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1. 发明专利

JP2015177069A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015177069A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052765
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：安本恭章 , 梁瀬直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 斉藤泰伸 , 仲敏行 , 吉岡啓 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 増子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 湯元美樹 , 飯田敦子 , 村上友佳子 , もたい貴子
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/408 , H01L29/423 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】電気特性の変動が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層と、GaN系半導体層上に設けられるソース電極と、GaN系半導体層上に設けられるドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間の、GaN系半導体層上に設けられるゲート電極と、ゲート電極とドレイン電極との間に、GaN系半導体層に接して設けられる第1の導電層と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制电特性波动的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：GaN基半导体层; 安装在GaN基半导体层上的源电极; 安装在GaN基半导体层上的漏电极; 安装在GaN基半导体层上的栅电极，在源电极和漏电极之间; 以及在栅电极和漏电极之间安装与GaN基半导体接触的第一导电层。

2. 发明专利

JP2016058691A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016058691A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014186385
申请日：2014-09-12
申请人：株式会社東芝
发明人：内原士 , 齋藤渉 , 安本恭章 , 梁瀬直子
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/402 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/2003
摘要：【課題】高耐圧の半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、化合物半導体層と、絶縁部と、第1導電部と、を含む。前記第1導電部は、第1方向において前記化合物半導体層と離間した複数の導電領域を含む。前記絶縁部は、前記化合物半導体層と前記第1導電部との間に設けられる。前記化合物半導体層と前記複数の導電領域のそれぞれとの間の前記第1方向に沿う距離は、前記化合物半導体層と離れるに従って長くなる。前記複数の導電領域のそれぞれの前記第1方向と交差する第2方向に沿う長さは、前記化合物半導体層と離れるに従って長くなる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高击穿电压的半导体器件。解决方案：实施例的半导体器件包括化合物半导体层，绝缘部分和第一导电部分。第一导电部件包括在第一方向上与化合物半导体层一定距离地布置的多个导电区域。绝缘部分设置在化合物半导体层和第一导电部分之间。化合物半导体层与沿着第一方向的多个导电区域之间的距离随着离化合物半导体层的距离的增加而增加。沿着与第一方向交叉的第二方向的多个导电区域的长度随着离化合物半导体层的距离的增加而增加。图1

3. 发明专利

JP5845201B2 半導体装置および歪監視装置有权
标题翻译：半导体装置及应变监测设备
公开(公告)号：JP5845201B2
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：JP2013057711
申请日：2013-03-21
申请人：株式会社東芝
发明人：安本恭章 , 梁瀬直子 , 尾原亮一 , 増子真吾 , 佐野賢也 , 垣内頼人 , 野田隆夫 , 飯田敦子
IPC分类号： H01L27/04 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： G01L1/2293 , H01L24/05 , H01L27/0738 , H01L28/24 , H01L29/7803 , H01L29/1608 , H01L2924/13055

4. 发明专利

JP2016058648A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016058648A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014185571
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社東芝
发明人：安本恭章 , 梁瀬直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 斉藤泰伸 , 藤本英俊 , 古川大 , 八木恭成 , 湯元美樹 , 飯田敦子 , 村上友佳子
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L29/04 , H01L29/0692 , H01L29/41741 , H01L29/7789 , H01L29/7813 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/4236
摘要：【課題】信頼性の向上が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、第1電極と、第2電極と、第3電極と、窒化物半導体層と、を含む。前記第1電極は、第1面を含む。前記第2電極は、第2面を含む。前記第2面は、凸部及び凹部の少なくともいずれかが複数設けられる。前記第2電極は、第1方向において前記第1電極と離間して設けられる。前記第3電極は、前記第1方向と交差する第2方向において前記第1電極と離間して設けられる。前記窒化物半導体層は、前記第1面と前記第2面との間、及び、前記第3電極と前記第2面との間に設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高可靠性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括第一电极，第二电极，第三电极和氮化物半导体层。第一电极包括第一表面。第二电极包括第二表面。在第二表面上设置有多个凸部和多个凹部中的至少任一个。第二电极设置成在第一方向上与第一电极分离。第三电极设置成在与第一方向交叉的第二方向上与第一电极分离。氮化物半导体层设置在第一表面和第二表面之间以及第三电极和第二表面之间。选择的图示：图1

5. 发明专利

JP2015177067A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015177067A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052751
申请日：2014-03-14
申请人：株式会社東芝
发明人：安本恭章 , 梁瀬直子 , 阿部和秀 , 内原士 , 斉藤泰伸 , 仲敏行 , 吉岡啓 , 小野祐 , 大野哲也 , 藤本英俊 , 増子真吾 , 古川大 , 八木恭成 , 湯元美樹 , 飯田敦子 , 村上友佳子 , 鈴木良和
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/786 , H01L27/095
CPC分类号： H01L28/20 , H01L27/0605 , H01L27/0617 , H01L27/0629 , H01L29/205 , H01L29/66522 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H03H9/02566 , H01L27/092 , H01L29/2003
摘要：【課題】GaN系半導体を用いた共振子を備える半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、GaN系半導体層12と、GaN系半導体層12の一部を圧電層として共振する共振子14と、GaN系半導体層12の一部をチャネル層とするトランジスタ22と、を備え、共振子14が、GaN系半導体層12上に設けられる櫛型電極20を有する。また、トランジスタ22がゲート電極を有し、ゲート電極と櫛型電極20とが同一材料で形成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有使用GaN基半导体的谐振器的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：GaN基半导体层12; 谐振器14，其使作为压电层的GaN基半导体层12的一部分共振; 以及使用GaN基半导体层12的一部分作为沟道层的晶体管22。谐振器14具有安装在GaN基半导体层12上的梳状电极20.晶体管22具有栅电极，并且栅电极和梳状电极20由相同的材料形成。

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