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1. 发明专利

JP2018054603A 二次イオン質量分析方法、質量分析装置及びその使用审中-公开
公开(公告)号：JP2018054603A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017167178
申请日：2017-08-31
申请人：イオン−トフテクノロジーズゲーエムベーハー
发明人：カイザースヴェン
IPC分类号： G01N23/2202 , G01N23/2258
CPC分类号： G01N23/2258 , G01N2223/611 , G01N2223/652 , H01J49/142 , H01J49/40 , H01J2203/04
摘要：【課題】アルカリ金属を含有する絶縁材料のデプスプロファイリングを得るための二次イオン質量分析方法及び装置を提供する。【解決手段】絶縁材料を含むサンプル中におけるアルカリ金属の分析において、サンプルに、分析ビームとしてイオンビームが照射されることで、サンプルの最表面層から二次イオンが脱離し、サンプルの表面が、同一の又は更なるイオンビームを用いて除去され、サンプルの表面を除去するイオンビームは、ガスクラスターを含んでいる、又は、ガスクラスターから成ることを特徴とする。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2017525095A 飛行時間質量分析計有权
公开(公告)号：JP2017525095A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016575356
申请日：2015-12-04
申请人：コリアベーシックサイエンスインスティチュート , コリアベーシックサイエンスインスティチュート
发明人：モヤン、 , モヤン、 , スンヨンキム、 , スンヨンキム、 , ヒョンシクキム、 , ヒョンシクキム、 , ワンソプチョン、 , ワンソプチョン、
IPC分类号： H01J49/40 , G01N27/62 , H01J43/08 , H01J43/24 , H01J49/06 , H01J49/08 , H01J49/14
CPC分类号： H01J49/40 , H01J43/10 , H01J49/08 , H01J49/142
摘要：飛行時間質量分析計は、電子ビームを受容してイオンを放出するイオン化部と、イオン化部に前記電子ビームを注入する冷電子供給部と、イオン化部から放出されたイオンを感知するイオン検出部と、イオン化部と前記イオン検出部を連結するイオン分離部と、を含むが、冷電子供給部は紫外線を受容して電子ビームを放出するマイクロチャネルプレート(Microchannel Plate)を含み、イオン化部から放出されたイオンはイオン分離部を通過してイオン検出部に到達し、イオン分離部は直管(straigt tube)状である。

3. 发明专利

JP2017517752A 試料から目標分子を抽出するためのプローブ审中-公开
公开(公告)号：JP2017517752A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2017517155
申请日：2015-06-12
申请人：パウリシン,ヤヌス・ビィPawliszyn, Janusz B. , パウリシン,ヤヌス・ビィPawliszyn, Janusz B.
发明人：パウリシン，ヤヌス・ビィ , ゴメス・リオス，ジャーマン・アウグスト
IPC分类号： G01N27/62
CPC分类号： H01J49/04 , G01N1/405 , H01J49/142
摘要：本開示は、質量分析計分析用の電離分子を生成するための装置を記載する。装置は、抽出相で被覆したメッシュ基材を備える。抽出相は、基質から目標分子を吸着するポリマ、または基質から目標分子を吸着するような寸法に設計された細孔を有するポリマおよび固相マイクロ抽出(SPME)粒子を含み、メッシュ基材は、流体がメッシュ基材を貫流することを可能にするのに十分な開口構造を有する。装置は、被覆メッシュ基材に安定性を与えるために、メッシュ基材に接続された固体基材を備える。また、このような装置を含む質量分析システムも記載される。さらに、予め基質から装置に抽出された分析物を分析する方法も記載される。

4. 发明专利

JPWO2016027319A1 質量分析装置有权
公开(公告)号：JPWO2016027319A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2016543521
申请日：2014-08-20
申请人：株式会社島津製作所
发明人：浩子上田 , 浩子上田 , 剛史内田 , 剛史内田
IPC分类号： G01N27/62 , H01J49/10 , H01J49/42
CPC分类号： H01J49/165 , H01J49/0031 , H01J49/025 , H01J49/142
摘要： PESIイオン源の探針(6)を試料(9)に刺入する前に、高電圧発生部(12)から探針(6)に電圧を印加しない状態と電圧を印加した状態とでそれぞれ全イオン電流を測定する。探針(6)がホルダ(5)に適切に装着されていれば、電圧印加によって探針(6)先端周囲の空気中の成分がイオン化されるので、それが全イオン電流に反映される。そのため、電圧非印加時と電圧印加時との全イオン電流には大きな差が生じる。一方、探針(6)が適切に装着されていないと、電圧非印加時と電圧印加時との全イオン電流には有意な差が生じない。探針装着判定部(24)は正常時に求めた閾値を基準とし、全イオン電流差を判定することで、探針(6)の装着不良を検出し、装着不良であればエラーメッセージを表示部(42)に出力する。これにより、探針(6)の装着不良や脱落を確実に検出することができ、無駄な測定の実行や時間経過に伴う生体試料の劣化などを回避することができる。

