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1. 发明专利

JP2017211426A テストパターン、テストパターン評価方法、パターン転写特性評価方法およびフォトマスクならびに転写用原版审中-公开
公开(公告)号：JP2017211426A
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016102615
申请日：2016-05-23
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：西山泰史
IPC分类号： G01B15/08 , H01L21/66 , G03F1/44
摘要：【課題】粗さの周波数成分の解析精度を向上できるテストパターン、テストパターン評価方法、パターン転写特性評価方法、当該テストパターンを有するフォトマスク及び転写用原版を提供する。【解決手段】粗さを評価するためのテストパターンに複数の周波数を組み合わせた粗さを合成したパターンは、複数の周波数のいずれもが他の周波数の奇数倍にならないように構成する。【選択図】図4

2. 发明专利

JP6012609B2 臨界寸法均一性再構成のための広域標識方法有权
标题翻译：宽标记方法用于关键尺寸一致性重建
公开(公告)号：JP6012609B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2013532317
申请日：2011-10-05
申请人：カールツァイスエスエムエスリミテッド
发明人：ドミトリエフウラディミール , シャロニオフィール
IPC分类号： G03F1/70 , G01B11/02 , G03F1/44
CPC分类号： G06F17/5081 , G03F7/70508 , G03F7/70625

3. 发明专利

JP6003272B2 露光方法および露光装置有权
标题翻译：曝光方法和设备
公开(公告)号：JP6003272B2
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：JP2012136121
申请日：2012-06-15
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：畠中公栄
IPC分类号： G03F9/02 , G03F1/42 , G03F1/44 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F7/2022 , G03F7/70125

4. 发明专利

JP5989376B2 欠陥評価用マスクブランクの製造方法、並びに欠陥評価方法有权
标题翻译：用于生产缺陷评价空白掩模，和缺陷的评价方法
公开(公告)号：JP5989376B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012078954
申请日：2012-03-30
申请人： HOYA株式会社
发明人：橋本雅広 , 廣松孝浩 , 大久保亮
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/44

5. 发明专利

JP5930022B2 集束粒子ビームを用いて基板を処理する方法及び装置有权
标题翻译：使用聚焦粒子束处理衬底的方法和装置
公开(公告)号：JP5930022B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2014506858
申请日：2012-04-26
申请人：カールツァイスエスエムエスゲーエムベーハー
发明人：ブレトリスタン , シュピーズペトラ , ホフマンソルステン
IPC分类号： G03F1/84 , G03F1/44 , H01J37/30 , C23C16/48 , G03F1/74
CPC分类号： H01J37/3045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/74 , H01J37/3056 , H01J2237/31737 , H01J2237/31744

6. 发明专利

JP2016048299A 評価用マスク、評価方法、露光装置及び物品の製造方法审中-公开
标题翻译：评估方法，评价方法，曝光装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016048299A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2014173007
申请日：2014-08-27
申请人：キヤノン株式会社
发明人：安藤美和子
IPC分类号： G03F1/70 , G03F1/44
摘要：【課題】露光装置の性能を高い精度で評価するのに有利な評価用マスクを提供する。【解決手段】基板を露光する露光装置の性能を評価する際に用いられる評価用マスクであって、前記露光装置の第1性能を評価するための第1パターン及び第2パターンと、前記第1パターンを含む第1部分領域における単位面積あたりの開口部と遮光部との第1比率と、前記第2パターンを含む第2部分領域における単位面積あたりの開口部と遮光部との第2比率との差分を±10%以内にするためのダミーパターンと、を有することを特徴とする評価用マスクを提供する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种有利于以高精度评价曝光装置的性能的评估用掩模。解决方案：提供了一种用于评价曝光基板的曝光装置的性能的评价用掩模，其中所述掩模具有：用于评估所述曝光装置的第一性能的第一图案和第二图案; 以及用于在包括第一图案和遮光部分的第一部分区域中的每单位面积的开口的第一比率和包括第二图案的第二部分区域的第二部分区域的开口之间的第二比率的虚拟图案图案和遮光部分在±10％以内。选择图：图4

