专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP2018093207A 結晶性半導体膜および板状体ならびに半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018093207A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2017250270
申请日：2017-12-26
申请人：株式会社FLOSFIA
发明人：人羅俊実 , 織田真也 , 高塚章夫
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/47 , C23C16/40 , H01L33/26 , H01L21/368 , H01L21/365
CPC分类号： H01L29/24 , C23C16/40 , C23C16/4415 , C23C16/4481 , H01L21/0242 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7722 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/7827 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/8122 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L33/44
摘要：【課題】半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。【解決手段】コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに前記結晶性半導体膜または前記板状体を含む半導体構造を備える半導体装置。【選択図】なし

3. 发明专利

JPWO2016013554A1 結晶性半導体膜および板状体ならびに半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2016013554A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016535940
申请日：2015-07-21
申请人：株式会社Flosfia , 株式会社Flosfia
发明人：俊実人羅 , 俊実人羅 , 真也織田 , 真也織田 , 章夫高塚 , 章夫高塚
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/26
CPC分类号： H01L29/24 , C23C16/40 , C23C16/4415 , C23C16/4481 , H01L21/0242 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7722 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/8122 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L33/44
摘要：半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに前記結晶性半導体膜または前記板状体を含む半導体構造を備える半導体装置。

4. 发明专利

JPS5916327A Manufacture of thin film 失效
标题翻译：薄膜制造
公开(公告)号：JPS5916327A
公开(公告)日：1984-01-27
申请号：JP12448082
申请日：1982-07-19
申请人： Agency Of Ind Science & Technol
发明人： ICHIYANAGI HAJIME , FUJITA NOBUHIKO , KAWAI HIROSHI
IPC分类号： H01L31/04 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4415 , H01L21/02532 , H01L21/0262
摘要： PURPOSE:To restrain the exfoliation of a thin film by forming the thin film while a substrate is oscillated with ultrasonic waves. CONSTITUTION:The numeral 1 represents a vacuum reaction chamber, and 2 a cathode, which is connected electrically to a high frequency RF power source (not illustrated) in a plasma CVD device. The numeral 3 represents an anode, which serves as a substrate holder, 4 a substrate, which is heated by a substrate heater 5. The numeral 6 represents a gas introducing tube, and 7 a vacuum exhaust tube, which is connected to a vacuum pump (not illustrated). The numeral 8 represents an ultrasonic wave oscillation device, which transmits oscillation to the substrate holder 3 and the substrate 4 by means of an ultrasonic wave oscillation transmitting device 9. The ultrasonic wave oscillation device 8 is so formed as not to transmit the heat from the heater 5, in the presence of a heat shielding plate 10.
摘要翻译：目的：通过在用超声波振荡衬底的同时通过形成薄膜来抑制薄膜的剥离。构成：数字1表示真空反应室，2表示与等离子体CVD装置中的高频RF电源（未示出）电连接的阴极。数字3表示作为基板保持器的阳极，4是由基板加热器5加热的基板。数字6表示气体导入管，7表示真空排气管，其与真空泵（未示出）。数字8表示超声波振荡装置，其通过超声波振荡发送装置9将振动传递到基板保持器3和基板4.超声波振荡装置8形成为不将热量从在隔热板10的存在下，加热器5。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式