5. 发明专利

JP5808815B2 イオン銃の改良及びイオン銃に関連する改良有权
标题翻译：关于改进和离子枪离子枪的改进
公开(公告)号：JP5808815B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：JP2013533165
申请日：2011-10-10
申请人：ヴィージーシステムズリミテッド
发明人：バーナードブライアン
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/252 , H01J27/20
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/026 , H01J49/142 , H01J2237/057 , H01J2237/0812 , H01J2237/0827 , H01J37/05 , H01J37/3171

6. 发明专利

JP2013109837A Mass distribution analysis method and mass distribution analysis device 有权
标题翻译：质量分布分析方法和质量分配分析装置
公开(公告)号：JP2013109837A
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2011251552
申请日：2011-11-17
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： KYOGAKU MASABUMI , IWASAKI KOTA
IPC分类号： H01J49/10 , G01N27/62 , H01J49/06 , H01J49/40
CPC分类号： H01J49/14 , G01N23/2258 , H01J49/0004 , H01J49/0031 , H01J49/06 , H01J49/142 , H01J49/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mass distribution analysis method which can reduce an influence to a mass analysis result due to time variety of irradiation of an ionized beam to a sample and measure a mass distribution having high reliability.SOLUTION: There is provided a mass distribution analysis method which irradiates a sample with a primary ion beam and detects generated secondary ions, in which the primary ion beam has a spread in a direction perpendicular to an advancing direction, and an orbit of the primary ion beam is deflected so as to adjust a path length from a primary ion source of each of primary ions included in the primary ion beam to a sample surface, and then the primary ion beam is injected inclining to the sample surface.
摘要翻译：解决的问题：提供一种质量分布分析方法，其可以减少由于对样品的离子束的照射的时间不同而对质量分析结果的影响，并测量具有高可靠性的质量分布。解决方案：提供了一种质量分布分析方法，其用一次离子束照射样品并检测所产生的二次离子，其中一次离子束在垂直于前进方向的方向上具有扩展，并且轨道主离子束被偏转，以便调整从初级离子束中包括的初级离子的一次离子源到样品表面的路径长度，然后将一次离子束倾斜注入样品表面。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP5181150B2 Surface analysis method 有权
公开(公告)号：JP5181150B2
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：JP2008101984
申请日：2008-04-09
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 国立大学法人電気通信大学 , 国立大学法人神戸大学
发明人：正英戸名 , 俊介大谷 , 誠櫻井
IPC分类号： G01N27/62 , G01N23/225 , H01J37/244 , H01J37/252
CPC分类号： G01N23/2258 , G01N23/2255 , H01J37/244 , H01J37/256 , H01J49/142 , H01J2237/08 , H01J2237/2448 , H01J2237/24585 , H01J2237/2527
摘要： A surface analyzer 1 includes: a sample stage 6 for placing a sample 5; a source for generating multicharged ions 3 for irradiating a beam 4 of multicharged ions having a valence of 15 or higher to the sample 5 placed on the sample stage 6; a mass analyzer 8 for detecting secondary ions 7 generated as a result of irradiating the beam of multicharged ions 4 to the sample 5; a secondary electron detector 10 for detecting secondary electrons 9 generated as a result of irradiating the beam of multicharged ions 4 to the sample 5; and a controller of mass analyzer 12 for generating analysis start signals in response to the secondary electron signals received, and transmitting the start signals to the mass analyzer. The surface analyzer 1 enables high-quality analysis of the surface of the sample in short time by using the multicharged ions.

