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1. 发明专利

JPWO2009025008A1 増幅器有权
公开(公告)号：JPWO2009025008A1
公开(公告)日：2010-11-18
申请号：JP2009528883
申请日：2007-08-21
申请人：富士通株式会社
发明人：浩一神田 , 浩一神田 , 拓司山本 , 拓司山本
IPC分类号： H03F1/48 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/607 , H03F3/211 , H03F3/45183 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2203/45548 , H03F2203/45554 , H03F2203/45631 , H03F2203/45706
摘要：本発明の増幅器は、入力側伝送線路および出力側伝送線路と、入力側伝送線路と出力側伝送線路との間に接続される複数のユニット回路とを備えた分布定数型増幅器において、複数のユニット回路の各々が1以上のゲインを有する増幅回路を備えて構成されることで具現される。例えば、複数のユニット回路の各々は、入力側伝送線路に接続される入力側増幅段と出力側伝送線路に接続される出力側増幅段とを接続して構成され、入力側増幅段は、ピーキングインダクタを用いた増幅回路である。このような構成により、ゲインが高く且つ帯域が広い増幅器を実現することができる。

2. 发明专利

JP5131275B2 amplifier 有权
公开(公告)号：JP5131275B2
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：JP2009528883
申请日：2007-08-21
申请人：富士通株式会社
发明人：浩一神田 , 拓司山本
IPC分类号： H03F1/48 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/607 , H03F3/211 , H03F3/45183 , H03F2200/255 , H03F2200/423 , H03F2203/45548 , H03F2203/45554 , H03F2203/45631 , H03F2203/45706

3. 发明专利

JP2005184409A Semiconductor integrated circuit device for communication and electronic component equipped with the same 审中-公开
标题翻译：用于通信的半导体集成电路装置和配备其的电子元件
公开(公告)号：JP2005184409A
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：JP2003421726
申请日：2003-12-19
申请人： Renesas Technology Corp , 株式会社ルネサステクノロジ
发明人： MATSUI HIROAKI , YAMAWAKI DAIZO , ITO MASAHIRO , YOKOTA MASAKATSU
IPC分类号： H03G11/00 , H03F1/32 , H03F1/52 , H03F3/195 , H03F3/45 , H03F3/72 , H03G3/10 , H03G3/30 , H04B1/44
CPC分类号： H03F3/45286 , H03F1/3211 , H03F1/52 , H03F3/195 , H03F3/72 , H03F2200/09 , H03F2200/111 , H03F2203/45638 , H03F2203/45704 , H03F2203/45706 , H03G3/3042
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a downsized semiconductor integrated circuit device (high frequency IC) for communication with a function of applying differential-single conversion to a transmission signal while suppressing deterioration in harmonic suppression characteristics and outputting the result and to provide an electronic component (high frequency module) mounted with the semiconductor integrated circuit device.
SOLUTION: In the semiconductor integrated circuit device (high frequency IC) provided with a limiter for amplifying the transmission signal subjected to modulation and up-conversion and supplying the amplified signal to a power amplifier, collectors or drains of differential transistors (Q1, Q2) configuring the limiter are connected to an output terminal and a means for reducing the impedance of the transistor continuously supplying a current to the output terminal or the transistor not conductive even when either of the transistors is brought into a non-conductive state in response to an input signal, for example, an unbalanced reduction means comprising differential MOS transistors (M1, M2) is provided in parallel with the transistors (Q1, Q2).
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于通信的小型化半导体集成电路器件（高频IC），其具有对抑制特性进行差分单转换同时抑制谐波抑制特性的劣化并输出结果的功能，并提供安装有半导体集成电路器件的电子部件（高频模块）。解决方案：在具有限制器的半导体集成电路器件（高频IC）中，用于对经过调制和上变频的发送信号进行放大并将放大的信号提供给功率放大器，差分晶体管的集电极或漏极（Q1 ，Q2）构成限制器连接到输出端子，以及用于减小连续地向输出端子提供电流的晶体管的阻抗或晶体管不导通的装置，即使当晶体管中的任一个处于非导通状态时与晶体管（Q1，Q2）并联地提供对输入信号的响应，例如包括差分MOS晶体管（M1，M2）的不平衡减少装置。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

4. 发明专利

JP2012227568A Differential amplification circuit 审中-公开
标题翻译：差分放大电路
公开(公告)号：JP2012227568A
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：JP2011090454
申请日：2011-04-14
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： SHIRAI NORIAKI
IPC分类号： H03F3/45 , H03F3/191
CPC分类号： H03F3/45 , H03F3/45179 , H03F3/45183 , H03F3/72 , H03F2203/45394 , H03F2203/45554 , H03F2203/45608 , H03F2203/45631 , H03F2203/45638 , H03F2203/45701 , H03F2203/45702 , H03F2203/45706 , H03F2203/45726
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a differential amplification circuit that suppresses and reduces only second harmonics in a small circuit area without causing gain changes in fundamental frequency.SOLUTION: The differential amplification circuit includes: two MOS transistors Tr1, Tr2 forming a differential pair to input differential signals S, XS; two capacitance elements C1, C2 connected in series between drains of the two MOS transistors Tr1, Tr2; and an inductance element L1 connected between a connection node of the two capacitance elements C1, C2 and a bias power terminal GND.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种差分放大电路，其抑制和减小小电路区域中的二次谐波而不引起基频的增益变化。解决方案：差分放大电路包括：形成差分对的两个MOS晶体管Tr1，Tr2，以输入差分信号S，XS; 串联连接在两个MOS晶体管Tr1，Tr2的漏极之间的两个电容元件C1，C2; 以及连接在两个电容元件C1，C2的连接节点和偏置电源端子GND之间的电感元件L1。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2009519656A Improved low noise amplifier 审中-公开
公开(公告)号：JP2009519656A
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：JP2008545136
申请日：2006-12-14
申请人：ディブコム
发明人：ヨナスイェンソン、 , マルティンサンデン、
IPC分类号： H03F3/191 , H03F1/56 , H03F3/45
CPC分类号： H03F3/193 , H03F1/26 , H03F3/45183 , H03F2200/372 , H03F2203/45704 , H03F2203/45706
摘要：高周波信号のための増幅器１０は、周波数の第１の範囲内で信号を増幅するようにされている回路を含み、この回路はまた、同時に、周波数の第２の範囲内で信号を減衰させるようにされていることを特徴とする。

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