7. 发明专利

JP2015084358A 反射型マスクブランク及びその製造方法並びに反射型マスク有权
标题翻译：反光罩，其制造方法和反光掩模
公开(公告)号：JP2015084358A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2013222117
申请日：2013-10-25
申请人：凸版印刷株式会社
发明人：吉田至 , 坂田陽 , 福上典仁
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/24 , G03F1/44 , H01L21/027
摘要：【課題】DUV光を用いた欠陥検査において、吸収膜部と開口部の高コントラストの画像を得ることができ、感度の高い検査を実現できるEUVリソグラフィ用反射型マスク及び反射型マスクブランクを提供する。【解決手段】少なくとも、基板1と、基板1上に形成された多層反射層2と、その上に形成された吸収層4とを有し、吸収層4の上にDUV光に励起され発光する検査補助層5または、DUV光の波長を変換する検査補助層5を設けたことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供用于EUV光刻的反射掩模和反射掩模板，其中在使用DUV光的缺陷检查中可以获得具有吸收膜部分和开口部分的高对比度的图像，并且以高灵敏度进行检查可以实现。解决方案：反射掩模坯料至少包括基板1，形成在基板1上的多层反射层2和形成在其上的吸收层4，掩模坯料包括检查辅助层5，其被 DUV光发光或者在吸收层4上转换DUV光的波长的检查辅助层5。

8. 发明专利

JP5696079B2 マスクおよび半導体装置の製造方法有权
标题翻译：掩模的制造方法及半导体装置
公开(公告)号：JP5696079B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2012065382
申请日：2012-03-22
申请人：株式会社東芝
发明人：岡本陽介 , 石行一貴 , 栗山育飛
IPC分类号： G03F1/44 , H01L21/027 , G03F1/42
CPC分类号： G03F1/42

9. 发明专利

JP5537426B2 Scattered light measuring method and apparatus of the optical system 有权
公开(公告)号：JP5537426B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2010519382
申请日：2008-08-07
申请人：カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
发明人：アルンツミカエル
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/24 , G03F1/44 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70941

10. 发明专利

JP2014112236A Method and system for pattern design with adjusted response to wave front aberration 有权
标题翻译：用于模式设计的方法和系统，具有调整的响应以进行波前失真
公开(公告)号：JP2014112236A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：JP2013269412
申请日：2013-12-26
申请人： Asml Netherlands Bv , エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人： FENG HANYING , CAO YU , YE JUN , TSAN YUPIN
IPC分类号： G03F1/44 , G03F1/36 , G03F1/70 , G06F17/50 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/706 , G03F7/70683
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and a system for designing gage patterns having extremely high sensitivity to variations of parameters and having robustness to random and repetitive measurement errors in calibration of a lithography process imaging target designs having a plurality of features.SOLUTION: The method is capable of including distinguishing combinations of line width/pitch with the highest sensitivity and the optimal assist feature arrangement, which may result in changes of high CD with the highest sensitivity to variations of lithography process parameters such as variations of wave front aberration parameters (or other lithography response parameters). The method is also capable of including designing a gage having a plurality of test patterns for adjusting combination response of the gage for producing a specific response to parameters of wave front related or other lithography process parameters. The sensitivity to variations of parameters may result in robust performance to random measurement errors and/or any other measurement errors.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于设计具有对参数变化具有极高灵敏度的量具图案的方法和系统，并且具有对具有多个特征的光刻工艺成像目标设计的校准中的随机和重复测量误差的鲁棒性。解决方案：该方法能够包括具有最高灵敏度和最佳辅助特征布置的线宽/间距的区别组合，这可能导致对于光刻工艺参数的变化（例如波前像差参数的变化）具有最高灵敏度的高CD的变化（或其他光刻响应参数）。该方法还可以包括设计具有多个测试图案的量具，用于调节量具的组合响应，以产生对波前相关参数或其它光刻工艺参数的参数的特定响应。对参数变化的敏感度可能导致对随机测量误差和/或任何其他测量误差的鲁棒性能。

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