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1. 发明专利

JP5606090B2 Method for digital programmable optimization of mixed-signal circuit 有权
公开(公告)号：JP5606090B2
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：JP2010027440
申请日：2010-02-10
申请人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド
发明人：ポール・エス・フェチナー
IPC分类号： H03K19/094 , H03K19/173
CPC分类号： G05F1/46 , H03F1/301 , H03F1/304 , H03F2200/366

2. 发明专利

JP4756843B2 Transistor circuit 有权
公开(公告)号：JP4756843B2
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：JP2004293006
申请日：2004-10-05
申请人：パナソニック株式会社
发明人：克彦川島 , 慎吾松田 , 弘和牧原 , 一樹立岡
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/331 , H01L21/822 , H01L21/8222 , H01L27/04 , H01L29/73 , H03F1/52 , H03F3/19 , H03F3/21
CPC分类号： H03F1/302 , H03F3/191 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F2200/243 , H03F2200/366 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2203/21133

3. 发明专利

JP4719044B2 Amplifier circuit 有权
公开(公告)号：JP4719044B2
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：JP2006078522
申请日：2006-03-22
申请人：株式会社東芝
发明人：水優清
IPC分类号： H03G3/02 , H03F3/45 , H03G3/10
CPC分类号： H03G1/0029 , H03F3/45179 , H03F3/72 , H03F2200/366 , H03F2200/72 , H03F2200/91 , H03F2203/7206 , H03F2203/7236

4. 发明专利

JP4700705B2 Signal reproducer 有权
公开(公告)号：JP4700705B2
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：JP2008050389
申请日：2008-02-29
申请人：独立行政法人科学技術振興機構
发明人：誠也葛西
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F3/211 , H03F2200/162 , H03F2200/366 , H03F2200/372 , H03F2200/375

5. 发明专利

JPWO2008068809A1 高周波増幅器有权
公开(公告)号：JPWO2008068809A1
公开(公告)日：2010-03-11
申请号：JP2008548105
申请日：2006-11-30
申请人：三菱電機株式会社
发明人：森　一富 , 一富森 , 和宏弥政 , 和宏弥政 , 太田　彰 , 彰太田 , 紫村　輝之 , 輝之紫村 , 正敏中山 , 正敏中山
IPC分类号： H03F3/19 , H03F1/02 , H03F3/21
CPC分类号： H03F1/0277 , H03F1/565 , H03F3/191 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/318 , H03F2200/366 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2200/456 , H03F2203/7233 , H03F2203/7236 , H03H7/38
摘要：素子サイズの異なる2つの増幅素子を並列に接続し、出力電力の大小に応じて増幅素子を切替える高周波増幅器であって、特に、出力電力が大きい場合と小さい場合のいずれの場合でも、特性インピーダンス(50オーム)に整合するとともに、2つの増幅素子の出力側の接続点からOFFしている増幅素子を見たインピーダンスを高くする出力整合回路を設けた。その結果、高出力、高効率の特性を実現することができ、また、増幅された高周波信号がOFFしている増幅素子側の整合回路に回りこむことを抑えることができるという効果を奏する。

6. 发明专利

JP2009212551A Signal reproducing unit 有权
标题翻译：信号再现单元
公开(公告)号：JP2009212551A
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：JP2008050389
申请日：2008-02-29
申请人： Japan Science & Technology Agency , 独立行政法人科学技術振興機構
发明人： KASAI SEIYA
IPC分类号： H03F1/26
CPC分类号： H03F3/211 , H03F2200/162 , H03F2200/366 , H03F2200/372 , H03F2200/375
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To detect a minute electric signal buried in noise by a simple device configuration, and to reduce area of a device easily by utilizing a semiconductor device especially.
SOLUTION: A signal reproducing unit 1 has: N pieces of FETs 6
1 -6
N having a gate terminal for receiving a common input signal V
IN and a drain terminal to which a bias voltage V
DD is applied; and an adder circuit 4 that is connected to the source terminals of the FETs 6
1 -6
N and composites current between the drain and source terminals of the FETs 6
1 -6
N for output. The FETs 6
1 -6
N and the bias voltage V
DD are set so that the voltage of the gate terminal to which the common input signal V
IN has been applied reaches a subthreshold region smaller than the threshold voltages of the FETs 6
1 -6
N .
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过简单的器件配置来检测埋入噪声的微小电信号，并且通过利用半导体器件容易地减小器件的面积。解决方案：信号再现单元1具有：具有用于接收公共输入信号V IN的栅极端子的N个FET6 1 -6 N 和施加偏置电压V SB SB的漏极端子; 以及加法电路4，其连接到FET 6的源极端子，并且在FET 6的漏极和源极端子之间合成电流。 1 -6 N 。设置FET6S1〜SB6，将偏置电压V SB> DD 设定成使公共输入信号的栅极端子的电压已经施加的V IN 达到小于FET6S -6 N 的阈值电压的亚阈值区域。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP3830724B2 amplifier 有权
公开(公告)号：JP3830724B2
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：JP2000123007
申请日：2000-04-24
申请人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
发明人：デイビッドディマ
IPC分类号： H03F1/32 , H03F3/68 , H03F1/02 , H03F3/45 , H03F3/60 , H03F3/72
CPC分类号： H03F3/45475 , H03F1/0277 , H03F3/605 , H03F3/72 , H03F2200/366 , H03F2200/75 , H03F2203/45101 , H03F2203/45138

