルダ領域の内部に位置する積載位置及び前記処理室内部の処理位置に転換可能な基板ホルダと,前記基板ホルダを前記積載位置及び前記処理位置に移送し,前記基板ホルダに連結された移送アーム及び前記移送領域の内部に設置されて前記移送アームを駆動する駆動部を具備する基板移送ユニットと,前記予備室に不活性ガスを供給するガス供給ポートと,前記移送領領域に連結されて前記ガス供給ポートの上部に設置され,前記予備室の内部を排気する下部排気ポートと,を含み,前記下部排気口は前記予備室の上部面より下部面に近接して配置される。【選択図】図1
摘要翻译：根据本发明的一个实施例中，衬底处理装置包括用于处理所述衬底的处理室中进行，被连接到所述处理室，所述保持器和预备室，具有通道的预备室的内部，其中所述衬底和出用于分隔区域和转移区域中的阻挡板，堆叠在一个或多个基底的，并在位于保持件的区域内的处理室部分可转换的衬底保持器的装载位置和处理位置，所述衬底保持器被转移到装载位置与所述加工位置，所述与基板传送单元传送臂并且被连接到所述衬底支架被安装内侧的转印区域包括驱动单元，用于驱动输送臂，所述预备室到一个气体供给口用于供给惰性气体时，耦合到放置在气体供给口的顶部上的转印领土区域包括用于排出所述预备室的内部中的较低的排气端口，所述排水口被布置为靠近所述底表面比所述预备室的顶面。点域1

3. 发明专利

JP2015504601A 熱遮断プレートを含む基板処理装置有权
公开(公告)号：JP2015504601A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014542246
申请日：2012-11-16
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ジェ，ソン−テ , ソン，ビョン−ギュ , キム，ヨン−キ , キム，キョン−フン , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/31 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67115 , C23C16/45563 , C23C16/4585 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/6719 , H01L21/6732 , H01L21/67757
摘要：本発明の一実施例によると,基板の上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル工程が行われるエピタキシャル装置は,上部が開放され,一側に前記基板が出入する通路が形成される下部チャンバと,前記下部チャンバの開放された上部を閉鎖し,前記エピタキシャル工程が行われる工程空間を提供する外部反応チューブと,一つ以上の前記基板が上下方向に積載され,前記基板ホルダ内に前記基板が積載される積載位置及び前記基板に対する前記エピタキシャル工程が行われる工程位置に転換可能な基板ホルダと,前記外部反応チューブの内壁に沿って配置されて前記反応ガスを吐出する供給口を有する一つ以上の供給ノズルと,前記外部反応チューブの内壁に沿って配置されて前記工程空間内の未反応ガス及び反応副産物を吸入する排気口を有する一つ上の排気ノズルと,前記排気ノズルに連結され,前記排気口を介して吸入した前記未反応ガス及び前記反応副産物を排出する後方排気ラインと,を含み,前記下部チャンバは,前記排気ノズルと前記後方排気ラインを連結する排気ポート及び前記下部チャンバの内部に形成された積載空間を前記後方排気ラインに連結する補助排気ポートを有する。【選択図】図4

