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1. 发明专利

JP2018514082A 高速通信のための集積導波管を有するパッケージ構造、半導体ウエハおよび導波管审中-公开
公开(公告)号：JP2018514082A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017549028
申请日：2016-02-15
申请人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：ダン、ビン , リウ、ドゥイシエン , プルーチャート、ジーン−オリヴァー , ヴァルデス−ガルシア、アルベルト
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/15 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01P3/12 , H01P5/08 , H01P5/12
CPC分类号： H01P5/107 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2223/6677 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/17181 , H01L2924/10253 , H01L2924/1421 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/19031 , H01L2924/19032 , H01L2924/19033 , H01L2924/19039 , H01P3/08 , H01P3/121 , H01P3/16 , H01P5/02 , H01P5/08 , H01P5/087 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H05K1/0243 , H05K2201/037 , H05K2201/10522
摘要：【課題】パッケージ・コンポーネント間の高速通信のための集積導波管を有するパッケージ構造、半導体ウエハおよび導波管を提供。【解決手段】本発明は、パッケージ・コンポーネント間の高速データ速度通信を可能にする集積導波管を有するパッケージ構造を含む。例えば、パッケージ構造は、集積導波管を有するパッケージ基板と、パッケージ基板に実装された第1および第2の集積回路チップとを含む。第1の集積回路チップは、第1の伝送線路−導波管変換部を使用して集積導波管に結合され、第2の集積回路チップは、第2の伝送線路−導波管変換部を使用して集積導波管に結合される。第1および第2の集積回路チップは、パッケージ・キャリア内で集積導波管を使用して信号を伝送することによって通信するように構成される。【選択図】図1

2. 发明专利

JPWO2008129923A1 高周波回路基板、高周波回路モジュールおよびレーダ装置有权
公开(公告)号：JPWO2008129923A1
公开(公告)日：2010-07-22
申请号：JP2009510811
申请日：2008-03-31
申请人：京セラ株式会社
发明人：佐々木　元 , 元佐々木 , 和樹早田 , 和樹早田
IPC分类号： H01L23/12 , H01P3/12 , H01P5/08 , H01Q23/00
CPC分类号： H01Q13/02 , G01S7/032 , H01L23/12 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2223/6616 , H01L2223/6633 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01079 , H01L2924/09701 , H01L2924/12033 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/19039 , H01P3/121 , H01Q25/00 , H05K1/0206 , H05K1/0207 , H05K1/0237 , H05K1/0298 , H05K2201/09309 , H05K2201/09618 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本発明は、設計の自由度が低下することなく、実装される電子部品に生じる熱を効率的に放熱することができる高周波回路基板、およびこの高周波回路基板を備える高周波回路モジュールならびにこの高周波回路モジュールを備えるレーダ装置に関する。誘電体基板(3)には、前記誘電体基板(3)の一表面(3a)に設けられ、電子部品(2)が搭載される搭載部(4)と、前記誘電体基板(3)に形成される導波管(5)とが設けられる。この搭載部(4)と導波管(5)とは、誘電体基板(3)の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する熱伝導体(6)によって接続される。

3. 发明专利

JP5636834B2 高周波回路用パッケージ及び高周波回路装置有权
标题翻译：高频电路封装件及一个高频电路器件
公开(公告)号：JP5636834B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2010203566
申请日：2010-09-10
申请人：富士通株式会社
发明人：増田　哲 , 哲増田
IPC分类号： H01P1/04 , H01L23/12 , H01P3/08 , H01P5/08
CPC分类号： H01L23/057 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49861 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/16152 , H01L2924/166 , H01L2924/167 , H01L2924/16787 , H01L2924/1903 , H01L2924/19033 , H01L2924/19039 , H01L2924/19107 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01P3/006 , H01P5/028 , H01L2924/00

4. 发明专利

JP5381732B2 High-frequency amplifier 有权
公开(公告)号：JP5381732B2
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：JP2010004272
申请日：2010-01-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：敏雄奥田
IPC分类号： H03F3/60
CPC分类号： H03F3/60 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2223/6644 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/1903 , H01L2924/19039 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F2200/423 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