8. 发明专利

JP2003502896A Reduce the parasitic oscillation was transistor amplifier 有权
公开(公告)号：JP2003502896A
公开(公告)日：2003-01-21
申请号：JP2001504069
申请日：2000-06-09
申请人：レイセオン・カンパニー
发明人：ティーター，ダグラス・エイ , プラッツカー，アリエ
IPC分类号： H03F3/21 , H03F1/08 , H03F3/195 , H03F3/68
CPC分类号： H03F1/083 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F2200/366 , H03F2200/75
摘要： (57)【要約】複数のトランジスタセル（１５”）を有するトランジスタデバイス（１２”）。セルのそれぞれ１つは、半導体を通るキャリアの流れを制御する制御電極（１７）を有する。デバイス（１２”）は、入力ノード（２０”）を有する。複数のフィルタ（１８”）が設けられる。フィルタ（１８”）のそれぞれ１つは、入力ノード（２０”）と、複数のトランジスタセル（１５”）の制御電極（１７）のうちの対応する１つとの間に結合されている。本発明の１実施形態において、対になった制御電極（１７）が共通領域に接続され、フィルタ（１８”）のそれぞれ１つは、入力ノード（２０”）と、共通領域のうちの対応する１つとの間に結合されている。半導体によって、複数のトランジスタセル（１５”）の共通活性領域が提供される。フィルタ（１８”）のそれぞれ１つは、導電層（４０）と、導電層（４０）上に配置された誘電層（４２）と、誘電層（４２）の上に配置された抵抗層（４４）と、抵抗層（４４）の第１の部分（５０）に電気的に接触するように配置され入力ノードを提供する導電電極（４６）と、抵抗層（４４）の第１の部分（５０）から離れた抵抗層（４４）の第２の部分（５４）と電気的に接触するコネクタ（５２）であって、誘電体を通り第１の導体（４０）と電気的に接触するコネクタとを含む。

9. 发明专利

JP2018032915A 高周波増幅器モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2018032915A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016162376
申请日：2016-08-23
申请人：株式会社村田製作所
发明人：中嶋礼滋
IPC分类号： H03F3/213 , H03F3/24
CPC分类号： H03F1/302 , H01L23/48 , H01L29/41708 , H01L29/737 , H03F1/0205 , H03F1/0261 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/195 , H03F2200/222 , H03F2200/366 , H03F2200/387
摘要：【課題】必要とされる出力信号レベルが高くても、特性劣化を抑制し、優れた放熱性を実現する。【解決手段】高周波増幅器モジュール10は、半導体基板200と絶縁性基板80とを備える。半導体基板200は、複数の高周波増幅用トランジスタ21、22、23、24のエミッタがそれぞれに接続された複数のエミッタ用電極Pe21、Pe22、Pe23、Pe24を備える。絶縁性基板80は、共通グランド電極810、グランド用端子電極820、および、厚み方向接続電極701、702、703を備える。共通グランド電極810は、表面または該表面付近に形成され、複数のエミッタ用電極Pe21、Pe22、Pe23、Pe24が接合されている。グランド用端子電極820は、絶縁性基板80の裏面に形成されている。厚み方向接続電極701、702、703は、共通グランド電極810とグランド用端子電極820を接続している。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2017531407A 電力増幅器において供給感度を低減するための回路および方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017531407A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2017521136
申请日：2015-10-13
申请人：クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated , クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated
发明人：スクデリ、アントニーノ , ハドジクリストス、アリストテール
IPC分类号： H03F1/30 , H03F1/02 , H03F3/68
CPC分类号： H03F3/19 , H03F1/223 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/211 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/231 , H03F2200/234 , H03F2200/249 , H03F2200/252 , H03F2200/321 , H03F2200/366 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/42 , H03F2200/432 , H03F2200/451 , H03F2200/522 , H03F2200/555 , H03F2200/61 , H03F2200/75 , H03F2203/21106 , H03F2203/21136 , H03F2203/21139 , H03F2203/21142 , H03F2203/21178 , H03F2203/7215 , H03F2203/7236 , H03G1/0029 , H03G1/0088 , H03G3/001 , H03G3/007 , H03G3/3042
摘要：一実施形態において、本開示は、入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する第1の電力増幅器のステージを備える回路を含み、第1の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける。回路は、入力信号を受けるための入力と、出力ノードに結合された出力とを有する、第1の電力増幅器のステージと並列に構成される第2の電力増幅器のステージをさらに含み、第2の電力増幅器のステージは、時変電源電圧を受ける。第1の電力増幅器のステージの第1の利得は、電源電圧が第1の低電圧範囲にあるとき減少し、および第2の電力増幅器のステージの第2の利得は、第1の低電圧範囲における第1の電力増幅器のステージの減少する利得を補う。

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