4. 发明专利

JP2017521865A 高縦横比を有する凹部の上に絶縁膜を蒸着する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017521865A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2017500342
申请日：2015-06-16
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：キム，ヘ−ウォン , シン，チャン−フン , キム，ソク−ユン , チョン，チュン−シク
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0234 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31111 , H01L21/473 , H01L21/76224
摘要：本発明の一実施形態によると,5:1以上の縦横比を有する凹部が形成された基板において,前記凹部の上に絶縁膜を蒸着する方法は,前記基板がローディングされたチェンバーの内部にシリコン前駆体を注入して前記基板の上にシリコンを吸着する吸着ステップと,前記チェンバーの内部で未反応シリコン前駆体及び反応副産物を除去する第1パージステップと,前記チェンバーの内部に第1反応ソースを供給して吸着された前記シリコンをシリコンが含まれる絶縁膜として形成する反応ステップと,前記チェンバー内部で未反応の第1反応ソースと前記反応副産物を除去する第2パージステップと,を行う絶縁膜蒸着ステップと,RF電源を印加して前記チェンバーの内部にプラズマ雰囲気を形成し,前記プラズマ雰囲気を利用して前記シリコンが含まれる絶縁膜を緻密にする緻密化ステップと,を含み,前記RF電源の周波数は400kHz乃至2MHzである。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2017513209A ポリシリコーン膜の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017513209A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016553375
申请日：2015-01-27
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：シン，スン−ウ , ドクジョン，ウ , ドクジョン，ウ , チョ，ソン−キル , ミンチェ，ホ , ミンチェ，ホ , ソクオ，ワン , ソクオ，ワン , ウイ，クン , ウイ，クン , ヨンクォン，ヒュク , ヨンクォン，ヒュク , ジンパク，ソ , ジンパク，ソ , ホキム，キ , ホキム，キ , イ，カン−ウク
IPC分类号： H01L21/20 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02667 , C23C16/24 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02658
摘要：本発明はポリシリコーン膜を形成する方法であって,より詳しくは,シリコーン膜を形成する工程において前処理工程を含むポリシリコーン膜の形成方法に関するものである。本発明の一実施例によると,ポリシリコーン膜の形成方法は,下地(base)の上に蒸着された非晶質シリコーン膜を熱処理してポリシリコーン膜を製造する工程において,熱処理前のN,C,O,Bのうちいずれか一つ以上の元素が含まれた前処理ガスを流す前処理工程を含む。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2016516293A 基板処理装置有权
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2016516293A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015561262
申请日：2014-02-17
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ソン，ビョン−ギュ , キム，キョン−フン , キム，ヨン−キ , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/22 , C23C16/458 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/324 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/67757 , H01L21/67778
摘要：本発明の一実施形態によると,基板処理装置は基板が積載される積載空間及び前記基板に対する工程が行われる工程空間を提供するチャンバと,上下方向に沿って起立配置された一つ以上のボートフレームを具備し,昇降を介して前記積載空間及び前記工程空間に移動可能なボートと,前記ボートフレーム上に設置されて前記ボートフレームの長さ方向に沿って離隔配置され,前記ボートが前記工程空間に移動することで前記基板が上部面に順次載置される複数のサセプタと,前記ボートフレームと平行に配置される垂直ロッド及び前記垂直ロッドの内側面から突出されて前記基板を支持する基板支持チップと,を具備し,前記垂直ロッドは前記ボートが前記工程空間に移動する際,前記ボートフレームの長さ方向に沿って相対的に移動する一つ以上のホルダと,を含む。【選択図】図3
摘要翻译：根据本发明，腔室基板处理装置，其提供在该步骤相对于所述装载空间和衬底板进行的处理空间的一个实施例中被加载时，一个或多个船竖立沿垂直方向排列包括框架，船可以被移动到装载空间和通过电梯处理空间，沿船帧的长度被间隔开安装在船框架上，所述船所述步骤基板，其上通过在空间中移动所述衬底，以支持多个被顺序地放置在上表面上的基座，将衬底从垂直杆的内表面，所述突出并布置在平行于船架垂直杆包括支撑芯片，和垂直杆当船移动到步骤空间，一个或多个主机用于沿船帧的长度相对移动包括DA，一。点域

7. 发明专利

JP2016516292A 基板処理装置审中-公开
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2016516292A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015561261
申请日：2014-02-17
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ソン，ビョン−ギュ , キム，キョン−フン , キム，ヨン−キ , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/67098 , H01L21/67109 , H01L21/67757
摘要：本発明の一実施形態によると,基板処理装置は外部から移送された基板を収容する内部空間を有し,前記内部空間で前記基板に対する工程が行われる工程チャンバと,前記工程チャンバの側壁に沿って設置されて前記内部空間の周縁に配置され,前記基板を加熱する熱線ヒータと,前記熱線ヒータの間に配置されて前記工程チャンバの側壁に沿って設置され,外部から供給された冷媒が流れる冷却チューブと,を含む。【選択図】図3
摘要翻译：根据本发明的一个实施例中，基板处理装置具有用于容纳从外部传送来的基片的内部空间，并且其中在所述内部空间中的衬底上进行的处理的处理室，沿着处理室的侧壁安装被放置在内部空间Te组成的周边，热线式加热器用于加热衬底，设置沿着所述处理腔室的侧壁之间安装热丝加热器，制冷剂从外部供给流它包括一个冷却管，。点域