5. 发明专利

JP2011146807A High frequency amplifier 有权
标题翻译：高频放大器
公开(公告)号：JP2011146807A
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：JP2010004272
申请日：2010-01-12
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： OKUDA TOSHIO
IPC分类号： H03F3/60
CPC分类号： H03F3/60 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2223/6644 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/1903 , H01L2924/19039 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H03F2200/423 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high frequency amplifier of a simple configuration operable in a plurality of frequency bands without the need for a control circuit for changing the matching conditions.
SOLUTION: The high frequency amplifier has: a package substrate; an amplifying active device disposed on a top surface of the package substrate; and a transmission line connected to the amplifying active device and transmitting a high frequency signal. It also has: a SMD component shunt-connected at one end to the transmission line; a SMD component terminal connected to the other end of the SMD component and partially exposed at a back surface of the package substrate; and an external terminal partially exposed on the back surface of the package substrate and connected to the opposite side end of the transmission line connected to the amplifying active device.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在多个频带中可操作的简单配置的高频放大器，而不需要用于改变匹配条件的控制电路。
解决方案：高频放大器具有：封装衬底; 设置在所述封装衬底的顶表面上的放大有源器件; 以及连接到放大有源器件并传输高频信号的传输线。它还具有：SMD组件在一端分流连接到传输线; SMD组件端子，连接到SMD组件的另一端并部分地暴露在封装衬底的背面; 以及外部端子，其部分地露出在封装基板的背面并连接到与放大有源器件连接的传输线的相对侧端。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JPWO2006001389A1 多層誘電体基板および半導体パッケージ有权
公开(公告)号：JPWO2006001389A1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2005518084
申请日：2005-06-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：鈴木　拓也 , 拓也鈴木
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/02
CPC分类号： H01P1/162 , H01L23/04 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2223/6633 , H01L2224/16 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/1616 , H01L2924/16195 , H01L2924/19039 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：基板上にキャビティ33を形成し、このキャビティ33内に半導体デバイス3を実装する多層誘電体基板2において、キャビティ33内の基板上に配される表層接地導体18に形成した開口部50と、開口部50を介してキャビティ33と電気的に結合する、信号波の基板内実効波長の略1/4の長さを有するインピーダンス変成器60と、信号波の基板内実効波長の略1/4の長さを有する先端短絡の誘電体伝送路80と、インピーダンス変成器60と誘電体伝送路80との接続部における内層接地導体に形成された結合開口65と、この結合開口65に形成される抵抗体70とを備え、電磁波の吸収効率を向上させることで、キャビティ共振を確実に抑制して半導体デバイスや伝送線路を安定に動作させるようにする。

8. 发明专利

JP2016139923A 高周波半導体増幅器有权
标题翻译：高频半导体放大器
公开(公告)号：JP2016139923A
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：JP2015013502
申请日：2015-01-27
申请人：株式会社東芝
发明人：高木一考
IPC分类号： H03F3/24 , H03F3/60
CPC分类号： H03F1/0205 , H01L23/66 , H01P5/028 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/217 , H01L2223/6611 , H01L2223/6633 , H01L2223/6655 , H01L2224/48091 , H01L2924/0002 , H01P1/24 , H01P1/28 , H03F2200/451 , H03F3/60
摘要：【課題】高い電力付加効率を有する高周波半導体増幅器を提供する。【解決手段】高周波半導体増幅器1は、入力端子10、入力整合回路12、高周波半導体増幅素子14、出力整合回路21及び出力端子18で構成される。出力整合回路は、電気長が72度から108度であり、特性インピーダンスが50Ωと比べて低い第1伝送線路111と、電気長が18度から27度であり、特性インピーダンスが第1伝送線路の特性インピーダンスよりも低い第2伝送線路112と、電気長が18度から27度であり、特性インピーダンスが第1伝送線路の特性インピーダンスよりも低く、高周波半導体増幅素子の負荷インピーダンスの抵抗成分よりも高い第3伝送線路113と、電気長が5度から10度であり、特性インピーダンスが高周波半導体増幅素子の負荷インピーダンスの抵抗成分と等しい第4伝送線路114と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高功率附加效率的高频半导体放大器。解决方案：高频半导体放大器1包括输入端10，输入匹配电路12，高频半导体放大器14，输出匹配电路 21和输出端子18.输出匹配电路具有第一传输线111，其中电长度范围为72度至108度且特征阻抗低于50Ω;第二传输线112，其中电长度范围从18度到27度，特征阻抗低于第一传输线的特性阻抗，电长度范围为18度至27度的第三传输线113，特性阻抗低于特性阻抗的第一传输线，并且高于负载阻抗的电阻分量高频半导体放大元件，第四传输线114，其中电长度范围为5度至10度，特征阻抗等于高频半导体放大元件的负载阻抗的电阻分量。图示：图 1

