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1. 发明专利

JP2018163706A 記憶装置及びその制御方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018163706A
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：JP2017058673
申请日：2017-03-24
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：鈴木都文 , 山本和彦
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0078 , G11C2013/0088 , G11C2013/0092 , G11C2213/77 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/1616
摘要：【課題】動作の高速化が可能な記憶装置を提供する。【解決手段】第1の導電層WL1と第3の導電層BL1との間に第1の電圧の印加を開始し、第1の電圧の印加の開始から第1の遅延時間が経過した後、第1の導電層と第3の導電層との間に第1の電圧を印加した状態で、第2の導電層WL2と第3の導電層との間に第1の電圧の印加を開始し、第2の導電層と第3の導電層との間への第1の電圧の印加の開始から第2の遅延時間が経過した後に、第2の導電層と第3の導電層との間に第1の電圧を印加した状態で、第1の導電層と第3の導電層との間に第1の電圧よりも小さい第2の電圧の印加を開始する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018156697A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018156697A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017049983
申请日：2017-03-15
申请人：東芝メモリ株式会社
发明人：上田善寛
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/065 , G11C11/1655 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C11/1693 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0047 , G11C2013/0057 , G11C2013/0066 , G11C2013/0073 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2207/002
摘要：【課題】自己参照方式におけるセンスマージンを動作環境に対してロバストに確保する。【解決手段】一実施形態の半導体記憶装置は、データを保持可能な抵抗性記憶素子を含むメモリセルと、上記メモリセルからデータを読み出すセンスアンプと、上記メモリセルに電気的に接続された第1ノードと、上記センスアンプに電気的に接続された第2ノードとの間に並列に接続され、第1電圧が供給されたゲートを含み、互いに異なるサイズを有する第1トランジスタ及び第2トランジスタと、上記第1トランジスタ又は上記第2トランジスタのいずれか一方を介して、上記第1ノード及び上記第2ノードの間を電気的に接続するスイッチ回路と、を備える。上記センスアンプは、上記第1トランジスタを介して上記メモリセルに供給される第1電流と、上記第2トランジスタを介して上記第1電流と異なるタイミングで上記メモリセルに供給される第2電流と、を比較する。【選択図】図3

3. 发明专利

JP5655173B2 クロスポイント型不揮発性記憶装置とその駆動方法有权
标题翻译：以及它们的交叉点型的非易失性存储装置的驱动方法
公开(公告)号：JP5655173B2
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：JP2014507433
申请日：2013-03-27
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：一彦島川 , 一彦島川 , 亮太郎東 , 亮太郎東 , 佳一加藤 , 佳一加藤 , 昭文川原 , 昭文川原
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2213/15

4. 发明专利

JP5642649B2 半導体記憶装置及び半導体装置有权
标题翻译：的半导体存储装置以及半导体装置
公开(公告)号：JP5642649B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2011223087
申请日：2011-10-07
申请人：シャープ株式会社 , マイクロンメモリジャパン株式会社
发明人：満名倉 , 満名倉 , 信義粟屋 , 信義粟屋 , 数也石原 , 数也石原 , 明義世古 , 明義世古
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0028 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79

5. 发明专利

JP5558553B2 Method of writing the cross-point non-volatile memory cell having a diode 有权
公开(公告)号：JP5558553B2
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：JP2012503603
申请日：2010-03-30
申请人：サンディスクスリーディー,エルエルシー
发明人：ロイイー．シェウアーライン
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72

6. 发明专利

JP5396011B2 Phase-change memory device 有权
公开(公告)号：JP5396011B2
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：JP2007161936
申请日：2007-06-19
申请人：ピーエスフォールクスコエスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l.
发明人：潔中井 , 修一塚田 , 雄介城野
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0023 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/72

7. 发明专利

JP5063337B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5063337B2
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：JP2007335614
申请日：2007-12-27
申请人：株式会社日立製作所
发明人：均久米 , 悟半澤
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0023 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0069 , G11C2013/0076 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2213/71 , G11C2213/72

8. 发明专利

JP5058487B2 Phase transition ram method of operation 有权
公开(公告)号：JP5058487B2
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：JP2006004414
申请日：2006-01-12
申请人：三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：閏浩姜 , 東碩徐 , 相睦李 , 振瑞盧
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79

9. 发明专利

JP2012203946A Resistive ram 有权
标题翻译：电阻RAM
公开(公告)号：JP2012203946A
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：JP2011066183
申请日：2011-03-24
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： UDA MIZUKI , AZUMA TOMOAKI , KUROSAWA TOMOKI
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C8/10 , G11C8/08 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0023 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/71 , G11C2213/72
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately change resistance of a memory cell.SOLUTION: A resistive RAM 1 comprises: multiple bit lines; multiple word lines; a memory cell array MA that includes multiple memory cells MC in which the bit lines and word lines are arranged at intersection parts and each of which includes a variable resistance element VR and a diode Di that are connected in series between the bit line and the word line; a control circuit that writes data in a selected memory cell by applying reverse bias to the diode Di; and a current limit circuit 25 that limits current flowed to the selected memory cell at the time of writing. The current limit circuit 25 controls the current flowed to a selected bit line so as not to exceed a second compliance current after adding a leakage current from a non-selected memory cell, which is connected to the selected bit line, to a predetermined first compliance current.
摘要翻译：要解决的问题：准确地改变存储单元的电阻。解决方案：电阻式RAM1包括：多个位线; 多个字线存储单元阵列MA，其包括多个存储单元MC，其中位线和字线布置在交叉部分，并且每个存储单元MC包括串联连接在位线和字之间的可变电阻元件VR和二极管Di 线; 控制电路，通过向二极管Di施加反向偏压来将数据写入选定的存储单元; 以及限制在写入时流向所选择的存储单元的电流的限流电路25。电流限制电路25控制流向所选位线的电流，以便将来自连接到所选位线的未选择存储单元的泄漏电流加到预定的第一顺从性之后不超过第二顺从电流当前。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP4917984B2 Phase change memory cell having a step-like programming characteristic 有权
公开(公告)号：JP4917984B2
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：JP2007186962
申请日：2007-07-18
申请人：キモンダアクチエンゲゼルシャフト
发明人：ハップトーマス , ボリスフィリップヤン
IPC分类号： H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC分类号： G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/009 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1683

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