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1. 发明专利

JP2020509573A 希土類窒化物構造体およびデバイスならびに不動態化キャッピングを除去するための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020509573A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2019530428
申请日：2017-12-07
申请人：ビクトリアリンクリミテッド
发明人：フランク・ナタリ , ベンジャミン・ジョン・ラック , ハリー・ジョセフ・トロダール , ジェイ・ロス・ペン・チョン・チャン
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/15 , H01L21/20 , H01F10/193 , H01L29/20
摘要：本発明は、希土類窒化物材料、および希土類窒化物材料を不動態化するための除去可能なキャッピングを含む構造体またはデバイスに関する。

2. 发明专利

JP5119434B2 Method of manufacturing magnetic semiconductor thin film and magnetic semiconductor thin film 有权
公开(公告)号：JP5119434B2
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：JP2006238022
申请日：2006-09-01
申请人：国立大学法人長岡技術科学大学
发明人：直隆内富
IPC分类号： H01L21/20 , H01F10/193 , H01L43/08 , H01L43/12

3. 发明专利

JP4915765B2 Ferromagnetic semiconductor exchange coupling film 有权
公开(公告)号：JP4915765B2
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：JP2005207864
申请日：2005-07-15
申请人：国立大学法人山口大学 , 地方独立行政法人山口県産業技術センター
发明人：剛小柳 , 裕法浅田 , 康裕福間
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/193 , H01L43/10

4. 发明专利

JP4647654B2 Magnetic semiconductor material 有权
公开(公告)号：JP4647654B2
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：JP2007508224
申请日：2006-03-17
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：秀典平松 , 正浩平野 , 英治本光 , 博柳 , 利夫神谷 , 秀雄細野
IPC分类号： H01F10/193 , H01F1/40 , H01L43/08
CPC分类号： H01F10/193 , C01G45/006 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/50 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3234 , C04B2235/3262 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/40 , C04B2235/42 , H01F1/0009 , H01F1/407 , Y10T428/325

5. 发明专利

JPWO2007126071A1 磁性薄膜及びそれを用いた磁気抵抗効果素子並びに磁気デバイス有权
公开(公告)号：JPWO2007126071A1
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：JP2008513300
申请日：2007-04-27
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：猪俣　浩一郎 , 浩一郎猪俣 , 手束　展規 , 展規手束
IPC分类号： H01F10/16 , G11B5/39 , H01F10/14 , H01F10/193 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , C22C19/07 , C30B23/02 , C30B29/52 , G01R33/093 , G11B5/3929 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F10/1936 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L43/10
摘要：基板(2)と基板(2)上に形成するCo2Fe(Si1-xAlx)薄膜(3)とを備え、該薄膜(3)はL21又はB2構造を有し、かつ0

6. 发明专利

JP2008112845A Ferromagnetic material 审中-公开
标题翻译：纤维材料
公开(公告)号：JP2008112845A
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：JP2006294577
申请日：2006-10-30
申请人： Osaka Univ , 国立大学法人大阪大学
发明人： SHU ITSUGAI , ASAHI HAJIME
IPC分类号： H01F10/193 , H01F1/40 , H01F41/28 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01S5/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ferromagnetic semiconductor material which improves the concentration of magnetized ions. SOLUTION: The ferromagnetic semiconductor material is composed mainly of a semiconductor material belonging to the group II-VI, IV or III-V, contains at least either of a transition metal (excluding Mn when the main component belongs to the group IV) and a rare earth element as an additive element, and has an amorphous structure. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供改善磁化离子浓度的铁磁半导体材料。解决方案：铁磁半导体材料主要由属于II-VI族，IV或III-V族的半导体材料组成，含有过渡金属中的至少一种（当主要成分属于IV族时，不包括Mn ）和稀土元素作为添加元素，具有非晶结构。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2007536745A Semiconductor devices that utilize the position and sign of the electron spin 审中-公开
公开(公告)号：JP2007536745A
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：JP2007511827
申请日：2005-05-03
申请人：イーテクアーゲー
发明人：グールド、チャールス , シュミット、ゲオルク , モーレンカンプ、ローレンス、ヴェー , リスター、クリスチアン
IPC分类号： H01L43/08 , H01F10/193 , H01F10/32 , H01F41/30 , H01L29/66
CPC分类号： H01L43/08
摘要：基板を設けるステップ、この基板の上に強磁性層を成長させるステップ、この強磁性層の上にトンネル障壁層を成長させるステップ、その強磁性層の上に第１非磁性金属接点を設けるステップおよび単一の強磁性層について第２非磁性金属接点を設けるステップを備える方法によって、磁気トンネル接合部のために利用される層構造を示すスピンバルブ構造が設けられている。そのような片面構造に加えて、半絶縁性ＧａＡｓ基板の上面に、例えばＧａ
０．９４Ｍｎ
０．０６Ａｓ／非ドープ型ＧａＡｓ／Ｇａ
０．９４Ｍｎ
０．０６Ａｓ３層構造と非ドープ型ＬＴ−ＧａＡｓ緩衝層とを有する両面構造を設けることができる。内側の正方形接点と周囲の電気バック接点とがある。このサンプル構造によれば、強磁性体およびＧａＡｓトンネル障壁の双方を通して２プローブ式磁気抵抗測定を実行することができる。デバイスの抵抗は、トンネル障壁を介する垂直トンネリングプロセスによって充分優位を占めている。

