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1. 发明专利

KR20210031398A KR20210031398A - Deposition mask and method for manufacturing of deposition mask 审中-公开
公开(公告)号：KR20210031398A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：KR1020200114715A
申请日：2020-09-08
申请人： 가부시키가이샤 재팬 디스프레이
发明人： 준 후지요시
IPC分类号： C23C14/04 , C25D1/10 , H01L51/00 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/0011 , C23C14/042 , C25D1/10 , H01L51/0018 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要： 본 발명의 일 실시 형태에 따른 증착 마스크는, 제1 면과, 제1 면과 반대측의 제2 면을 갖는 마스크 본체와, 제1 면에 접속되는 보유 지지 프레임을 갖고, 마스크 본체는, 개구를 갖는 마스크 패턴 영역과, 마스크 패턴 영역을 둘러싸고, 제2 면측에 구멍부 또는 오목부를 갖는 주변 영역이 마련된다.

2. 发明专利

JP2018521459A 有機層の高分解能パターニングのための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018521459A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2017561999
申请日：2016-06-27
申请人：アイメック・ヴェーゼットウェー , IMEC VZW , 富士フイルム株式会社
发明人：ク・トゥン・フエイ , パヴェウ・マリノフスキー , 中村敦
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/12 , H01L51/48 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L51/0085 , H01L51/0508 , H01L51/42 , H01L51/56 , Y02E10/549
摘要：有機電子デバイスの有機半導体層のような、有機層をフォトリソグラフィパターニングする方法が提供され、この方法は、有機層の上に水溶性遮蔽層を設けるステップと、遮蔽層上にフォトレジスト層を設けるステップと、フォトレジスト層をフォトリソグラフィパターニングし、それによってパターン化フォトレジスト層を形成するステップと、パターン化フォトレジスト層をマスクとして使用して遮蔽層および有機層をエッチングし、それによって、パターン化遮蔽層およびパターン化有機層を形成するステップと、その後、パターン化遮蔽層を除去するステップと、を含む。この方法は、水溶性遮蔽層を設ける前に、有機層上に疎水性上面を有する疎水性保護層を設けるステップを含むことを特徴とする。

3. 发明专利

JPWO2016175220A1 積層体およびキット审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016175220A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：JP2017515563
申请日：2016-04-27
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：増田誠也 , 加持義貴 , 中村敦
IPC分类号： B32B27/30 , B32B27/08 , B32B27/28 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11
CPC分类号： H01L51/0018 , B32B27/30 , B32B2309/105 , B32B2457/14 , C08F220/28 , C08F2220/281 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/32 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要：有機半導体膜、水溶性樹脂層および感光性樹脂層を有する積層体であって、クラックが発生しにくい積層体、ならびに、キットの提供。有機半導体膜上に、水溶性樹脂を含む水溶性樹脂層と感光性樹脂を含む感光性樹脂層とをこの順に含み、かつ、水溶性樹脂層と感光性樹脂層が隣接しており、水溶性樹脂は、重量平均分子量300,000以上のポリビニルピロリドンおよび重量平均分子量15,000以上のポリビニルアルコールの少なくとも1種であり、感光性樹脂は、重量平均分子量が30,000以上である、積層体。

