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1. 发明专利

JP2021162690A 検査装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021162690A
公开(公告)日：2021-10-11
申请号：JP2020063490
申请日：2020-03-31
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：小川力
IPC分类号： H01J37/28 , H01J37/20 , G03F1/86
摘要：【課題】素子歩留まりの向上と高分解能を有する検査画像の取得を両立可能な検査装置を提供する。【解決手段】第1の面と、パターンが形成された第2の面と、を有する被検査試料のパターンに、電子ビームの照射を行う照射源と、第1の面に第1の電圧を印加する第1の電圧印加回路と、照射によりパターンから生じる検査画像を取得する検出器と、を備え、電子ビームに含まれる電子の加速電圧をV acc 、第2の面に到達する電子の入射電圧をV L 、第1の電圧をV 1 としたときに、|V acc -V L | 1 |である検査装置である。【選択図】図5

2. 发明专利

JP2019061928A 電子ビーム画像取得装置および電子ビーム画像取得方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019061928A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2017187690
申请日：2017-09-28
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：竹越秀和
IPC分类号： G03F1/86 , G03F7/20 , H01J37/20 , H01J37/28
摘要：【目的】ビームの偏向位置のずれを抑制した画像を取得可能な装置を提供する。【構成】本発明の一態様の電子ビーム画像取得装置は、電子ビームを偏向する主偏向器208と、偏向器を制御する偏向制御系(偏向制御回路128)と、電子ビームを用いて、図形パターンが形成された基板を載置するためのステージを移動しながらステージ上に配置されたマークパターンをスキャンすることによってマークパターンのエッジ位置を測定するマーク測定回路130と、エッジ位置の情報を用いて、偏向制御系で生じる偏向制御の開始が遅延する偏向制御遅延時間を演算する遅延時間演算部64と、偏向制御遅延時間を用いて、電子ビームの偏向位置を補正する補正回路136と、補正された偏向位置で基板面に形成された図形パターンの画像を取得する画像取得機構150と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6425951B2 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6425951B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2014188680
申请日：2014-09-17
申请人： HOYA株式会社
发明人：笑喜勉 , 淺川竜男
IPC分类号： G03F1/86 , C23C14/46 , C23C14/34 , C23C14/14 , G03F1/24

4. 发明专利

JP2017126780A ナノインプリントリソグラフィ用マスクおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017126780A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017074422
申请日：2017-04-04
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：西口隆男 , 内藤志保 , 廣田礼司 , 吉川真吾
IPC分类号： G03F1/70 , G03F1/74 , G03F1/86 , B29C59/02 , H01L21/027
摘要：【課題】本発明は、欠陥部を感度良く検出できるナノインプリントリソグラフィ用マスクを提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、メインパターンが形成されたメインパターン領域と、上記メインパターン領域とは別に設けられた設計欠陥パターン領域と、を有し、上記設計欠陥パターン領域において、上記メインパターンと同一のパターン、または上記メインパターンよりも微細なパターンに意図的に形成された設計欠陥部を有することを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用マスクを提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016530525A ブロック間レチクル検査有权
标题翻译：该标线检查之间的块
公开(公告)号：JP2016530525A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2016536491
申请日：2014-08-22
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション , ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：アブドゥッラーマンセェズジナー , アブドゥッラーマンセェズジナー , パトリックロプレスティ , パトリックロプレスティ , ジョーブレッチャー , ジョーブレッチャー , ルイ−ファンシー , ルイ−ファンシー , ヤーリンシオン , ヤーリンシオン , ジョンフィールデン , ジョンフィールデン
IPC分类号： G01N21/956 , G01N23/04 , G03F1/84 , G03F1/86 , G06T1/00
CPC分类号： G01N21/8851 , G01N21/8806 , G01N21/958 , G01N2021/8887 , G01N2201/125 , G06T7/001 , G06T2207/20224 , G06T2207/30148
摘要：ブロック間レチクル検査は、レチクル検査サブシステムにより、レチクルの一部のスワス画像を取得することと、見本画像内のブロックの第1の発生、およびブロックの第1の発生と実質的に同様であるスワス画像内のブロックの少なくとも第2の発生を識別することと、場所、ブロックの1つ以上の幾何学的特徴、およびブロックの第1の発生とブロックの少なくとも第2の発生との間の空間オフセットの少なくとも1つを決定することとを含む。
摘要翻译：块间掩模版检查，通过分划板检查子系统，并获得分划板，在样本图像块的第一次出现的条带的图像的一部分，并且所述第一基本上类似于所述块的发生的所述识别的至少一个第二生成块之间扫描带中的图像，放置至少第一代的第二次出现和一个或多个几何特征的块的块的块的空间，并且，与和确定至少一个偏移。

