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热词
    • 3. 发明专利
    • コネクタモジュールの放熱構造
    • 连接器模块的散热结构
    • JP2017004777A
    • 2017-01-05
    • JP2015117997
    • 2015-06-11
    • 矢崎総業株式会社
    • 森本 充晃大石 英一郎
    • H05K7/20H05K7/06H01R13/74H01R13/66
    • 【課題】放熱性能の向上を図ると共に、制御基板が傷つき難く且つ短絡の可能性を低減することができるコネクタモジュールの放熱構造を提供する。 【解決手段】パワーデバイス11cをパッケージした半導体モジュール11を搭載する制御基板12と、制御基板12を収納する絶縁性樹脂からなるケース部材20と、相手側コネクタと接続されるコネクタ部22,23,25とを備えたコネクタモジュール1と、コネクタモジュール1の表面積よりも大きい表面積を有し、コネクタモジュール1が挿入固定されるモジュール固定部6を有した金属筐体5と、を備え、コネクタモジュール1は、半導体モジュール11が接触するケース部材20の上壁20u部分によって形成された放熱部Hpを有し、放熱部Hpは、直接又は伝熱性部材を介してモジュール固定部6の内壁iwに接触する。 【選択図】図4
    • 甲连同改进的热辐射性能,它提供了一种连接器模块,其能够控制以减小电路板划伤硬和短路的可能性的散热结构。 以及用于安装的半导体模块11,其被包装,用于容纳所述控制基板12由绝缘树脂的情况下部件20,一个连接器22和23将连接到配合连接器的功率器件11C的控制基板12, 一个连接器组件1,其包括25,具有比所述连接器模块1的表面面积更大的表面面积,其包括金属外壳具有连接器向哪个模块1被插入并固定连接部6的模块5,连接器模块1 具有热辐射的半导体模块11的一部分的Hp是通过在接触的情况下部件20的上壁20U部形成时,热直接或通过热在与内壁IW模块的连接部件6的接触传导构件辐射部分的Hp 。 点域4
    • 4. 发明专利
    • 車両用電源装置
    • 用于车辆的电源装置
    • JP2016222057A
    • 2016-12-28
    • JP2015108700
    • 2015-05-28
    • 矢崎総業株式会社
    • 大石 英一郎森本 充晃
    • H02J7/00B60R16/02B60L3/00B60R16/03
    • 【課題】省スペース化を図ることができる車両用電源装置を提供する。 【解決手段】高電圧J/Bモジュール10と、DC/DCコンバータモジュール20と、高電圧J/Bモジュール10内の半導体スイッチング素子11をスイッチング制御すると共に、DC/DCコンバータモジュール20内の半導体スイッチング素子21をスイッチング制御する制御モジュール30と、高電圧J/Bモジュール10、DC/DCコンバータモジュール20及び制御モジュール30を収納するケース40と、を備え、ケース40は、高電圧J/Bモジュール10及びDC/DCコンバータモジュール20が設置される設置箇所が少なくとも金属部材によって構成され、設置箇所に対応するケース40の外側に放熱フィン42が設けられている。 【選択図】図2
    • 为了提供能够实现节省空间的车辆的电源装置。 和高电压J / B模块10,DC / DC转换器模块20,半导体开关的高电压J / B模块10的元件11以及切换控制中,DC / DC转换器模块20中的半导体开关 和控制模块30,其控制开关元件21,用于容纳高压J / B模块10的情况下40,DC / DC转换器模块20和控制模块30,一个壳体40,一个高电压J / B模块10 和DC / DC转换器模块20被安装的安装位置是由至少一个金属部件构成,在对应于安装现场的壳体40的外部的热辐射翅片42设置。 .The
    • 5. 发明专利
    • 半導体スイッチ回路
    • 半导体开关电路
    • JP2016213659A
    • 2016-12-15
    • JP2015095586
    • 2015-05-08
    • 矢崎総業株式会社
    • 森本 充晃大石 英一郎
    • H03K17/687H03K17/08
    • 【課題】簡単な回路構成でありつつも、負荷電流の急峻な変動を事前に抑制する半導体スイッチ回路を提供する。 【解決手段】電源11と、負荷13との間に設けられたバイポーラトランジスタ21と、バイポーラトランジスタ21の出力電流を、電流制限値以下に制限する定電流回路31と、バイポーラトランジスタ21と、負荷13との間に設けられ、バイポーラトランジスタ21と直列に接続されたMOSFET23と、MOSFET23の駆動を制御するゲート制御回路33と、を備える。MOSFET23は、ゲート制御回路33によりオン状態にさせられ、バイポーラトランジスタ21が定電流回路31によりオン状態にさせられ、電源11から供給される電力を、制限された状態で負荷13に供給する。 【選択図】図1
    • 甲即使同时有一个简单的电路结构,提供一种半导体开关电路,用于预先抑制负载电流的急剧变化。 和电源11,和双极型晶体管21的负荷13之间,双极晶体管21的输出电流,恒流电路31,其低于电流限制值限制,双极晶体管21,负载13 之间提供包括被连接到所述双极型晶体管21串联的MOSFET 23中,用于控制该MOSFET 23,的驱动栅极控制电路33。 MOSFET23被带入由栅极控制电路33的ON状态时,双极晶体管21由恒流电路31,从电源11供给的电力,在受限状态供给到负载13带到导通状态。 点域1
    • 7. 发明专利
    • 電流制限回路
    • 电流限制电路
    • JP2016092962A
    • 2016-05-23
    • JP2014224592
    • 2014-11-04
    • 矢崎総業株式会社
    • 森本 充晃大石 英一郎
    • B60L11/18H02J1/00H02H9/02
    • Y02T10/7005
    • 【課題】小型化が可能な電流制限回路を提供する。 【解決手段】実施形態の電流制限回路は、高電圧バッテリ及び高電圧負荷の間に介挿された高電位側メインリレー及び低電位側メインリレーと、低電位側メインリレー又は高電位側メインリレーと並列に接続された電流制限抵抗と、電流制限抵抗に直列に接続され、電流制御信号に基づいて電流量が可変な電流可変部と、電流制限抵抗に流れる電流が一定となるように電流制御信号を出力する制御部と、を備える。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种可以减小尺寸的限流电路。解决方案:根据本实施例的限流电路包括:一个高电位侧主继电器和一个低电位侧主继电器, 高压电池和高压负载; 与低电位侧主继电器或高电位旁路继电器并联连接的限流电阻; 电流变化单元,其基于电流控制信号与电流限制电阻串联连接并以安培数变化; 以及控制单元,其输出电流控制信号,使得在限流电阻中流动的电流是恒定的。选择图:图1