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1. 发明专利

JP6925208B2 炭化珪素単結晶の製造方法有权
公开(公告)号：JP6925208B2
公开(公告)日：2021-08-25
申请号：JP2017172967
申请日：2017-09-08
申请人：昭和電工株式会社
发明人：金田一麟平 , 奥野好成 , 庄内智博
IPC分类号： C30B29/36

2. 发明专利

JP2021088476A 結晶成長装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021088476A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019219257
申请日：2019-12-04
申请人：昭和電工株式会社
发明人：金田一麟平 , 奥野好成 , 庄内智博
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要：【課題】坩堝内に収容された原料の温度を均熱化できる結晶成長装置を提供する。【解決手段】結晶成長装置100は、内部に原料Gと種結晶Sを収容できる坩堝10と、前記坩堝10の側面を囲む誘導コイル30と、前記坩堝10と前記誘導コイル30との間に位置し、前記坩堝10を輻射熱によって加熱する複数の加熱部20と、を備え、それぞれの加熱部20は、前記坩堝の高さ方向に間隔を置いて配置され、前記複数の加熱部20の間の前記間隔のうちのいずれかは、前記坩堝の高さ方向の中心よりも種結晶Sから遠くに位置する。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019112258A SiCインゴット及びSiCインゴットの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019112258A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017246784
申请日：2017-12-22
申请人：昭和電工株式会社
发明人：金田一麟平 , 藤川陽平 , 奥野好成
IPC分类号： C30B23/02 , C23C14/06 , C30B29/36
摘要：【課題】原子配列面の湾曲方向の異方性が緩和されたSiCインゴット及びその製造方法で作製されたSiCインゴットを提供すること。【解決手段】コア部Cと、コア部Cの成長方向の表面に形成された表面層C1と、を備え、表面層C1の線膨張係数は、コア部Cの線膨張係数より小さい、SiCインゴット1。表面層C1のドーパント濃度がコア部Cのドーパント濃度よりも高い、SiCインゴット1。表面層C1及びコア部Cにドーパントされた元素が窒素又はアルミニウムである、SiCインゴット1。種結晶の一面にコア部Cとなる単結晶を成長させる第1工程と、コア部Cの種結晶と反対側の面に、第1工程よりドーパントガスの濃度が高い雰囲気で表面層C1を成長する第2工程と、第2工程の後に、作製されたSiCインゴット1を冷却する第3工程と、を有する、SiCインゴットの製造方法。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2021098168A スクラバーの排ガス導入管およびスクラバー审中-公开
公开(公告)号：JP2021098168A
公开(公告)日：2021-07-01
申请号：JP2019231315
申请日：2019-12-23
申请人：昭和電工株式会社
发明人：石橋直人 , 児玉友弘 , 坂東章 , 金田一麟平
IPC分类号： H01L21/205 , B01D53/46 , B01D53/68 , B01D53/14 , C23C16/44 , B01D53/78
摘要：【課題】副生成物が発生することを抑制することができるスクラバーの排ガス導入管を提供する。【解決手段】このスクラバーの排ガス導入管は、内部でSiC薄膜の気相成長を行うことが可能な反応炉から、排気配管を流れ、排出される第1ガスを除害することが可能なスクラバーの排ガス導入管であって、前記スクラバーのガス収容部に前記第1ガスを流す第1配管と、前記第1配管の径方向外側に配置され、前記第1配管と二重配管構造を形成する第2配管と、を有し、前記第2配管は、前記ガス収容部に前記第1ガスよりも高温の第2ガスを流す配管である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2019189499A SiC単結晶成長装置およびSiC単結晶の成長方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019189499A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018085806
申请日：2018-04-26
申请人：昭和電工株式会社
发明人：金田一麟平 , 奥野好成 , 庄内智博
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】結晶成長する単結晶の形状を制御できるSiC単結晶成長装置及びSiC単結晶の成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるSiC単結晶成長装置は、原料と対向する位置に種結晶を設置できる種結晶設置部と、前記種結晶設置部の周囲から原料に向かって延在し、結晶成長をガイドするガイド部材と、前記ガイド部材の外側を、前記ガイド部材の延在方向に沿って移動できる断熱材と、を備える。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2019048736A 炭化珪素単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019048736A
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：JP2017172967
申请日：2017-09-08
申请人：昭和電工株式会社
发明人：金田一麟平 , 奥野好成 , 庄内智博
