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1. 发明专利

JP4544609B2 Pipe latch circuit for the output of the high-speed data 有权
公开(公告)号：JP4544609B2
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：JP2003366477
申请日：2003-10-27
申请人：株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人：基浚南 , 政鎬方
IPC分类号： G11C11/407 , G11C11/417 , G11C7/00 , G11C7/10 , G11C8/00 , G11C11/00 , G11C11/34 , G11C11/40 , G11C11/413 , H03K3/037
CPC分类号： G11C7/106 , G11C7/103 , G11C7/1051

2. 发明专利

JP4357246B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4357246B2
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：JP2003323476
申请日：2003-09-16
申请人：株式会社ルネサステクノロジ
发明人：貴志久保 , 忠昭山内
IPC分类号： G11C16/02 , G11C17/00 , G11C7/00 , G11C7/10 , G11C8/00 , G11C8/04 , G11C16/06 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/12 , G11C17/18 , G11C29/00 , G11C29/04
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/103 , G11C16/32 , G11C29/789 , G11C29/846

3. 发明专利

JP3779160B2 Ddrsdram / sgram full-page increment / decrement burst mode of 有权
公开(公告)号：JP3779160B2
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：JP2000601650
申请日：2000-02-25
申请人：マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッドMicron Technology,Inc.
发明人：ライアン，ケビン，ジェイ
IPC分类号： G11C11/401 , G06F12/00 , G06F12/02 , G11C7/10 , G11C8/12 , G11C11/407 , G11C11/408
CPC分类号： G11C7/1066 , G11C7/1018 , G11C7/103 , G11C7/1042 , G11C7/1045 , G11C7/1072 , G11C8/12 , G11C11/408

4. 发明专利

JP3729276B2 Data access time shortening circuit of the semiconductor memory device 失效
公开(公告)号：JP3729276B2
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：JP25326893
申请日：1993-10-08
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：應門延 , 瀛湖林
IPC分类号： G11C11/401 , G11C7/10
CPC分类号： G11C7/1021 , G11C7/103

5. 发明专利

JPWO2010113674A1 情報処理システム、情報圧縮装置、情報復元装置、情報処理方法及びそのプログラム有权
公开(公告)号：JPWO2010113674A1
公开(公告)日：2012-10-11
申请号：JP2011507092
申请日：2010-03-19
申请人：日本電気株式会社
发明人：浩明井上 , 浩明井上
IPC分类号： H03M7/30
CPC分类号： H03M7/30 , G11C7/103 , G11C29/003 , H04L29/12311
摘要：異なる特性を持つアドレスとデータとを含む構成情報の伝送若しくは記憶処理に際し、アドレス情報及びデータ情報を含む構成情報の圧縮率を高くするため、アドレスとデータとを備えた構成情報(14a)を入力し圧縮する圧縮器(4)と、この圧縮された構成情報である圧縮構成情報(15a)を利用者に対する解凍対象情報として記憶する圧縮情報記憶手段(15)とを備え、前記圧縮器(4)を、前記構成情報(14a)をアドレス情報とデータ情報とに分ける情報分離手段(41)と、この分離されたアドレス情報及びデータ情報をそれぞれ個別に圧縮するアドレス圧縮器(44)及びデータ圧縮器(45)と、この圧縮されたアドレス情報及びデータ情報を統合し圧縮構成情報として出力する圧縮情報出力手段(46)とを含む構成とする。

6. 发明专利

JP2010118102A Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device 有权
标题翻译：用于半导体存储器件和半导体存储器件的读取电路
公开(公告)号：JP2010118102A
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：JP2008289480
申请日：2008-11-12
申请人： Seiko Instruments Inc , セイコーインスツル株式会社
发明人： KANEKO TETSUYA
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/06
CPC分类号： G11C7/103 , G11C7/1039
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a readout for semiconductor storage device and a semiconductor storage device which has a reduced circuit scale. SOLUTION: In a plurality of sense amplifiers of the read circuit of the semiconductor memory device, for serially reading data from a serial output terminal 20, if the number of byte selectors which may be selected to determine an address at a predetermined time before determination of the address is four, only four sense amplifiers A1-A4 are required in total, and hence the read circuit and the semiconductor memory device are reduced in circuit scale. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供半导体存储装置的读出和电路规模缩小的半导体存储装置。解决方案：在半导体存储器件的读取电路的多个读出放大器中，用于从串行输出端子20串行读取数据，如果可以选择的字节选择器的数量来确定在预定时间的地址在确定地址为四个之前，总共仅需要四个读出放大器A1-A4，因此读取电路和半导体存储器件的电路规模减小。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP4057084B2 Semiconductor memory device 失效
公开(公告)号：JP4057084B2
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：JP34766396
申请日：1996-12-26
申请人：株式会社ルネサステクノロジ
发明人：貴彦吹上 , 康弘小西 , 幹夫桜井
IPC分类号： G11C11/401 , G11C7/10 , G11C11/407 , G11C11/409 , G11C11/4096
CPC分类号： G11C7/103 , G11C7/1072

