专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

KR20210026529A KR20210026529A - Capacitor and method for manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：KR20210026529A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020190107440A
申请日：2019-08-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이명수 , 박철환 , 안치홍
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/02 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10808 , H01L28/75 , H01L28/57 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/76822 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/1085 , H01L28/91 , H01L27/10852 , H01L2924/0104
摘要： 본 기술은 고유전율 및 낮은 누설전류를 갖는 캐패시터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 본 기술에 따른 캐패시터는, 제1도전층; 제2도전층; 상기 제1도전층과 제2도전층 사이의 유전층 스택; 상기 유전층 스택과 제2도전층 사이의 절연성 계면층; 및 상기 절연성 계면층과 제2도전층 사이의 고일함수 계면층을 포함할 수 있다.

2. 发明专利

JPWO2016181865A1 コンデンサおよびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016181865A1
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2017517891
申请日：2016-04-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：神凉康一 , 井上徳之 , 佐伯洋昌 , 荒川建夫 , 服部和生 , 伊藤賢
IPC分类号： H01G9/04 , H01G4/33 , H01G9/00 , H01G9/012
CPC分类号： H01G9/15 , H01G4/10 , H01G4/12 , H01G4/33 , H01G9/0032 , H01G9/0036 , H01G9/012 , H01G9/028 , H01G9/26 , H01L28/75
摘要：本発明は、多孔部を有する導電性金属基材と、多孔部上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成り、一方の主面側にのみ静電容量形成部を有するコンデンサを提供する。

3. 发明专利

JP2017513218A コンデンサ構造审中-公开
公开(公告)号：JP2017513218A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016558743
申请日：2015-03-25
申请人：アイピーディーアイエイ
发明人：ヴォワロンフレデリック , ヴォワロンフレデリック , トゥナイロージャン−ルネ , トゥナイロージャン−ルネ
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/33
CPC分类号： H01L28/91 , H01L25/074 , H01L28/65 , H01L28/75 , H01L29/66181 , H01L29/945 , H01L2224/16145
摘要：本発明は、第1及び第2面(6,8)を有するシリコン基板(4)、二重金属−絶縁体−金属トレンチコンデンサ(10)を具えたコンデンサ構造(2)に関するものであり、このトレンチコンデンサは、基礎電極(12)、絶縁層(16,20)、第2及び第3導電層(18,22)を含み、基礎電極(12)に結合された第2パッド(26)及び第4パッド(30)、互いに結合された第1パッド(24)及び第3パッド(28)を具え、第1パッド(24)は第2パッド(26)と同じ基板面上に配置され、第3パッド(28)は第4パッド(30)と同じ基板面上に配置され、第3パッド(28)は第2導電層(18)に結合され、この第2導電層(18)は反対側の第2面(8)と同一面を成すか第2面から突出する。

4. 发明专利

JPWO2014069316A1 エレクトロルミネッセンス基板およびその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示パネル、エレクトロルミネッセンス表示装置有权
标题翻译：电致发光基板及其制造方法，电致发光显示面板，电致发光显示装置
公开(公告)号：JPWO2014069316A1
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2014544455
申请日：2013-10-24
申请人：シャープ株式会社
发明人：泰高丸 , 泰高丸
IPC分类号： G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/28
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3265 , H01L28/75 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L51/0018 , H01L51/0023 , H01L51/5206 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2251/303
摘要： EL基板はゲート絶縁膜(14)上にTFT(20,30)の半導体層(22,32)と画素電極(51)とCs部(40)の上部電極(42)とを備え、半導体層(22,32)は画素電極(51)と上部電極(42)とを露出させる開口部(17a,17b)を有する保護膜(17)で覆われ、半導体層(22,32)は酸化物半導体層(15)であり、画素電極(51)と上部電極(42)とは酸化物半導体層(15)の還元電極である。
摘要翻译： EL基板和所述半导体层（22，32）和像素电极（51）的上电极（42）和所述TFT的栅极绝缘膜在CS部分（20，30）（14）（40），半导体层（ 22，32）覆盖有开口，用于暴露所述像素电极（51）和上部电极（42）（图17A，保护膜（17 17B）），半导体层（22，32）是氧化物半导体层（15），和像素电极（51）和上部电极（42）是在氧化物半导体层（15）的还原电极。

5. 发明专利

JP2016072454A 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法，衬底加工单元和程序
公开(公告)号：JP2016072454A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014200885
申请日：2014-09-30
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：小川有人
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/28088 , H01L21/28185 , H01L21/28229 , H01L28/75 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
摘要：【課題】EOT変動要因を抑制しつつ高い仕事関数を確保する技術を提供する。【解決手段】絶縁膜が形成された基板上に中間膜を形成する工程と、中間膜上に金属膜を形成する工程と、を有し、中間膜を金属膜よりも酸化され易く、金属膜よりも薄い膜で構成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过抑制等效氧化物厚度（EOT）可变因子来确保高功函数的半导体器件的制造方法。解决方案：制造方法包括以下步骤：在基板上形成中间层，形成绝缘膜; 并在中间层上形成金属膜。中间层由比金属膜更薄且更易于氧化的膜形成。选择图：图1

