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1. 发明专利

JP6258512B2 選択的金属/金属酸化物エッチングプロセス有权
公开(公告)号：JP6258512B2
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：JP2016546525
申请日：2015-01-13
申请人：サッチェム,インコーポレイテッド
发明人：バーミューレン,ポール , アレン,クレイグ
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/44 , C23F1/34 , C23F1/36 , C23F1/38 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869

2. 发明专利

JP2016535819A ハードマスクを選択的に除去するための除去組成物及びその方法审中-公开
标题翻译：用于选择性地去除所述硬掩模去除组合物和方法
公开(公告)号：JP2016535819A
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：JP2016521931
申请日：2014-10-09
申请人：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
发明人：ツイホワ , ツイホワ
IPC分类号： C23F1/26 , H01L21/308
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B3/08 , B08B3/10 , C11D3/2082 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/34 , C23F1/38 , C23F1/40 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807 , H01L21/76814
摘要：本開示は、半導体基板から、TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、並びにTi及びWの合金から基本的になるハードマスクを除去するための方法に関する。この方法は、除去組成物と半導体基板とを接触させることを含む。除去組成物は、0.1重量%〜90重量%の酸化剤と、0.0001重量%〜50重量%のカルボン酸と、脱イオン水を含む除去組成物の100重量%までの残部とを含む。
摘要翻译：本发明中，半导体衬底，锡，钽，包含TiNxOy，TIW，W，Ti和一种用于去除硬掩模基本上钛钨合金组成。该方法包括使除去组合物与半导体基板。除去组合物包含0.1重量％至氧化剂的90重量％，0.0001重量％至50重量％和羧酸，以及余量的最多包含去离子水的去除组合物的100重量％。

3. 发明专利

JP2014025088A Microetching agent for copper, replenishment liquid therefor and method for producing printed circuit board 有权
标题翻译：铜微生物剂，其替代液及其生产印刷电路板的方法
公开(公告)号：JP2014025088A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2012164006
申请日：2012-07-24
申请人： Mec Co Ltd , メック株式会社
发明人： KURII MASAYO , TAI KIYOTO , NAKAMURA MASAMI
IPC分类号： C23F1/18 , H05K3/38
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/34 , H05K3/0085 , H05K3/022 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microetching agent capable of maintaining adhesion between copper and a resin or the like even in a low etching amount, a replenishment liquid added to the microetching agent, and a method for producing a printed circuit board using the microetching agent.SOLUTION: The microetching agent for copper of the present invention is made of an aqueous solution comprising: cupric ions; an amino group-containing compound having a molecular weight of 17 to 400; and a polymer. The polymer has polyamine chains and/or a cationic group, and also, is a water-soluble polymer having the weight average molecular weight of 1,000 or higher. In the microetching agent, provided that the concentration of the amino group-containing compound is defined as A weight% and the concentration of the polymer is defined as B weight%, the value of A/B is 50 to 6,000.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供即使在低蚀刻量下也能够保持铜和树脂等之间的粘附性的微蚀刻剂，添加到微蚀刻剂中的补充液，以及使用微蚀刻法制造印刷电路板的方法本发明的铜微蚀刻剂由包含以下的水溶液制成：铜离子; 分子量为17〜400的含氨基的化合物; 和聚合物。聚合物具有多胺链和/或阳离子基团，并且也是重均分子量为1,000或更高的水溶性聚合物。在微蚀刻剂中，如果将含氨基的化合物的浓度定义为A重量％，将聚合物的浓度定义为B重量％，则A / B的值为50〜6000。

4. 发明专利

JP2008511746A Etching solution that can be played by electrolysis 有权
公开(公告)号：JP2008511746A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：JP2007517173
申请日：2005-06-20
申请人：ゲブリューダーシュミットゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニー
发明人：ベンレジェブネーディ，サドク
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/46 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/34 , C23F1/46 , H05K3/067
摘要：主として水、アンモニア、硫酸銅、硫酸アンモニウム及び場合によってはエッチング速度を高めるバナジウム含有触媒から成る、特に、銅及び銅合金から成るプリント回路板及び成形部品をエッチングするための、電気分解で再生可能なエッチング溶液において、エッチング溶液が、メチレンブルーまたはその誘導体を補助的な触媒として含有する。

