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1. 发明专利

JP2015069242A 画像処理装置とその制御方法、及びプログラム有权
标题翻译：图像处理设备，其控制方法及程序
公开(公告)号：JP2015069242A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2013200522
申请日：2013-09-26
申请人：キヤノン株式会社
发明人：飯塚利明
IPC分类号： G06F12/00 , G06F12/06
CPC分类号： G06F1/3284 , G06F1/32 , G06F12/0223 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/40618 , G11C2211/4067
摘要：【課題】省電力状態で各部への電力供給が遮断或いは低減されたときに、それに応じてメモリの消費電力量を低下させることにより、より消費電力量を低下させる技術を提供する。【解決手段】それぞれが所定の機能を実行する複数の機能手段を有する画像処理装置及びその制御方法であって、メモリを複数の領域で管理し、複数の機能手段に、メモリの複数の領域のそれぞれを割り当てる(S101)。そして省電力状態で、複数の機能手段の少なくともいずれかを省電力状態に移行させるときに、省電力状態に移行させる機能手段に割り当てられたメモリの領域のリフレッシュを停止するように制御する(S108)。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在节能状态下切断或减少向每个部分供电的情况下通过降低存储器的功耗来进一步降低功耗的技术。解决方案：一种图像处理装置，具有多个功能是指各自执行预定功能，并提供其控制方法。存储器由多个区域管理。存储器的每个区域被分配给功能装置（S101）。在省电状态下，当功能装置中的至少一个转换到省电状态时，分配给功能装置的分配给移动到省电状态的存储器的区域的刷新被停止（S108）。

2. 发明专利

JP2013030001A Information processing system 审中-公开
标题翻译：信息处理系统
公开(公告)号：JP2013030001A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：JP2011165714
申请日：2011-07-28
申请人： Elpida Memory Inc , エルピーダメモリ株式会社
发明人： FUJISAWA HIROKI
IPC分类号： G06F12/00 , G06F13/16 , G11C11/403 , G11C11/4076 , G11C11/4093
CPC分类号： G11C7/04 , G06F13/1636 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C11/40615 , G11C11/4093 , G11C2211/4067 , Y02D10/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enable impedance control of a data terminal even in a period of entry in a self-refresh mode.SOLUTION: A controller 50 according to one embodiment allows a semiconductor device 10 to enter a self-refresh mode by issuing a self-refresh command SRE to the semiconductor device 10. The semiconductor device 10 always activates an input buffer circuit 72 for receiving an impedance control signal ODT even in the self-refresh mode, and allows bypass of a latch circuit 84 that synchronizes itself with an internal clock signal ICLK0 and latches the impedance control signal IODT0, in the self-refresh mode. This enables input of the impedance control signal ODT in the self-refresh mode without using an external clock signal CK.
摘要翻译：要解决的问题：即使在自刷新模式下的进入期间，也能够进行数据终端的阻抗控制。解决方案：根据一个实施例的控制器50允许半导体器件10通过向半导体器件10发出自刷新命令SRE而进入自刷新模式。半导体器件10总是激活输入缓冲器电路72，用于即使在自刷新模式下也接收阻抗控制信号ODT，并且允许在自刷新模式下旁路与内部时钟信号ICLK0同步的锁存电路84并锁存阻抗控制信号IODT0。这使得能够在自刷新模式下输入阻抗控制信号ODT，而不使用外部时钟信号CK。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP5026810B2 Active cycle control circuit and method of the semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5026810B2
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：JP2007028149
申请日：2007-02-07
申请人：エスケーハイニックス株式会社SK hynix Inc.
发明人：相權李
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/403
CPC分类号： G11C11/406 , G11C7/1063 , G11C2211/4067

4. 发明专利

JP4803463B2 Input control to the memory device 有权
公开(公告)号：JP4803463B2
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：JP2008055226
申请日：2008-03-05
申请人：マイクロンテクノロジー, インク.
发明人：伊藤　　豊 , 慶一郎安部 , 政由野村
IPC分类号： G11C11/403 , G11C11/4072
CPC分类号： G11C8/18 , G11C7/1078 , G11C7/109 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/4076 , G11C2207/2227 , G11C2211/4067

