基本信息:
- 专利标题： ハードマスクを選択的に除去するための除去組成物
- 专利标题（英）：Removal compositions for selectively removing the hard mask
- 专利标题（中）：用于选择性地除去硬掩模去除组合物
- 申请号：JP2016522060 申请日：2014-10-09
- 公开(公告)号：JP2016536785A 公开(公告)日：2016-11-24
- 发明人： ツイ ホワ , ツイ ホワ
- 申请人： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
- 申请人地址： アメリカ合衆国.94545.カリフォルニア州.ヘイワード.バリントン.コート.2520
- 专利权人： イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド
- 当前专利权人： イー．ケー．シー．テクノロジー．インコーポレーテッド
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国.94545.カリフォルニア州.ヘイワード.バリントン.コート.2520
- 代理人： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
- 优先权： US61/889,968 2013-10-11 US14/103,303 2013-12-11 USPCT/US2013/074356 2013-12-11
- 国际申请： US2014059840 JP 2014-10-09
- 国际公布： WO2015054460 JP 2015-04-16
- 主分类号： H01L21/308
- IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/304
摘要：
本開示は、半導体基板から、低k誘電材料に対してTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、並びにTi及びWの合金から基本的になるハードマスクを選択的に除去するための除去組成物に関する。半導体基板は、その上にTiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、Ti、或いはTi又はWの合金のハードマスクを有する低k誘電材料を含む。除去組成物は、0.1重量%〜90重量%の酸化剤と、0.0001重量%〜50重量%のカルボン酸と、脱イオン水を含む除去組成物の100重量%までの残部とを含む。
摘要（中）：
本发明中，半导体衬底，氮化钛对低k介电材料，氮化钽，包含TiNxOy，TIW，W，Ti和用于去除硬掩模选择性地去除组合物基本上由钛钨合金的 对事物。 所述半导体衬底包括在其的TiN，TaN的，包含TiNxOy，TIW，W，Ti或具有Ti或W的合金的硬掩模的低k介电材料 除去组合物包含0.1重量％至氧化剂的90重量％，0.0001重量％至50重量％和羧酸，以及余量的最多包含去离子水的去除组合物的100重量％。
摘要（英）：
The present disclosure, a semiconductor substrate, TiN relative to low-k dielectric material, TaN, TiN x O y, TiW, W, Ti, and selectively removing composition for removing a hard mask consists essentially of Ti and W alloys about things. Semiconductor substrate includes TiN thereon, TaN, TiN x O y, TiW, W, Ti, or a low-k dielectric material with a hard mask of an alloy of Ti, or W. Removal composition, and 0.1 wt% to 90 wt% of the oxidizing agent, from 0.0001% to 50% and a carboxylic acid, and balance up to 100 wt% of the removal composition comprising deionized water including.
公开/授权文献:
- JP6523269B2 ハードマスクを選択的に除去するための除去組成物 公开/授权日：2019-05-29
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/308 | .......应用掩膜的 |