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2. 发明专利

JP6149932B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6149932B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2015529486
申请日：2014-07-08
申请人：富士電機株式会社
发明人：稲葉哲也
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/12 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/34
CPC分类号： H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107

3. 发明专利

JPWO2015016017A1 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JPWO2015016017A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015529486
申请日：2014-07-08
申请人：富士電機株式会社
发明人：哲也稲葉
IPC分类号： H01L23/34 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/293 , H01L23/3121 , H01L23/48 , H01L23/492 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/76265 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099
摘要：組立工程が少なく、製造コストが安く、信頼性の高い、小型の半導体装置を提供する。セラミックケース(11)のキャビティ(9,10)に半導体チップ(2)と導電板(1)を格納することで、パワー半導体装置(100)の占有面積を小さくすることができ、また、セラミックケース(11)に端子(6,7,8)を埋設させて、端子(6,7,8)を半導体チップ(2)、導電板(1)に接続することで、パワー半導体装置(100)の厚さを薄くすることができる。
摘要翻译：组装过程小，制造成本低，可靠性高，提供一种紧凑的半导体器件。通过存储在半导体芯片（2）的导电板（1）到陶瓷壳体（11）的所述腔体（9,10），有可能降低功率半导体设备（100）的占有面积，另外，在陶瓷的情况下（11）通过嵌入终端（6,7,8），半导体芯片（2）的终端（6,7,8），并连接到所述导电板（1），所述功率半导体设备（100）它能够降低厚度。

4. 发明专利

JP2016524339A 電子ハードウェアアセンブリ审中-公开
标题翻译：电子硬件装配
公开(公告)号：JP2016524339A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016522544
申请日：2014-06-27
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：デイビス，ナイジェル・クレメント , リーズ，デイビッド・ジョン
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/055 , H01L23/57 , H01L23/576 , H01L25/0657 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06558 , H01L2225/06568 , H01L2225/06582 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本発明は、少なくとも第1および第2の層状構成要素を含む電子ハードウェアアセンブリに関し、第1の層状構成要素はダイを含み、ダイは、基板、機能領域および第1の保護層を含み、第2の層状構成要素は第2の保護層を含み、第1の層状構成要素の機能領域が、アセンブリ内部で実質的に第1の保護層と第2の保護層との間に配置されるように、第1および第2の層状構成要素が積み重ねて構成される。
摘要翻译：本发明涉及一种电子硬件组件，其包括至少第一和第二层状元件，包括管芯所述第一层部件，所述管芯包括一基板，一功能区域和第一保护层，所述 2个组件包括第二保护层，所述第一层的功能区域的部件被认为是在第一保护层和所述组件内部的第二保护层之间基本上位于在通过堆叠的第一和第二层状部件构成。

5. 发明专利

JPWO2014017273A1 半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置有权
标题翻译：包装用于容纳半导体芯片及半导体装置
公开(公告)号：JPWO2014017273A1
公开(公告)日：2016-07-07
申请号：JP2014526839
申请日：2013-07-05
申请人：京セラ株式会社
发明人：真広辻野 , 真広辻野
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/08 , H01L23/40 , H01L33/64 , H01S5/022
CPC分类号： H01L23/055 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/3677 , H01L23/44 , H01L23/473 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01S5/02216 , H01S5/02469 , H01L2924/00
摘要：半導体素子収納用パッケージ3であって、上下に貫通する貫通孔Hを有するセラミック積層体31と、貫通孔Hに嵌められた、半導体素子2を実装する実装領域Rを有する放熱部材32を備えている。さらに、半導体素子収納用パッケージ3は、セラミック積層体31上に放熱部材32を取り囲むように設けられた枠体33と、セラミック積層体31の下面に設けられた、放熱部材32の下面を露出する開口部Aを有する金属基板34を備えている。
摘要翻译：一种包装用于容纳半导体芯片3，具有上下贯通的贯通孔H，装配到通孔H 31的陶瓷层叠体，并且包括热具有安装区域R散热构件32，用于安装半导体元件2 那里。此外，壳体3的半导体器件封装暴露与设置成包围所述热辐射构件32上的陶瓷层叠体31的框体33，设置在陶瓷层叠体31的下表面上，热的下表面散热构件32 和金属基板34具有开口一个。