5. 发明专利

JP2017502491A 低ｋ誘電材料及び銅を含む半導体デバイス基板から金属ハードマスク及びその他の残留物を選択的に除去するための方法及び組成物审中-公开
标题翻译：低k介电材料和方法和组合物用于选择性地去除半导体器件衬底包括铜金属硬掩模和其它残余物
公开(公告)号：JP2017502491A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016521999
申请日：2014-11-14
申请人：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
发明人：クイフア , クイフア
IPC分类号： H01L21/308 , C23F1/26 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B3/08 , B08B3/10 , C11D3/2082 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/34 , C23F1/38 , C23F1/40 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807 , H01L21/76814
摘要：半導体基板であって、その上にTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或いはTi又はWの合金のエッチングマスクを有する低k材料を含む半導体基板から、前記低k材料に対してTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或いはTi又はWの合金から基本的になるエッチングマスクを選択的に除去するための、2〜14の範囲のpHを有する水性除去組成物及び方法であって、除去組成物は少なくとも1つの酸化剤と、カルボン酸化合物とを含む、水性除去組成物及び方法。
摘要翻译：一种半导体衬底，在其上的氮化钛，氮化钽，包含TiNxOy，TIW，W，或半导体基板，其包括具有所述合金的Ti或W，氮化钛的蚀刻掩模相对于所述低k材料的低k材料，氮化钽，包含TiNxOy，TIW，W，或Ti或W合金以选择性地去除蚀刻掩模基本上由，水性去除组合物和方法的pH为2至14，去除组合物至少一种氧化剂，和羧酸化合物，水性去除组合物和方法。

6. 发明专利

JP2016536785A ハードマスクを選択的に除去するための除去組成物有权
标题翻译：用于选择性地除去硬掩模去除组合物
公开(公告)号：JP2016536785A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2016522060
申请日：2014-10-09
申请人：イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
发明人：ツイホワ , ツイホワ
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/304
CPC分类号： C11D11/0047 , B08B3/08 , B08B3/10 , C11D3/2082 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/265 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/28 , C23F1/34 , C23F1/38 , C23F1/40 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76807 , H01L21/76814
摘要：本開示は、半導体基板から、低k誘電材料に対してTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、並びにTi及びWの合金から基本的になるハードマスクを選択的に除去するための除去組成物に関する。半導体基板は、その上にTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、或いはTi又はWの合金のハードマスクを有する低k誘電材料を含む。除去組成物は、0.1重量%〜90重量%の酸化剤と、0.0001重量%〜50重量%のカルボン酸と、脱イオン水を含む除去組成物の100重量%までの残部とを含む。
摘要翻译：本发明中，半导体衬底，氮化钛对低k介电材料，氮化钽，包含TiNxOy，TIW，W，Ti和用于去除硬掩模选择性地去除组合物基本上由钛钨合金的对事物。所述半导体衬底包括在其的TiN，TaN的，包含TiNxOy，TIW，W，Ti或具有Ti或W的合金的硬掩模的低k介电材料除去组合物包含0.1重量％至氧化剂的90重量％，0.0001重量％至50重量％和羧酸，以及余量的最多包含去离子水的去除组合物的100重量％。

