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1. 发明专利

JP5642649B2 半導体記憶装置及び半導体装置有权
标题翻译：的半导体存储装置以及半导体装置
公开(公告)号：JP5642649B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2011223087
申请日：2011-10-07
申请人：シャープ株式会社 , マイクロンメモリジャパン株式会社
发明人：満名倉 , 満名倉 , 信義粟屋 , 信義粟屋 , 数也石原 , 数也石原 , 明義世古 , 明義世古
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0028 , G11C13/0002 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0078 , G11C2213/79

2. 发明专利

JP5638424B2 半導体記憶装置、並びに、メモリセルの書き換え方法有权
标题翻译：半导体存储装置，并且，存储单元的改写方法
公开(公告)号：JP5638424B2
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：JP2011049111
申请日：2011-03-07
申请人：シャープ株式会社
发明人：優川端 , 優川端 , 隆広渋谷 , 隆広渋谷 , 良志明田渕 , 良志明田渕 , 数也石原 , 数也石原 , 信義粟屋 , 信義粟屋
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0002 , G11C13/0069 , G11C2013/0083

3. 发明专利

JP5269151B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5269151B2
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：JP2011128954
申请日：2011-06-09
申请人：シャープ株式会社
发明人：潤哉大西 , 信義粟屋 , 満名倉 , 数也石原
IPC分类号： G11C29/42 , G06F12/16 , G11C13/00
CPC分类号： G06F11/1048 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2029/0411
摘要： In a semiconductor memory device using a variable resistive element made of a metal oxide for storing information, a voltage amplitude of a writing voltage pulse for changing the variable resistive element to a high resistance state is set within a voltage range in which the resistance value of the high resistance state after the change increases with time. The voltage amplitude is set within the voltage range in which the resistance value of the high resistance state after the change increases toward a predetermined peak with increase in voltage amplitude. When a data error is detected by the ECC circuit, it is estimated that the data that should be in the low resistance state changes to the high resistance state, and the variable resistive elements of all memory cells from which the error is detected are written to the low resistance state to correct the error bit.

4. 发明专利

JP5204868B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5204868B2
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：JP2011088400
申请日：2011-04-12
申请人：シャープ株式会社
发明人：満名倉 , 信義粟屋 , 数也石原
IPC分类号： G11C13/00 , G11C29/42
CPC分类号： G11C13/0069 , G06F11/1048 , G11C13/0007 , G11C29/52 , G11C2013/0073 , G11C2029/0411

5. 发明专利

JP5180913B2 Non-volatile semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5180913B2
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：JP2009133159
申请日：2009-06-02
申请人：シャープ株式会社
发明人：信義粟屋 , 佳似太田 , 良志明田渕
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L49/00

6. 发明专利

JP4751432B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4751432B2
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：JP2008248180
申请日：2008-09-26
申请人：シャープ株式会社
发明人：貴司中野 , 信義粟屋
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/786 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/005 , G11C13/0004 , G11C13/0011 , G11C13/0033 , G11C14/00 , G11C14/0045 , G11C2211/4016 , G11C2213/31 , H01L27/2436 , H01L27/2454 , H01L27/2472 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/146
摘要： An inexpensive nonvolatile memory having high performance which makes random write and readout possible an unlimited number of times is provided. A unit memory cell is formed of a MISFET having a channel body that is electrically isolated from a semiconductor substrate and a resistance change element having a two-terminal structure with one end electrically connected to a drain of the MISFET. The MISFET functions as a volatile memory element, and the resistance change element functions as a nonvolatile memory element, so that information stored in the MISFET is copied to the resistance change element before the power is turned OFF and information stored in the resistance change element is transferred to the MISFET when the power is turned ON, and thus, the MISFET is used as a volatile memory which makes random write and readout possible.

8. 发明专利

JPWO2015033611A1 光学フィルター及び撮像素子审中-公开
标题翻译：光学滤波器和图像传感器
公开(公告)号：JPWO2015033611A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015535338
申请日：2014-04-17
申请人：シャープ株式会社
发明人：信義粟屋 , 貴司中野 , 数也石原 , 満名倉 , 和弘夏秋 , 貴博瀧本 , 雅代内田
IPC分类号： G02B5/20 , G02B5/28 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14625 , G02B1/118 , G02B5/008
摘要：簡易な構成で波長選択性及び透過性を向上させた光学フィルターを提供することを目的とする。そのため、光学フィルターは、複数の所定波長の光を透過する光学フィルターであって、第1導電体膜と第1誘電体膜と第2導電体膜とが順に積層され、第1導電体膜を貫通し、所定波長の光のうち最も短い波長未満の周期で配置された第1開口部と、第2導電体膜を貫通し、所定波長の光のうち最も短い波長未満の周期で配置された第2開口部と、を有し、第1及び第2導電体膜間の距離が、所定波長の光のうち最も長い波長の光が第1及び第2導電体膜間で平面波を形成するのに必要な最小距離以上である構成とする。
摘要翻译：并提供具有改进的波长选择性和渗透性以简单的结构的滤光器。因此，滤光器是一种光学滤光器发射多个预定波长的光，第一导电膜和所述第一介电膜和第二导电膜被层叠在该顺序中，第一导体膜贯通第二导电膜配置在一段小于一预定波长的光的最短波长的第一开口通过，设置在一段小于一预定波长的光的最短波长和第二开口，第一和第二导电膜之间的距离，预定波长的光的最长波长的光，以形成所述第一和第二导体膜之间的平面波的结构是最小距离或更多必要的。

9. 发明专利

JPWO2015025637A1 光電変換装置およびその製造方法有权
标题翻译：其光电转换装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2015025637A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015532760
申请日：2014-07-11
申请人：シャープ株式会社
发明人：和弘夏秋 , 雅代内田 , 貴博瀧本 , 信義粟屋 , 数也石原 , 貴司中野 , 満名倉
IPC分类号： H01L31/10 , G02B5/20
CPC分类号： H01L31/02162 , H01L27/1462 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02164
摘要：本来、透過しない波長の光の異常透過を防ぐことができて、分光波形の半値幅を小さくすることができる光電変換装置およびその製造方法を提供する。基板(100)に第1の光電変換素子(101)を形成し、この第1の光電変換素子(101)の上に、周期的または非周期的に配置された複数の開口(41)を有する第1の金属膜(31)を、絶縁膜(1,2,3)を介して形成する。上記第1の金属膜(31)の複数の開口(41)の一部を覆う第2の金属膜(32)を設ける。
摘要翻译：最初，它可以防止不透射的波长的光的异常传输，提供一种光电转换装置及其制造方法的频谱波形的其可减小半宽度。首先，以在衬底（100）上的光电转换元件（101），所述第一光电转换元件（101）上，具有周期性或非周期性地设置的多个孔（41）的第一金属膜（31），隔着绝缘膜（1,2,3）形成的。提供了覆盖所述多个开口（41）的一部分的第二金属膜，所述第一金属膜（31）（32）。

10. 发明专利

JP5680927B2 可変抵抗素子、及び、不揮発性半導体記憶装置有权
标题翻译：可变电阻元件和非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP5680927B2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2010223949
申请日：2010-10-01
申请人：シャープ株式会社
发明人：幸夫玉井 , 幸夫玉井 , 数也石原 , 数也石原 , 信義粟屋 , 信義粟屋
IPC分类号： H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00

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