8. 发明专利

JP2005092966A Semiconductor memory device 有权
标题翻译：半导体存储器件
公开(公告)号：JP2005092966A
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：JP2003323476
申请日：2003-09-16
申请人： Renesas Technology Corp , 株式会社ルネサステクノロジ
发明人： YAMAUCHI TADAAKI , KUBO TAKASHI
IPC分类号： G11C17/00 , G11C7/00 , G11C7/10 , G11C8/00 , G11C8/04 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C17/12 , G11C17/18 , G11C29/00 , G11C29/04
CPC分类号： G11C16/26 , G11C7/103 , G11C16/32 , G11C29/789 , G11C29/846
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a non-volatile semiconductor memory device capable of improving an access time in a burst mode without enlarging a chip area nor increasing power consumption. SOLUTION: A block unit BU is divided into memory mats MATA, MATB, respectively, on the basis of an internal address AE2. When the internal address AE2 is "1", ascending data read from the memory mat MATB to a start address is carried out, and also an internal address AE is incremented by an address conversion circuit and 4-word block BLK# containing a word to be selected next from the memory mat MATA. Consequently, the internal address is incremented on the basis of the start address, and a period for reading each word contained in the following 4-word block BLK# can be secured at least, and decoding processing or the like of the following input address in the period can be performed. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在不扩大芯片面积的情况下提高突发模式下的访问时间并且不增加功耗的非易失性半导体存储器件。解决方案：块单元BU分别基于内部地址AE2分成存储器块MATA，MATB。当内部地址AE2为“1”时，执行从存储器MAT MATB读入起始地址的升序数据，内部地址AE <4：3>由地址转换电路和4字块BLK ＃包含要从内存垫MATA中选择的单词。因此，内部地址基于开始地址增加，并且可以至少确保用于读取包含在以下4字块BLK＃中的每个字的周期，以及下面的输入地址的解码处理等可以执行该周期。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

9. 发明专利

JP3370092B2 Serial access memory 失效
公开(公告)号：JP3370092B2
公开(公告)日：2003-01-27
申请号：JP51132592
申请日：1992-06-03
申请人：沖電気工業株式会社
发明人：敦高杉
IPC分类号： G11C7/10 , G11C11/401 , G11C11/41
CPC分类号： G11C7/103

10. 发明专利

JP6356837B1 半導体記憶装置および読出し方法有权
公开(公告)号：JP6356837B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2017003785
申请日：2017-01-13
申请人：ウィンボンドエレクトロニクスコーポレーション
发明人：小嶋英充
IPC分类号： G11C29/50 , G11C7/10 , G11C16/04 , G11C16/26
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/06 , G11C7/1021 , G11C7/103 , G11C7/109 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C2216/14
摘要：【課題】読出しデータの正誤を検証する検証回路を備えた半導体記憶装置を提供する。【解決手段】本発明のフラッシュメモリは、列選択信号YSに基づきページバッファ10に保持された読出しデータからnビットのデータを選択し、選択したデータをnビットのデータバス40上に出力する列選択回路と、活性化信号SAEに応答してデータバス40上のnビットのデータをセンスする差動センスアンプ30と、外部から供給されるシリアルクロック信号SCLKに同期したクロック信号PSCCLKに応答して差動センスアンプ30によりセンスされたnビットのデータからmビットのデータを選択し、選択されたmビットのデータを出力端子から出力させる出力回路60と、差動センスアンプ30Aによりセンスされたデータと、出力回路60から出力されるデータとを比較し、読出しデータの正誤を検証する検証回路100とを含む。【選択図】図4

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