6. 发明专利

JP2016039247A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016039247A
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2014161461
申请日：2014-08-07
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：齋藤仁 , 王文生
IPC分类号： H01L27/105 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L28/75 , H01L27/0629 , H01L27/11507 , H01L27/11509 , H01L28/87
摘要：【課題】平滑用キャパシタの漏れ電流を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成された下地100と、下地100に形成された導電プラグ104と、下地100に設けられたメモリセル領域と、キャパシタ161を備え、メモリセル領域に接続された論理回路領域と、が含まれる。キャパシタ161には、下面の一部が導電プラグ104に接する下部電極101と、下部電極101上の絶縁膜102と、絶縁膜102上の上部電極103と、が含まれる。上部電極103は、平面視で、導電プラグ104から離間している。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制平滑电容器的漏电流的半导体器件及其制造方法。解决方案：半导体器件包括：形成在半导体衬底上的基底100; 形成在基座100中的导电插头104; 设置在基座100中的存储单元区域; 以及包括电容器161并与存储单元区域连接的逻辑电路区域。电容器161包括：下电极101，其中下表面的一部分与导电插塞104接触; 下电极101上的绝缘膜102; 以及在绝缘膜102上的上电极103.上电极103在平面图中与导电插头104分离。选择图：图2

7. 发明专利

JP5883263B2 半導体デバイスで使用する金属−絶縁体−金属キャパシタの製造方法有权
标题翻译：金属用在半导体器件 - 绝缘体 - 用于生产金属电容器的方法
公开(公告)号：JP5883263B2
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2011210350
申请日：2011-09-27
申请人：アイメック , IMEC
发明人：ミハエラ・イオアナ・ポポヴィッチ , ヨハン・スウェルツ , ジョージ・キットル , スフェン・ファン・エルショッホト
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L21/02175 , C23C16/405 , C23C16/45527 , H01L21/02186 , H01L21/022 , H01L21/02244 , H01L21/0228 , H01L28/40 , H01L28/65 , H01L28/75

8. 发明专利

JP5828293B2 PZT強誘電体薄膜の製造方法有权
标题翻译：制造PZT强电介质薄膜的方法
公开(公告)号：JP5828293B2
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：JP2012073404
申请日：2012-03-28
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：渡辺敏昭 , 桜井英章 , 曽山信幸 , 土井利浩
IPC分类号： H01L27/105 , H01L41/187 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L21/316 , H01B3/00 , H01B3/12 , H01L21/8246
CPC分类号： H01L41/1876 , C30B1/023 , C30B29/16 , H01L21/02186 , H01L21/02194 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L29/516 , H01L35/22 , H01L35/34 , H01L41/0815 , H01L41/318 , H01L41/319 , H01L21/28291 , H01L28/65 , H01L28/75 , Y10T428/249921 , Y10T428/25 , Y10T428/26 , Y10T428/265

9. 发明专利

JP5774708B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5774708B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2013529811
申请日：2011-08-24
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：冨田和朗 , 山田圭一
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/016 , H01L23/5223 , H01L23/5286 , H01L23/585 , H01L27/0248 , H01L27/0805 , H01L28/40 , H01L28/75 , H01L28/86 , H01L2924/0002

10. 发明专利

JP2015133424A 電子部品の製造方法审中-公开
标题翻译：电子元件制造方法
公开(公告)号：JP2015133424A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2014004537
申请日：2014-01-14
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：野中康紀
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
CPC分类号： H01L28/65 , H01L23/5223 , H01L23/53252 , H01L28/75 , H01L2924/0002
摘要：【課題】上部電極と下部電極の間の耐圧低下及び短絡を抑制すること。【解決手段】基板10上に下部電極16を形成する工程と、下部電極16上に誘電体膜18を形成する工程と、誘電体膜18上にAuを含む上部電極20を形成する工程と、上部電極20の上面及び下面の少なくとも一方に、上部電極20よりも融点が高い高融点金属層24を形成する工程と、下部電極16、誘電体膜18、上部電極20、及び高融点金属層24を覆う第2絶縁膜26を形成する工程と、第2絶縁膜26をドライエッチングし上部電極20又は高融点金属層24を露出する開口28を形成する工程と、を有する電子部品の製造方法。【選択図】図2E
摘要翻译：要解决的问题：抑制上电极和下电极之间的耐受电压降低和短路。电子部件制造方法包括：在基板10上形成下电极16的工序; 在下部电极16上形成电介质膜18的工序; 在电介质膜18上形成含Al的上部电极20的工序; 在上部电极20的上表面和下表面的至少一个上形成熔点高于上部电极20的熔点的高熔点金属层24的工序; 形成用于覆盖下电极16，上电极20和高熔点金属层24的第二绝缘膜26的工艺; 以及干法蚀刻第二绝缘膜26以形成开口28以暴露上电极20或高熔点金属层24的工艺。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式