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1. 发明专利

JP2021127284A 単結晶成長装置、単結晶成長方法および単結晶审中-公开
公开(公告)号：JP2021127284A
公开(公告)日：2021-09-02
申请号：JP2020166102
申请日：2020-09-30
申请人： FTB研究所株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：藤原航三 , 堀岡佑吉 , 勝亦 ▲具▼慶
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/26 , C30B29/06
摘要：【課題】テイル切れを生じることなくテイル部が短い単結晶の成長が可能な単結晶成長装置、このような単結晶の成長を可能にする単結晶成長方法、およびテイル部が短い単結晶の提供。【解決手段】シリコン(ケイ素)の融液Lを収容するルツボ8を設置可能な単結晶成長炉1と、ルツボ8を加熱するヒータ10と、融液Lの温度を測定する温度センサ11、12と、温度センサ11、12による測定結果に基づいてヒータ10に供給する電力と結晶の引上速度を制御して単結晶近傍領域における融液Lの温度を所定の範囲に維持する制御部4と、を備え、直胴部の直径よりも短いテイル部を有する単結晶7を成長させる単結晶成長装置。単結晶近傍領域は、単結晶7を周回する円環状の領域であって、領域の内周は、単結晶7の側面から約3mmから単結晶7の半径分までの距離だけ離隔し、領域の外周は、単結晶7の側面とルツボ8の内壁との略中間に位置する単結晶成長装置。【選択図】図1

2. 发明专利

KR102231090B1 KR102231090B1 - Ingot growth control apparatus 有权
公开(公告)号：KR102231090B1
公开(公告)日：2021-03-22
申请号：KR1020190020975A
申请日：2019-02-22
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 홍영호
IPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06 , G06N3/08 , H04N5/225
CPC分类号： C30B15/26 , C30B29/06 , G06N3/08 , H04N5/2254 , H04N5/2259
摘要： 본 발명은 고선명도 이미지를 확보하여 멜트 갭을 정확하게 추출할 수 있는 잉곳 성장 제어장치에 관한 것이다.
본 발명은 투명창이 구비된 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되고, 실리콘 융액으로부터 단결정 잉곳이 성장되는 도가니; 상기 투명창 외부에 설치되고, 멜트 갭을 촬영하는 경사 카메라; 및 상기 경사 카메라에서 촬영된 이미지들 중 선명한 이미지를 선택하고, 상기 선택된 이미지로부터 멜트 갭을 추출하는 제어부;를 포함하는 잉곳 성장 제어장치를 제공한다.

3. 发明专利

JP6812931B2 液面レベル検出装置の調整用治具および調整方法有权
公开(公告)号：JP6812931B2
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2017171446
申请日：2017-09-06
申请人：株式会社SUMCO
发明人：林田寿男
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , G01F23/292 , C30B29/06

4. 发明专利

JP6809568B2 n型シリコン単結晶インゴットの製造方法、および、n型シリコンウェーハの製造方法有权
公开(公告)号：JP6809568B2
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：JP2019118154
申请日：2019-06-26
申请人：株式会社SUMCO
发明人：前川浩一 , 鳴嶋康人
IPC分类号： C30B33/00 , C30B15/26 , C30B29/06

5. 发明专利

JP6501371B2 機械制御装置、機械制御プログラムおよび機械制御方法有权
公开(公告)号：JP6501371B2
公开(公告)日：2019-04-17
申请号：JP2018004812
申请日：2018-01-16
申请人：株式会社レゾネスト
发明人：前川博俊 , 池本慶子 , 佐々哲
IPC分类号： G05B13/04 , C30B13/28 , C30B15/26 , G05B13/02

6. 发明专利

JP2019043794A 単結晶育成装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019043794A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017166580
申请日：2017-08-31
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：石川治男 , 槙孝一郎
IPC分类号： C30B15/28 , C30B15/26
摘要：【課題】単結晶と坩堝底との接触を未然に防止できる単結晶育成装置を提供すること。【解決手段】単結晶育成装置100は、断熱材5によって囲まれた加熱空間SPに配置された坩堝1内の原料の融液MTに、引き上げ軸としてのシード棒9の先端に取り付けられた種結晶SEを接触させて単結晶SCを育成する。単結晶育成装置100は、シード棒9に取り付けられ且つ単結晶SCの重量を検出する重量センサ30と、断熱材5に設けられたのぞき窓8を通じて単結晶SCのうち融液面の上にある露出部分SC1を撮像する画像センサ31と、画像センサ31が出力する画像から露出部分SC1の形状に関する情報を導き出す画像処理装置52と、露出部分SC1の形状に関する情報と単結晶SCの重量に関する情報とに基づき、単結晶SCのうち融液中にある液中部分SC2の形状に関する情報を算出する演算装置50と、を有する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6447537B2 単結晶の製造方法および製造装置有权
公开(公告)号：JP6447537B2
公开(公告)日：2019-01-09
申请号：JP2016036629
申请日：2016-02-29
申请人：株式会社SUMCO
发明人：濱田建 , 高梨啓一
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/26

8. 发明专利

JP6424724B2 距離計測方法及び距離計測装置审中-公开
公开(公告)号：JP6424724B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2015084686
申请日：2015-04-17
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：新田希 , 佐藤健司 , 中尾慶彦
IPC分类号： C30B29/20 , C30B15/26

9. 发明专利

JP6090501B2 単結晶引き上げ方法有权
标题翻译：单晶提拉方法
公开(公告)号：JP6090501B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2016074864
申请日：2016-04-04
申请人：株式会社SUMCO
发明人：濱田建 , 佐藤智 , 高梨啓一
IPC分类号： C30B15/22 , C30B15/26

10. 发明专利

JP2017024980A シリコン単結晶の製造方法有权
标题翻译：用于制造硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2017024980A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016145198
申请日：2016-07-25
申请人：株式会社SUMCO
发明人：須藤俊明 , 佐藤忠広 , 北原賢 , 北原江梨子
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , C30B29/06
摘要：【課題】シリカガラスルツボのコーナー部においてもシリコン単結晶の引き上げを適切に行うことが可能なシリコン単結晶の製造方法の提供。【解決手段】シリカガラスルツボ11の内表面に沿って非接触で内部測距部を移動させ、複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボ11の内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって、内部測距部と内表面の間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と内表面距離を関連付けることによって予め求めておいたシリカガラスルツボ内表面の三次元形状分布から、コーナー部11bでの液面23aの下降速度を高精度に予測し、その予測内容に基づいてシリコン単結晶の引き上げ速度などの引き上げ条件を決定する。【選択図】図1
摘要翻译：到用于拉动正确提供一种制造方法进行它是硅单晶的可能硅单晶即使在石英玻璃坩埚的角部。距离测量单元，内部倾斜地从内部测距单元移动，而不沿着所述石英玻璃坩埚11的内表面接触，在多个测量点，激光对石英玻璃坩埚11的内表面照射光，通过改变距离的发射方向和内部距离测量单元和所述内表面之间的激光束，使得用激光位移计测得的激光束的反射光的两个峰值被观察到，这两个峰的内表面侧的峰值的位置，由三维坐标和每个测量点的内表面的距离相关联的所测量的内部距离测量单元和内部表面，预先求出之间内表面的距离从石英玻璃坩埚内表面的三维形状的分布，它预测精度高的角部11b的液面23a的下降速度，以确定所述提拉条件如拉基于预测内容硅单晶的速度。点域1

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