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1. 发明专利

JP2021088496A シリコン単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021088496A
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019221034
申请日：2019-12-06
申请人：株式会社SUMCO
发明人：西岡研一 , 林田寿男
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要：【課題】マルチプリング法において、すべてのシリコン単結晶の引き上げ速度を所定範囲内に収める。【解決手段】シリコン単結晶の製造方法は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引き上げるごとに残存するシリコン融液にシリコン原料を追加投入する作業を繰り返し、単一の坩堝を用いて複数本のシリコン単結晶を製造するマルチプリング法を用いている。このシリコン単結晶の製造方法は、シリコン融液を加熱するヒータに供給する電力をPID制御する際に、第1のPIDパラメータを用いて1本目から所定本目までのシリコン単結晶を製造する第1の単結晶製造工程と、第1のPIDパラメータとは異なる第2のPIDパラメータを用いて所定本目より後のシリコン単結晶を製造する第2の単結晶製造工程とを備えている。【選択図】図5

3. 发明专利

JP2019043828A 液面レベル検出装置の調整用治具および調整方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019043828A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017171446
申请日：2017-09-06
申请人：株式会社SUMCO
发明人：林田寿男
IPC分类号： C30B15/26 , C30B15/10 , G01F23/292 , C30B29/06
摘要：【課題】高精度な液面レベルの検出を可能とする高精度に行うための液面レベル検出装置の調整を容易に行うことができる調整用治具の提供。【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成に際し、坩堝222に収容されたシリコン融液Mの液面レベルM1を三角測量の原理に基づき検出する液面レベル検出装置の調整用治具100であって、内部に収容された液体Lの液面によってシリコン融液Mの疑似液面L1を形成可能な液体収容部110と、坩堝222または坩堝222を支持する坩堝支持部26に取り付け可能に構成され、液体収容部110を坩堝222の内部の所定位置に位置決めする位置決め部とを備えている液面レベル検出装置の調整用治具100。【選択図】図5

5. 发明专利

JP2021075418A 単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021075418A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019202835
申请日：2019-11-08
申请人：株式会社SUMCO
发明人：林田寿男
IPC分类号： C30B13/28 , C30B29/06
摘要：【課題】交互回転を開始した直後でも結晶直径を安定的に制御して単結晶の有転位化を防止する。【解決手段】本発明による単結晶の製造方法は、単結晶4を一方向に回転させつつ、かつ単結晶4の直径が拡大するように原料ロッド2の降下速度を増加させながら単結晶4の成長を行うテーパー部育成工程S13と、テーパー部育成工程S13の後、単結晶4の回転方向を交互に回転させつつ、かつ単結晶4の直径が目標直径に維持されるように原料ロッド2の降下速度を第1の降下速度V m1 に維持しながら単結晶4の成長を行う直胴部育成工程S14とを含む。テーパー部育成工程S14は、原料ロッド2の降下速度を増加させながら単結晶のテーパー部4bを成長させる第1のステップ(S13a)と、第1のステップ後、原料ロッド2の降下速度を第1の降下速度V m1 よりも速い第2の降下速度V m2 まで増大させる第2のステップ(S13c)とを含む。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2017075067A 単結晶製造装置および製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017075067A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2015202972
申请日：2015-10-14
申请人：株式会社SUMCO
发明人：林田寿男
IPC分类号： C30B15/20
摘要：【課題】結晶引き上げ機構を構成する部品の誤動作や故障を比較的早期に発見することが可能な単結晶製造装置および製造方法を提供する。【解決手段】単結晶製造装置は、融液2から単結晶3を引き上げる結晶引き上げ機構14と、結晶引き上げ機構14を制御する制御部30とを備える。結晶引き上げ機構14は、単結晶の引き上げワイヤ20を昇降駆動するモータ23と、モータ23の回転軸に接続された減速ギヤと、モータ23の回転速度を検出するロータリエンコーダ27と、引き上げワイヤ20の移動量を検出する位置エンコーダ26とを備える。制御部30は、位置エンコーダ26およびロータリエンコーダ27の少なくとも一方の出力信号から求めた単結晶3の実際の引き上げ速度と目標引き上げ速度とを比較した結果から結晶引き上げ機構14による引き上げ動作の異常の有無を診断する。【選択図】図2

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