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】口径の大きな坩堝を用いた場合でも、壁面付近の原料の利用を抑制することなく、坩堝中心付近の原料を十分に加熱することにより効率よく原料を昇華させることができる炭化珪素単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】黒鉛製の坩堝本体と、坩堝本体の下部に位置する原料充填部と、原料充填部と対向する位置に種結晶が設置される種結晶支持部を有する単結晶成長装置を用いて、原料充填部内に充填された炭化珪素原料を加熱して発生させた昇華ガスを、種結晶設置部に設置した炭化珪素種結晶上に再結晶させる昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の製造方法であって、坩堝本体は円筒状の内側壁を有し、炭化珪素原料より熱伝導率の高い物質からなる環状の伝熱部材が、炭化珪素原料の内部に配置され、伝熱部材が、坩堝本体の中心軸からの距離が5mm以上かつ坩堝本体の内半径の0.85倍以下の領域内に配置されることを特徴とする。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2021084822A 単結晶製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021084822A
公开(公告)日：2021-06-03
申请号：JP2019213012
申请日：2019-11-26
申请人：昭和電工株式会社
发明人：野口駿介 , 金田一麟平
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06
摘要：【課題】単結晶の結晶成長面の温度を制御しつつ、異種多形の発生を抑制することができる単結晶成長装置を提供する。【解決手段】この単結晶製造装置100は、坩堝2と、坩堝2を囲む加熱手段Hを備え、前記坩堝2は、内部に隔離部材3を有し、前記隔離部材3は、前記坩堝2の内部を第1成長空間R1と第2成長空間R2とに区分し、前記第2成長空間R2は、前記第1成長空間R1を囲み、前記第1成長空間R1と前記第2成長空間R2は、それぞれ別々に底部に原料M1、M2を設置でき、前記第1成長空間R1は、原料M1から昇華したガスが原料M1に対して第1方向の位置に配置された種結晶SDの表面で再結晶化する空間であり、前記第2成長空間R2は、前記第2成長空間R2の原料M2を基準に第1方向の位置、かつ、前記種結晶SDの周囲の位置でガスが再結晶化する空間である。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020102533A SiC化学気相成長装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020102533A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018239879
申请日：2018-12-21
申请人：昭和電工株式会社
发明人：梅田喜一 , 奥野好成 , 金田一麟平
IPC分类号： C23C16/42 , C30B29/36 , C30B25/14 , H01L21/205
摘要：【課題】載置台に載置されたSiCウェハに原料ガスを均一に供給できるSiC化学気相成長装置を提供する。【解決手段】本実施形態に係るSiC化学気相成長装置は、内部に成長空間を構成する炉体と、前記成長空間内に位置し、載置面にSiCウェハを載置する載置台と、を有し、前記炉体は、前記載置面と対向する上方に位置し前記成長空間内に原料ガスを導入する第1孔と、前記炉体の側壁に位置し、前記成長空間内にパージガスが流入する第2孔と、前記炉体の側壁に位置し、前記成長空間内のガスを排気する第3孔と、を有し、前記第2孔の下端には、前記成長空間に向かって突出し、前記原料ガスの流れを調整する突出部が備えられる。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2020098830A SiCエピタキシャル成長装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020098830A
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2018235553
申请日：2018-12-17
申请人：昭和電工株式会社
发明人：梅田喜一 , 奥野好成 , 金田一麟平
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/44 , H01L21/205
摘要：【課題】消費電力に優れるSiCエピタキシャル成長装置を得ることを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかるSiCエピタキシャル成長装置は、SiCSiCウェハを載置する載置台と、前記載置台を覆う炉体と、を備え、前記炉体は、側壁部と、前記炉体内に原料ガスを供給するガス供給口を有し、前記ガス供給口の周囲を覆い、前記載置台の上方に位置する天井部と、を有し、前記天井部の内面の放射率は、前記側壁部の内面の放射率より低い。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2020093975A 結晶成長装置及び坩堝审中-公开
公开(公告)号：JP2020093975A
公开(公告)日：2020-06-18
申请号：JP2019220687
申请日：2019-12-05
申请人：昭和電工株式会社
发明人：金田一麟平 , 奥野好成 , 庄内智博
IPC分类号： C30B23/06
摘要：【課題】坩堝内の温度分布を制御できる結晶成長装置及び坩堝を提供することを目的とする。【解決手段】本実施形態にかかる結晶成長装置は、本体部と前記本体部と輻射率が異なる第1部分とを備え、加熱時に内部の特定領域の温度を他の領域より高温又は低温に制御できる坩堝と、前記坩堝の外側に位置し、前記坩堝を輻射熱によって加熱する加熱部と、を備え、前記第1部分は、前記坩堝と、前記加熱部の加熱中心と前記特定領域とを結ぶ線分と、が交差する位置にある。【選択図】図1

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