4. 发明专利

JP2017524258A 高解像度を有するＡＭＯＬＥＤバックプレートの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017524258A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2017506729
申请日：2014-08-21
申请人：深▲セン▼市華星光電技術有限公司 , 深▲せん▼市華星光電技術有限公司
发明人：徐源竣
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/002 , H01L27/3262 , H01L51/0018 , H01L51/56 , H01L2227/323
摘要：【課題】パネル表示装置の解像度を高める高解像度を有するAMOLEDバックプレートの製造方法を提供する。【解決手段】基板上に第1バッファ層を形成するステップと、該第1バッファ層上に低温ポリシリコン層を形成するステップと、該低温ポリシリコン層をパターン化してストレージキャパシタ領域とTFTソース/ドレイン領域とホール領域とを含むパターン化された低温ポリシリコン層を形成するステップと、該低温ポリシリコン層上にゲート電極絶縁層を形成し、その上に該TFTソース/ドレイン領域とストレージキャパシタ領域に対応するフォトレジストマスクを設け、かつ該低温ポリシリコン層に第1回目のp+イオンドープを行なうステップと、該ゲート電極絶縁層上にゲート電極金属層を形成し、パターン化してゲート電極を形成するとともに、該ゲート電極をハードマスクとしてパターン化した該低温ポリシリコン層に第2回目のp+イオンドープを行なうステップと、該ゲート電極上に第1絶縁層を形成され、コンタクト窓を介して該TFTソース/ドレイン領域において、第1回目と第2回目のp+イオンドープ部分を行った部分に接触するソース/ドレイン電極を形成するステップと、を含む。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2017524228A 有機ＥＬ素子のフォトリソグラフィによるパターン形成审中-公开
公开(公告)号：JP2017524228A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2017505655
申请日：2015-07-31
申请人：オーソゴナル,インコーポレイテッド
发明人：アンドリューデフランコ、ジョン , アンドリューデフランコ、ジョン , ロバートオトゥール、テレンス , ロバートオトゥール、テレンス
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/0016 , G03F7/0046 , G03F7/3021 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40 , G03F7/426 , H01L51/0018 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5096 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/56
摘要：費用対効果のよい、有機デバイスのパターン形成方法を提供する。本方法は、デバイス基板上に、正孔輸送機能または電子輸送機能のような第1の機能を有する第1の有機機能層を堆積させて、第1の中間構造を形成するステップを含む。この第1の中間構造は、フッ素ポリマでコーティングされ、処理済みの中間構造を形成するためにフッ素ポリマが可溶であるフッ素系溶媒を含む処理剤の中で処理される。第2の有機機能層が、前記第1の有機機能層の少なくとも一部の上に堆積される。該第2の有機機能層も又、第1の機能を持つ。

6. 发明专利

JP2017091693A 表示装置の製造方法及び表示装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017091693A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015217895
申请日：2015-11-05
申请人：株式会社ジャパンディスプレイ , Japan Display Inc
发明人： MIMURA HISAFUMI , WATABE MASAHIRO , SATO TOSHIHIRO
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/06 , H05B33/22
CPC分类号： H01L51/0018 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L51/5012 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , H01L2227/323
摘要：【課題】レーザアブレーションにより有機膜を除去する場合であっても、レーザ照射面積の増大が抑制される表示装置の製造方法及び表示装置を提供する。【解決手段】表示装置の製造方法は、複数の下部電極30が形成される表示領域A及び表示領域を囲む周辺領域Eを含む樹脂層23に、表示領域を囲んで樹脂層を分断する帯状の溝40を形成する工程と、樹脂層の上と溝の内側に、複数の下部電極の上に載るように、発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス層33を形成する工程と、少なくとも溝の底面に有機エレクトロルミネッセンス層の一部を島状に残し、溝の底面が表示領域を囲んで連続して露出するように、パルスレーザを照射して、有機エレクトロルミネッセンス層を除去する工程と、有機エレクトロルミネッセンス層の上に、上部電極34を形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス層を覆うように、封止層35を形成する工程と、を有する。【選択図】図4

7. 发明专利

JP2017510951A 並置された多層膜の高解像度パターン形成审中-公开
公开(公告)号：JP2017510951A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016558333
申请日：2015-03-28
申请人：アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw , アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw , 富士フイルム株式会社
发明人：中村　敦 , 敦中村 , トゥアン・フエイ・キー , パヴェル・マリノウスキー
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC分类号： H01L51/0016 , G03F7/0007 , H01L27/3206 , H01L27/3213 , H01L51/0018 , H01L51/56
摘要：単一の基板(10)上の第1の位置に第1のパターン形成済デバイス層、および基板(10)上の第2の位置に第2のパターン形成済デバイス層を備えたデバイスを製造する方法が提供される。この方法は、基板(10)上に第1の中間層(21)を積層するステップと、第1の位置にある第1の中間層(21)を除去するために、第1の中間層(21)をパターン形成するステップと、第1のデバイス層(31)を積層するステップと、第2の中間層(22)を積層するステップと、第2の位置にある第2の中間層(22)およびその下位層を除去するために、第2の中間層(22)およびその下位層をパターン形成するステップと、第2のデバイス層(32)を積層するステップと、後に、第1の位置に第1のパターン形成済デバイス層(311)および第2の位置に第2のパターン形成済デバイス層(321)を形成するために、第1のデバイス層(31)および第2のデバイス層(32)をパターン形成するステップとを有する。