8. 发明专利

JP2007517389A Method and apparatus for ultrafast controlling the magnetic cell 有权
公开(公告)号：JP2007517389A
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：JP2006546103
申请日：2004-12-24
申请人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ−エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェInteruniversitair Micro−Elektronica Centrum Vzw
发明人：ウーテル・アイクマンス , リースベット・ラヘ
IPC分类号： H01L21/8246 , G01R33/02 , G01R33/09 , G10K11/36 , G11C11/14 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/193 , H01F10/26 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L41/00 , H01L41/09 , H01L43/08 , H03B5/40 , H03B9/14 , H03H2/00 , H03H9/02 , H03H9/135 , H03H9/42 , H03H9/64 , H03K19/16 , H03K19/19
CPC分类号： G01R33/02 , B82Y25/00 , G11C11/161 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01F10/193 , H01F10/26 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L43/08 , H03B15/006 , H03H2/001 , H03H9/02574 , H03H9/02645 , H03H9/02976 , H03H9/135 , H03H9/6486 , H03K19/19
摘要：磁気素子の磁化を超高速で制御するための装置とその方法であって、装置（１００）は表面弾性波発生手段（１０２）と、典型的には機能的及び部分的に構造的に前記ＳＡＷ発生手段（１０２）内に設けられたトランスポートレイヤー（１０４）と、少なくとも１つの強磁性素子（１０６）とを備える。表面弾性波は発生された後、典型的には圧電材料より成るトランスポートレイヤー（１０４）内を伝播する。これにより、歪みがトランスポートレイヤー（１０４）及びトランスポートレイヤー（１０４）と接触した強磁性素子（１０６）内に発生する。この歪みは磁気弾性結合により強磁性素子（１０６）内に有効磁界を発生する。表面弾性波が強磁性共振（ＦＭＲ）周波数に実質近い周波数を有する場合は、強磁性素子（１０６）は充分に吸収され、素子の磁化状態はＦＭＲ周波数で制御される。装置はＲＦ磁気共振器、センサ、カメラ等に使用される。対応する方法は磁気要素及び磁気論理素子における超高速の読み出し及び切り換えに利用される。

9. 发明专利

JP3773899B2 Magnetic semiconductor material and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP3773899B2
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：JP2002524161
申请日：2001-08-29
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：ゲンナディメドベドキン , 勝昭佐藤 , 隆幸石橋
IPC分类号： H01F1/40 , C30B23/02 , H01F10/193 , H01F41/20 , H01F41/30
CPC分类号： H01F41/20 , C30B23/02 , C30B29/10 , H01F1/401 , H01F10/193
摘要： A magnetic semiconductor material having magnetization characteristics and a method for preparing the same is provided. In the method for preparing the magnetic semiconductor, Mn is vapor-deposited at a thickness of 200 to 300 ANGSTROM onto a CdGeP2 single crystal (2) while the CdGeP2 single crystal (2) is maintained at a temperature of about 390 DEG C in a molecular beam epitaxy apparatus (1). The Mn-deposited CdGeP2 single crystal is heated at a temperature of about 510 DEG C for 1 hour. Thus, a magnetic semiconductor comprising CdMnGeP2 and having magnetization characteristics at room temperature is prepared.

10. 发明专利

JP2005327751A METHOD FOR MANUFACTURING Ge-Mn MAGNETIC SEMICONDUCTOR THIN FILM 审中-公开
标题翻译：制造Ge-Mn磁性半导体薄膜的方法
公开(公告)号：JP2005327751A
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：JP2003365101
申请日：2003-10-24
申请人： Korea Advanced Inst Of Sci Technol , 韓国科学技術研究院
发明人： LIM SANG HO , SONG SANG HOON
IPC分类号： H01F10/193 , H01F10/187 , H01F41/20 , H01L29/82
CPC分类号： H01F1/405
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a Ge-Mn magnetic semiconductor thin film by which the Ge-Mn magnetic semiconductor thin film made of ferromagnetic semiconductor substance with high Curie temperature can be manufactured. SOLUTION: A vapor deposition apparatus for vapor-deposition process by heat is used to connect to electrodes provided on the vapor deposition apparatus the ends of two boats to which the Ge of a 14 group semiconductor and the Mn of a 3d transition metal are respectively given. Different electric powers are applied to the two boats through the electrodes while they are gradually changed. The respective boats produce heat by electric resistance including in themselves, and they evaporate or sublime a given sample (Ge or Mn) by the heat, and the sample is deposited on a substrate that is located at a specified position within the deposition apparatus. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造Ge-Mn磁性半导体薄膜的方法，通过该方法可以制造具有高居里温度的铁磁性半导体物质制成的Ge-Mn磁性半导体薄膜。解决方案：用于通过热气相沉积工艺的气相沉积设备用于连接设置在气相沉积设备上的电极，两个船的端部，14组半导体的Ge和3d过渡金属的Mn 分别给出。不同的电力在逐渐变化时通过电极施加到两个船上。相应的船只通过包括其自身的电阻产生热量，并且通过加热蒸发或升温给定的样品（Ge或Mn），并且将样品沉积在位于沉积设备内的指定位置的基底上。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

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