5. 发明专利

JP4717373B2 Semiconductor memory 有权
公开(公告)号：JP4717373B2
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：JP2004150561
申请日：2004-05-20
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：仁史池田
IPC分类号： G11C11/403 , G11C11/407 , G11C8/00 , G11C8/18 , G11C11/401 , G11C11/406 , G11C11/4076 , G11C11/408 , G11C11/4193
CPC分类号： G11C8/18 , G11C7/225 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/4076 , G11C2207/2227 , G11C2211/4067

6. 发明专利

JP2011014193A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2011014193A
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：JP2009157377
申请日：2009-07-02
申请人： Elpida Memory Inc , エルピーダメモリ株式会社
发明人： MATSUNO HIROYUKI
IPC分类号： G11C11/408
CPC分类号： G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C2211/4067
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent power consumption due to leakage current during refresh operation.SOLUTION: A semiconductor device performs a normal operation which accesses a cell according to information from a row address latch circuit and a column address latch circuit and outputs storage data to outside and a refresh operation which does not output the storage data to outside, but performs access to the cell according to information from the row address latch circuit. The semiconductor device controls a plurality of outputs of the row address latch circuit at the same potential during a period when the refresh operation is repeatedly performed.
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在刷新操作期间由于漏电流引起的功耗。解决方案：半导体器件根据来自行地址锁存电路和列地址锁存电路的信息执行访问单元的正常操作，并将存储数据输出到外部和刷新操作，其不将存储数据输出到外部，而是根据来自行地址锁存电路的信息执行对单元的访问。半导体装置在重复执行刷新操作的时段期间，将行地址锁存电路的多个输出控制在相同的电位。

7. 发明专利

JP2010539627A Apparatus and method for generating a voltage which has been boosted by using a plurality of charge pump circuit 审中-公开
公开(公告)号：JP2010539627A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：JP2010524313
申请日：2008-09-09
申请人：モサイド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド
发明人：ホン・ボム・ピョン
IPC分类号： G11C11/4074 , H02M3/07
CPC分类号： G11C11/4074 , G11C5/145 , G11C11/406 , G11C11/4076 , G11C2211/4061 , G11C2211/4067 , G11C2211/4068 , H02M3/073 , H02M2003/077
摘要： A dynamic random access memory (DRAM) is selectively operable in a sleep mode and another mode. The DRAM has data storage cells that are refreshed in the refresh mode. A boosted voltage is provided for the operation of the DRAM. A boosted voltage provider includes a group of charge pump circuits that are selectively activated by a pump control circuit based on a refresh time for refreshing data in the DRAM cells in the sleep mode.

9. 发明专利

JP4262912B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4262912B2
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：JP2001318658
申请日：2001-10-16
申请人： Necエレクトロニクス株式会社
发明人：敦中川 , 弘行高橋
IPC分类号： G11C11/403 , G11C11/4074 , G11C7/20 , G11C11/406 , G11C11/407 , G11C11/4072 , G11C11/4076 , G11C11/408
CPC分类号： G11C11/40615 , G11C7/20 , G11C11/406 , G11C11/4072 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C2207/2227 , G11C2211/4067 , G11C2211/4068

10. 发明专利

JP4017248B2 Semiconductor device 失效
公开(公告)号：JP4017248B2
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：JP9869498
申请日：1998-04-10
申请人：株式会社日立製作所
发明人：正行中村 , 儀延中込 , 真志堀口 , 禎幸大熊 , 一彦梶谷
IPC分类号： G11C11/4074 , G11C11/413 , G11C5/06 , G11C5/14 , G11C7/10 , G11C8/00 , G11C8/12 , G11C11/401 , G11C11/406 , G11C11/407 , G11C11/4076 , G11C11/409 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC分类号： G11C5/063 , G11C5/14 , G11C5/147 , G11C7/1072 , G11C8/12 , G11C11/406 , G11C11/40615 , G11C11/40618 , G11C11/4074 , G11C11/4076 , G11C2207/2227 , G11C2211/4067 , G11C2211/4068

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