8. 发明专利

JP4854590B2 Time-of-flight secondary ion mass spectrometer 有权
公开(公告)号：JP4854590B2
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：JP2007126895
申请日：2007-05-11
申请人：キヤノン株式会社
发明人：小松　　学 , 浩行橋本
IPC分类号： H01J49/14 , G01N27/62 , H01J49/40
CPC分类号： H01J49/142

9. 发明专利

JP2011149755A Mass error correction method in time-of-flight mass spectrometry 审中-公开
标题翻译：飞行时间质谱中的质量误差校正方法
公开(公告)号：JP2011149755A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：JP2010009858
申请日：2010-01-20
申请人： Canon Inc , キヤノン株式会社
发明人： KOMATSU MANABU
IPC分类号： G01N27/62 , H01J49/40
CPC分类号： H01J49/142 , G01N23/2258 , H01J49/0009 , H01J49/40
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for simply obtaining a mass spectrum of high precision in a short time by automatically correcting the shift of spectrum peaks produced by the difference of altitude at respective points within a sample measuring surface in measurement using time-of-flight mass spectrometry. SOLUTION: In a method for correcting the mass error produced from the difference of altitude of the surface of a measuring sample in time-of-flight mass spectrometric measurement for obtaining the mass spectra of the whole of the region of the measuring sample by dividing the arbitrary region of the measuring sample into a plurality of measuring points and adding the measured spectra calculated at the respective measuring points, the shift from the rising positions of the arbitrary peaks at the respective detection positions of the measured spectra at the respective measuring points is calculated to be used in correction. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过在测量中自动校正样品测量表面内的各个点处的高度差产生的频谱峰值的偏移来简单地在短时间内获得高精度的质谱的方法，使用飞行时间质谱。解决方案：在用于校正由飞行时间质谱测量中的测量样品的表面的高度差产生的质量误差的方法中，以获得测量样品的整个区域的质谱通过将测量样本的任意区域划分为多个测量点并将在各测量点处计算的测量光谱相加，从在各测量点处测量的光谱的各个检测位置处的任意峰值的上升位置的偏移计算点用于校正。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2011501367A Liquid metal ion source, secondary ion mass spectrometry, secondary ion mass spectrometry method, and its use 有权
公开(公告)号：JP2011501367A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：JP2010530313
申请日：2008-10-16
申请人：イオン−トフテクノロジーズゲーエムベーハー
发明人：コルマー、フェリックス , ダッティング、アンドレアス , ヘルスター、ペーター
IPC分类号： H01J27/26 , H01J37/252 , H01J37/317 , H01J49/26 , H01J49/40
CPC分类号： H01J49/10 , C22C12/00 , H01J37/08 , H01J49/0031 , H01J49/142 , H01J2237/0805 , H01J2237/31749
摘要： Liquid metal ion source comprises bismuth in an alloy containing an other metal with an atomic weight of = 90 u, a solubility in bismuth of >= 1%, with few or no isotopes and/or any narrow isotopic arrangement and during the ion beam production none or only small amount of mixed clusters with bismuth forms. Independent claims are included for: (1) a secondary particle mass spectrometer for the analysis of secondary particles such as secondary ions and/or post-ionized neutral secondary particles with a liquid metal ion source for the generation of a primary ion beam for the irradiation of a sample and generation of secondary particles, which exhibit the liquid metal ion source as well as primary ion beam emitted from the liquid metal ion source with a filter device and one of several types of bismuth ion, whose mass amounts to a multiple of the monoatomic, singly or multiply charged bismuth ions, is to be filtered out in the form of a mass-pure primary ion beam, when one of several types of ion of the other metal are filterable as mass-pure filtered primary ion beam; and (2) a secondary particle mass spectrometric analysis method for the analysis of a sample, where the surface of the sample is irradiated with a primary ion beam, and a primary ion beam is generated, where: the beam contains monoatomic or polyatomic ions of a first metal and monoatomic ions of an other metal; the ions of the first metal exhibit an atomic weight of >= 190 u and the ions of the other metal exhibit an atomic weight of >= 90 u, alternately from the primary ion beam on the one hand, one of several types of ion of the first metal filtered as mass-pure primary ion beam and on the other hand one of several types of ion of the other metal filtered as mass-pure primary ion beam, are filtered out, and the secondary particle spectrum containing primary ion beam filtered with the ions of the first metal and the secondary particle spectrum containing primary ion beam filtered with the ions of the other metal are determined.

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