7. 发明专利

JP2015509283A エッチングされたシリコン、エッチングされたシリコン構造を形成する方法及びその使用审中-公开
标题翻译：方法和用途，以形成经蚀刻的硅，经蚀刻的硅结构
公开(公告)号：JP2015509283A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2014548204
申请日：2012-12-21
申请人：ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd , ネグゼオン・リミテッドNexeon Ltd
发明人：リウ，フェン−ミン , ジァン，ユィション , グリーン，ミノ
IPC分类号： H01L21/308 , C23C18/16 , C23C26/00 , H01L21/306 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/052
CPC分类号： H01M4/386 , B81C1/00539 , C23C18/1601 , C23C18/1639 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/38 , C23C18/42 , C23F1/34 , C23F1/40 , H01M4/0404 , H01M4/0492 , H01M4/366 , H01M10/052
摘要：シリコンをエッチングする方法であって、前記方法は以下のステップ:エッチングされるシリコン表面上に第一金属を無電解で成膜するステップであって、ここで、前記無電解で成膜された第一金属は、エッチングされる前記シリコンの表面を部分的に覆うステップ;前記第一金属とは異なる第二金属を、前記シリコン表面及び前記無電解で成膜された第一金属の上に成膜するステップであって、ここで、前記成膜された第二金属のフィルムは、エッチングされる前記シリコン表面を覆うステップ;前記第一金属及び前記第二金属を、前記第一金属の上に重なる、前記成膜された第二金属のフィルムの領域から除去して、エッチングされる前記シリコン表面を部分的に覆う前記第二金属を残留させるステップ;及び前記シリコン表面を、酸化剤及びフッ化物イオンのソースを含む水溶性エッチング組成物に曝露することにより、前記シリコンをエッチングするステップ、を含む、方法。
摘要翻译：蚀刻硅的方法，所述方法包括以下步骤：首先在非电解的第一金属沉积到硅表面上的步骤将被蚀刻，并且其中它沉积在电解一种金属，硅的被蚀刻部分地覆盖步骤中的表面;沉积第二金属与第一金属不同，在第一金属沉积在硅表面和电解到的步骤，其中所述第二金属是成膜工序的膜覆盖待蚀刻的硅表面;在所述第一金属和第二金属，覆盖在第一金属，它从第二金属膜的沉积区域去除被，步骤的硅表面被蚀刻到离开所述第二金属部分地覆盖;以及所述硅表面，氧化剂和通过暴露于含水蚀刻组合物包含氟离子源，其包括蚀刻硅，方法的步骤。

8. 发明专利

JP5682624B2 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液有权
标题翻译：对包含铜层和钼层的蚀刻液的多层膜
公开(公告)号：JP5682624B2
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：JP2012520356
申请日：2011-05-27
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：聡玉井 , 聡玉井 , 哲岡部 , 哲岡部 , 将英松原 , 将英松原 , 邦夫夕部 , 邦夫夕部
IPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26
CPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , H01L21/32134

9. 发明专利

JP2009516071A Play available etching solution 审中-公开
公开(公告)号：JP2009516071A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：JP2008539995
申请日：2006-11-09
申请人：イブリサイクリングエス・エー・アール・エル
发明人：ドリディカリムナヒディ
IPC分类号： C23F1/34 , C23F1/46 , H05K3/06
CPC分类号： C23F1/34 , C09K13/02 , C23F1/46 , H05K3/067
摘要：作業の間に銅濃度を減少させることで、再生利用可能なエッチング水溶液である。この溶液は、特に、プリント回路用或いは銅金属を使用する産業における銅エッチングに使用される。この溶液は、一般に水、アンモニア、炭酸銅および炭酸アンモニウムからなり、さらに補助触媒として、ブロムアセチルビフェニルとその誘導体を含まなければならない。

10. 发明专利

JPWO2011158634A1 銅層及びモリブデン層を含む多層構造膜用エッチング液有权
公开(公告)号：JPWO2011158634A1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012520356
申请日：2011-05-27
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：聡玉井 , 聡玉井 , 哲岡部 , 哲岡部 , 将英松原 , 将英松原 , 邦夫夕部 , 邦夫夕部
IPC分类号： C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26
CPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , H01L21/32134
摘要：銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜用エッチング液、及びこれを用いた銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜のエッチング方法を提供する。(A)分子内にカルボキシル基を二つ以上有し、かつヒドロキシル基を一つ以上有する有機酸イオン供給源、(B)銅イオン供給源、及び(C)アンモニア及び/又はアンモニウムイオン供給源を配合してなり、pHが5〜8である銅層及びモリブデン層を含む多層薄膜用エッチング液、及びこれを用いたエッチング方法である。

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