8. 发明专利

JP5995477B2 有機EL表示装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5995477B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2012068006
申请日：2012-03-23
申请人：キヤノン株式会社
发明人：遠藤太郎 , 佐藤信彦 , ▲高▼谷格 , 廣木知之 , 石毛剛一 , 塩原悟 , 鎌谷淳 , 西出洋祐
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/10
CPC分类号： H05B37/00 , H01L51/0018 , H01L27/3211

9. 发明专利

JP5982146B2 有機発光構造物、有機発光構造物の製造方法、有機発光表示装置、及び有機発光表示製造方法有权
标题翻译：有机发光结构，制造有机发光结构，该OLED显示器的方法，以及一种有机发光显示器的制造方法
公开(公告)号：JP5982146B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2012066939
申请日：2012-03-23
申请人：三星ディスプレイ株式會社 , Samsung Display Co.,Ltd.
发明人：辛慧媛 , 李承默 , 朴商勳 , 金在福 , 金英一 , 河在国
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/22 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/0014 , H01L27/3246 , H01L51/0015 , H01L51/0016 , H01L51/0017 , H01L51/0018 , H01L51/0019 , H01L51/003 , H01L51/5056 , H01L51/56

10. 发明专利

JP2016521458A 有機電界効果トランジスタを製造する方法および有機電界効果トランジスタ有权
标题翻译：制造有机场效应晶体管和有机场效应晶体管的方法
公开(公告)号：JP2016521458A
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：JP2016509384
申请日：2014-04-15
申请人：ノヴァレッドゲーエムベーハー , ノヴァレッドゲーエムベーハー
发明人：クレーマン，ハンス , リュッセム，ブイェルン , レオ，カール , ギュンター，アルルン
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/057 , H01L51/0018 , H01L51/002 , H01L51/105 , H01L51/5296
摘要：本開示は、有機電界効果トランジスタを製造する方法に関する。当該方法は、基板上に、ゲート電極(1)、および、電気的絶縁のために上記ゲート電極(1)に設けられるゲート絶縁体(2)を形成する工程と、上記ゲート絶縁体(2)の上に、第1有機半導体層(3)を堆積する工程と、第1電極(4)、および、電気的絶縁のために上記第1電極(4)に設けられる電極絶縁体(5)を形成する工程と、上記第1有機半導体層(3)および上記電極絶縁体(5)の上に、第2有機半導体層(6)を堆積する工程と、第2電極(7)を形成する工程と、を含む。そして、当該方法は、(i)上記電極絶縁体(5)を有する上記第1電極(4)が、第1ドーピング材料層(13)の上に少なくとも部分的に形成されるように、上記第1電極(4)および上記電極絶縁体(5)の形成に先立ち、上記第1有機半導体層(3)の上に、上記第1ドーピング材料層(13)を形成する工程、および、(ii)上記第2電極(7)が、第2ドーピング材料層(14)の上に少なくとも部分的に形成されるように、上記第2電極(7)の形成に先立ち、上記第2有機半導体層(6)の上に、上記第2ドーピング材料層(14)を形成する工程のうちの少なくとも1つの工程をさらに含む。さらに、有機電界効果トランジスタが提供される。
摘要翻译：本发明涉及一种制造有机场效应晶体管的方法。该方法中，在基板上，一个栅电极（1）;以及形成设置在电气绝缘（2）中，栅极绝缘体栅极电极（1）的栅极绝缘体的步骤（2）过来，沉积第一有机半导体层（3），第一电极（4），而且，设置在所述电极绝缘部件，所述电绝缘第一电极（4）（5）形成，所述第一有机半导体层（3）和所述电极的绝缘体（5）上，沉积（6），形成了第二电极的第二有机半导体层（7）并且，包括。然后，该方法以至少部分地形成在（ⅰ）具有绝缘体（5）（4）中，第一掺杂材料层（13）在第一电极上的电极，所述第一之前的第一电极的形成（4）和所述电极的绝缘体（5），第一有机半导体层（3）上，形成第一掺杂材料层（13），和，（II）作为第二电极（7），它是第二掺杂材料层（14）之前，所述第二电极的形成（7），第二有机半导体层上至少部分地形成（6 上），还包括在所述第二掺杂材料层（14）的步骤中的至少一个步骤。此外，提供了有机场效应晶体管。

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