8. 发明专利

JP2016516291A 基板処理装置审中-公开
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2016516291A
公开(公告)日：2016-06-02
申请号：JP2015561260
申请日：2014-02-17
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ソン，ビョン−ギュ , キム，キョン−フン , キム，ヨン−キ , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： F27B1/24 , F27B1/08 , F27B17/0025 , H01L21/67109 , H01L21/67757
摘要：本発明の一実施形態によると,基板処理装置は外部から移送された基板を収容する内部空間を有し,前記内部空間で前記基板に対する工程が行われる工程チャンバと,前記工程チャンバの側壁に沿って設置されて前記内部空間の周縁に配置され,外部から供給された冷媒が流れる流路を有するチューブ型ヒータと,を含む。【選択図】図3
摘要翻译：根据本发明的一个实施例中，基板处理装置具有用于容纳从外部传送来的基片的内部空间，并且其中在所述内部空间中的衬底上进行的处理的处理室，沿着处理室的侧壁安装被放置在内部空间Te组成的周围，包括具有通过其从外部供给的冷却剂的流路的筒状加热器。点域

9. 发明专利

JP2015523717A 基板処理装置有权
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2015523717A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2015513955
申请日：2013-06-14
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ソン，ビョン−ギュ , キム，キョン−フン , キム，ヨン−キ , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/507
CPC分类号： H01J37/3211 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01J37/321 , H01L21/68792 , H05H2001/463
摘要：本発明の一実施形態によると,基板処理装置は,上部が開放されて一側に基板が出入する通路が形成されるチャンバと,前記チャンバの上部を閉鎖して前記基板に対する工程が行われる内部空間を提供し,天井壁を貫通するように形成されたガス供給孔を有するチャンバ蓋と,前記チャンバ蓋の上部中央に設置されて前記内部空間の中央部に電界を形成し,前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成する上部アンテナと,前記チャンバ蓋の側部を囲むように設置されて前記内部空間の縁部に電界を形成し,前記内部空間に供給されたソースガスからプラズマを生成する側部アンテナと,前記ガス供給孔と連結されて前記内部空間に前記ソースガスを供給するガス供給管と,を含み,前記ガス供給孔は,前記上部アンテナの外側に配置される。【選択図】図1
摘要翻译：根据本发明的一个实施例中，基板处理装置，其在一侧上具有腔室通道基板上被打开，并且出的内部形成，处理为基材，以关闭所述腔室的上部中进行提供空间，具有形成气体供给孔以便穿透所述顶壁的腔室盖，被安装在腔室盖的上部中央，形成在内部空间的中心部分的电场，所述内部空间上天线，以产生从安装在供给原料气体等离子体的等离子体，以包围该腔室盖的侧面，以形成在所述内部空间的边缘的电场，将原料气体供给到内部空间中其特征在于，生成侧天线，和用于供给源气体进入所述内部空间的气体供给管连接到所述气体供给孔，所述气体供给孔设置在上天线的外部。点域1

10. 发明专利

JP2015520514A 基板処理装置有权
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JP2015520514A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2015513954
申请日：2013-06-14
申请人：ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド , ユ−ジーンテクノロジーカンパニー.リミテッド
发明人：ヤン，イル−クヮン , ソン，ビョン−ギュ , キム，キョン−フン , キム，ヨン−キ , シン，ヤン−シク
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/46 , H05B3/10
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/4412 , C23C16/46 , C23C16/481 , H01L21/67109
摘要：本発明の一実施例によると,基板に対する工程が行われる基板処理装置は,一側壁に形成されて前記基板が出入する通路と上部及び下部にそれぞれ形成された上部開口及び下部開口を有するメインチャンバと,前記上部開口を閉鎖し,外部から遮断されて前記工程が行われる工程空間を形成するチャンバ蓋と,前記工程空間に設置されてプロセスガスを噴射する複数個の噴射孔を有するシャワーヘッドと,前記下部開口に工程設置されて前記工程空間と区分された下部設置区間を有し,上部に前記基板が置かれる下部ヒーティングブロックと,前記基板と平行する方向に沿って前記下部設置空間に設置され,前記下部ヒーティングブロックを加熱する複数の下部ヒーターと,を含む。【選択図】図1
摘要翻译：根据本发明的一个实施例中，执行处理该基板的基板处理装置，具有在一个侧壁和移出形成在衬底的通道以及上部和上部开口和分别在下部形成的下开口的主腔室如果，通过关闭上部开口，并具有形成在其中的处理与外部隔断的工序空间的腔室盖的喷淋头执行，用于注入工艺气体的多个喷射孔设置在所述处理空间中具有安装在所述处理空间中的处理的下部开口和分段下部安装部分，以及下部加热块，其中在顶部的衬底被放置在下部安装空间沿着平行的方向上所述衬底它安装，其包括多个用于加热下部加热块下部加热器的。点域1

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