6. 发明专利

JP2016048297A パターン形状評価方法及びパターン形状評価装置审中-公开
标题翻译：图案形状评估方法和图案形状评估装置
公开(公告)号：JP2016048297A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2014172875
申请日：2014-08-27
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：森▲崎▼ 真也 , 米倉勲
IPC分类号： H01L21/027 , H01J37/22 , G01B15/04 , G03F1/86
摘要：【課題】位相欠陥内部の正確な形状を、時間をかけずに分析・評価することができるパターン形状評価方法及び装置を提供する。【解決手段】走査電子顕微鏡を用いたフォトマスクの欠陥部を含むパターン形状評価方法であって、走査電子顕微鏡の複数の分割検出器から、パターンの複数のSEM画像を取得する工程と、複数のSEM画像の差分処理をして差分プロファイルを取得する工程と、差分プロファイルに積分処理を行いパターンの積分プロファイルを取得する工程とを走査電子顕微鏡の加速電圧を変化させ、複数の加速電圧条件で繰り返し、取得された複数の積分プロファイルを合成する工程とを具備する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于图案形状评估的方法和装置，其能够分析和评估相位缺陷内的精确形状，而不花费太多时间。解决方案：提供一种图案形状评估方法，包括：使用扫描电子显微镜的光掩模。评估方法包括以下步骤：从扫描电子显微镜的多个分割检测器获得图案的多个SEM图像; 以及通过在多个加速电压条件下通过改变扫描电子显微镜的加速电压来重复获得多个积分分布，通过执行多个SEM图像的差分处理获得差分分布的步骤，以及步骤通过对差分轮廓进行整合处理，获得图案的整体轮廓。选择图：图1

7. 发明专利

JP5874407B2 位相欠陥の影響を低減するEUV露光用反射型マスクの製造方法有权
标题翻译：用于产生EUV曝光反射型掩模的方法来降低相位缺陷的影响
公开(公告)号：JP5874407B2
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：JP2012010577
申请日：2012-01-23
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：安部司 , 稲月友一
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/86 , G03F1/72 , G03F7/20 , H01L21/027

8. 发明专利

JP2015129928A フォトリソグラフィマスクの画像を相関させるための装置及び方法有权
标题翻译：用于相关图像掩模图像的装置和方法
公开(公告)号：JP2015129928A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014252222
申请日：2014-12-12
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー
发明人：ディーターウェーバー , マルクスヴァイブリンガー
IPC分类号： G03F1/74 , H01L21/027 , H01J37/22 , H01J37/28 , G01Q30/04 , G01Q30/02 , G03F1/86
CPC分类号： G06T7/40 , G01Q30/02 , G01Q30/04 , G02B21/008 , G06T11/60 , G06T7/0008 , H01J37/26 , G06K2009/4666 , H01J2237/2583 , H01J2237/2817 , H01J2237/31744
摘要：【課題】フォトリソグラフィマスクの画像を相関させるための装置及び方法を提供する。【解決手段】少なくとも部分的に重なるフォトリソグラフィマスクの少なくとも2つの画像を相関させるための顕微鏡システムに関連し、顕微鏡システムは、少なくとも2つの画像を相関させるためのフォトリソグラフィマスクの少なくとも1つの構造要素の少なくとも2つの画像に存在する少なくとも1つのランダム変動550、560、570を使用するために与えられる相関ユニットを含む。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于使光刻掩模的图像相关的装置和方法。解决方案：本发明涉及一种用于将至少两个至少部分重叠的光刻掩模图像相关联的显微镜系统，其中显微镜系统包括相关单元，被提供为使用存在于至少两个图像中的至少一个光刻掩模的结构元件的至少一个随机变化550,560,570，用于至少两个图像的相关。

9. 发明专利

JP5622398B2 ＳＥＭを用いた欠陥検査方法及び装置有权
标题翻译：缺陷检查的方法和装置使用SEM
公开(公告)号：JP5622398B2
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：JP2010000629
申请日：2010-01-05
IPC分类号： G01N23/225 , G03F1/00 , G03F1/84 , G03F1/86 , H01L21/027 , H01L21/66

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