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    • 8. 发明专利
    • 電界効果トランジスタの非接触制御のためのシステム
    • 系统用于场效应晶体管的接触控制
    • JP2014527720A
    • 2014-10-16
    • JP2014525524
    • 2012-07-31
    • エレツ ハラーミエレツ ハラーミ
    • エレツ ハラーミエレツ ハラーミ
    • H01L21/336H01L21/28H01L29/423H01L29/49H01L29/66H01L29/78H01L29/788H01L29/792
    • H03K17/94G01N27/414H01L29/78
    • 本発明は、電界効果トランジスタ(MOS、FETなど)のゲート領域における電界を、ゲート電極の正味電荷を変更せずに、又は、電気伝導を用いずに制御することが可能であるという認識に由来している。本発明の一態様によれば、前記電界が、ゲート電極内の電荷分布を、電荷キャリアをゲート電極に実質的に加減せずに、又は、ゲート電極の正味電荷を変更せずに修正することにより変更される。これは、1以上の電界の源、例えば、自由電荷、又は導電性若しくは非導電性の表面電荷を、前記ゲート電極付近に移動させることにより達成される。前記電界は、電気誘導により、前記ゲート電極における電荷の分離、及び、FETトランジスタの導通状態の変化を生じる。
    • 本发明是从场效应晶体管(MOS,FET等)的字段中的栅极区衍生而不改变净电荷栅电极的,或者,在所述识别,这是可能的,而不使用导电率,以控制 是的。 根据本发明,电场,在所述栅电极上的电荷分布的一个方面,而不在栅电极基本上调整所述电荷载流子,或不改变净电荷栅电极的被修改 它是通过改变。 这可包括一个或多个电场源,例如,自由电荷或导电或不导电的表面电荷是通过围绕栅电极移动来实现的。 电场是通过电感应,在栅电极中的电荷分离,并导致在FET晶体管的导通状态的变化。