6. 发明专利

JP2015084377A 電子部品、電子機器および電子部品の製造方法。有权
标题翻译：电子元件，电子设备和电子元器件的制造方法
公开(公告)号：JP2015084377A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2013222521
申请日：2013-10-25
申请人：キヤノン株式会社
发明人：片瀬悠 , 伊藤富士雄 , 小坂忠志 , 都築幸司 , 片岡一郎
IPC分类号： H01L27/14 , H01L23/02
CPC分类号： H05K7/2039 , H01L23/055 , H01L23/36 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L23/49822
摘要：【課題】電子デバイスで発生した熱の放熱性に優れた電子部品を提供する。【解決手段】電子デバイスと電子デバイスを収容する容器とを備える電子部品であって、容器は、電子デバイスが固定された第一領域および第一領域の周囲の第二領域を有する基体と、空間を介して電子デバイスに対向する蓋体と、空間を囲むように第二領域に固定された枠体とを備え、枠体は、第一部材と、第一部材および基体よりも熱伝導率の低い第二部材とを含んでおり、第一部材は、枠体の内縁から枠体の外縁に向かう方向において、基体の外縁よりも枠体の内縁側に位置する第一部分と基体の外縁よりも枠体の外縁側に位置する第二部分とを含み、第二部材は蓋体と第一部材との間に位置しており、第一部材と基体との最短距離は、第一部材と蓋体との最短距離よりも小さい。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供在电子设备中产生的热量的脱模性优异的电子部件。解决方案：提供一种电子部件，包括电子装置和容纳电子装置的容器，其中容器包括基板其具有电子设备固定的第一区域和第一区域的周边上的第二区域，跨越空间与电子设备相对设置的盖体和固定到第二区域的框体围绕空间。框架体包括第一构件和第二构件，其具有比第一构件和基板的热导率低的第一构件和第二构件，其中第一构件包括相对于外边缘位于框体的内边缘侧的第一部分从框体的内缘朝向框体的外缘的方向移动基板，第二部分相对于基板的外缘位于框体的外缘侧。第二构件位于盖体与第一构件之间，第一构件与基板之间的最短距离小于第一构件与盖体之间的最短距离。

7. 发明专利

JPWO2012128210A1 電子部品パッケージ、電子部品、及び電子部品パッケージの製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012128210A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2013505947
申请日：2012-03-16
申请人：株式会社大真空
发明人：幸田　直樹 , 直樹幸田 , 宏樹吉岡 , 宏樹吉岡
IPC分类号： H01L23/02 , H03H3/02 , H03H9/02
CPC分类号： H05K5/066 , H01L23/055 , H01L23/10 , H01L2924/0002 , H03H9/1021 , H03H9/21 , H05K13/00 , H01L2924/00
摘要：第2封止部材の一主面の外周縁部をテーパー状に成形し、前記外周縁部の少なくとも一部にテーパー領域を設定する。前記第2封止部材の前記一主面の前記外周縁部の内方に設けられた平坦部の少なくとも一部に、前記テーパー領域と隣接する平坦領域を設定する。また、電子部品素子を搭載する第1封止部材の一主面に、前記テーパー領域に対応する第1領域と、前記平坦領域に対応する第2領域とを隣接して設定する。前記第2領域の幅W2は、前記平坦領域の幅W4の0.66〜1.2倍とする。前記第1領域及び前記第2領域に第1接合層を形成し、前記テーパー領域及び前記平坦領域に第2接合層を形成し、前記第1接合層及び前記第2接合層を加熱溶融させて前記第1封止部材及び前記第2封止部材を接合する。

9. 发明专利

JP5432077B2 Production method and the method of manufacturing an electronic component of the glass substrate with the through electrodes 有权
公开(公告)号：JP5432077B2
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：JP2010156171
申请日：2010-07-08
申请人：セイコーインスツル株式会社
发明人：昇川合
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/04 , H01L23/08 , H01L23/15 , H03H3/02 , H03H9/02
CPC分类号： H01L21/4803 , H01L21/50 , H01L23/055 , H01L2924/0002 , H03H9/1021 , H03H2003/022 , H01L2924/00

10. 发明专利

JPWO2012014527A1 高周波モジュールおよび通信装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2012014527A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2012526346
申请日：2011-03-28
申请人：株式会社村田製作所
发明人：滝澤　晃一 , 晃一滝澤 , 後藤　義彦 , 義彦後藤 , 薫須藤 , 薫須藤 , 洋隆藤井 , 洋隆藤井
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/12
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/055 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/48 , H01L25/16 , H01L2223/6677 , H01L2223/6688 , H01L2224/05554 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014 , H01L2924/10162 , H01Q1/2283 , H01Q9/0407 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：パッケージ基板2上には半導体部品6をフェイスアップ実装する。半導体部品6の表面6Aには、アンテナ基板15をフリップ実装する。このとき、半導体部品6の表面6Aには素子側高周波信号端子12を設けると共に、アンテナ基板15の裏面15Bにはアンテナ側高周波信号端子17を設け、素子側高周波信号端子12およびアンテナ側高周波信号端子17はバンプ20を用いて電気的に接続する。これにより、高周波信号RFt,RFr用のアンテナ基板15とベースバンド信号TS,RS用のパッケージ基板2とを分離することができる。

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