9. 发明专利

JP2015149649A ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置审中-公开
标题翻译： MILLIMETER波段半导体封装和MILLIMETER波导半导体器件
公开(公告)号：JP2015149649A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014022065
申请日：2014-02-07
申请人：株式会社東芝
发明人：高木一考
IPC分类号： H01P5/107 , H01P11/00 , H01P5/08
CPC分类号： H01P3/08 , H01L23/66 , H01P3/121 , H05K1/0237 , H05K1/115 , H05K1/181 , H01L2223/6627 , H01L2223/6633 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/1903 , H01P5/107
摘要：【課題】再現性に優れたミリ波帯用半導体パッケージを提供すること。【解決手段】実施形態に係るミリ波帯用半導体パッケージは、金属製の基体、回路基板、および金属製の蓋体、を具備する。前記基体は、第1の非貫通穴および第2の非貫通穴を有する。前記回路基板は、前記基体上に配置されており、表面には、入力用信号線路および出力用信号線路が設けられている。前記蓋体は、前記回路基板上に配置され、第1の貫通孔および第2の貫通孔を有する。この蓋体は、前記第1の貫通孔が前記基体の前記第1の非貫通穴の直上に配置されるとともに、前記第2の貫通孔が前記基体の前記第2の非貫通穴の直上に配置されるように前記回路基板上に配置される。そして、前記第1の貫通孔および前記第1の非貫通穴は第1の導波管を構成するとともに、前記第2の貫通孔および前記第2の非貫通穴は第2の導波管を構成する。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供具有优异的再现性的毫米波段半导体封装。解决方案：根据实施例的毫米波段半导体封装具有金属基底物质; 电路板; 和金属盖。该基础物质具有第一非通孔和第二非通孔。电路板布置在基体上，在其表面上设置用于输入的信号线和用于输出的信号线。盖子布置在电路板上，并具有第一通孔和第二通孔。盖子布置在电路板上，使得第一通孔布置在基体的第一非通孔的正上方，并且第二通孔布置在基体的第二非通孔的正上方。第一通孔和第一非贯通孔形成第一波导，第二通孔和第二非贯通孔形成第二波导。

10. 发明专利

JP2012526429A Converter from the chip to the waveguide port 有权
公开(公告)号：JP2012526429A
公开(公告)日：2012-10-25
申请号：JP2012508907
申请日：2009-05-08
申请人：テレフオンアクチーボラゲットエルエムエリクソン(パブル)
发明人：リガンデル、ペル
IPC分类号： H01P5/107 , H01L23/12 , H01P5/08
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/3121 , H01L23/49503 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6633 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01079 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/14215 , H01L2924/1423 , H01L2924/15156 , H01L2924/15159 , H01L2924/16153 , H01L2924/16251 , H01L2924/19039 , H01L2924/30107 , H01P5/107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本発明は、チップから導波管ポート（４７、４７'、１１）への変換器に関する。チップ（１、１'、６２）は、第１の主面（３、３'、６６）と第２の主面（４、４'、６７）とを有する。上記第１の主面（３、３'、６６）は、入力信号を受け取るように構成される少なくとも１つの入力ポート（３５、３６、３７、３８、３９）と、出力信号を出力するように構成される少なくとも１つの出力ポート（４４、４５、７２）と、少なくとも１つの電気的な機能性とを含む。上記ポート（４４、４５、７２、３５、３６、３７、３８、３９）のうちの１つのポート（４４、７２）は、当該１つのポート（４４、７２）から少なくとも部分的に上記導波管ポート（４７、４７'、７７）上に伸びるように構成される導電性のプローブ（４８、４８'、７３）と電気的に接続されて、それにより上記１つのポート（４４、７２）と上記導波管ポート（４７、４７'、７７）との間で信号が転送され得る。本発明は、対応するパッケージにも関する。
【選択図】図１ｃ

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