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1. 发明专利

JP2017118090A 積層構造体および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017118090A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016091294
申请日：2016-04-28
申请人：株式会社Flosfia , Flosfia Inc , 株式会社Flosfia
发明人： ODA SHINYA , TOKUTA RIE , KAMBARA HITOSHI , HITORA TOSHIMI
IPC分类号： H01L29/872 , C23C16/40 , H01L21/20 , H01L21/329 , H01L21/338 , H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/812
摘要：【課題】半導体装置に有用な積層構造体ならびに半導体特性およびショットキー特性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の金属層と、第1の金属層上に直接または他の層を介して積層されている半導体層と、前記半導体層上に直接または他の層を介して積層されている第2の金属層とを少なくとも備える積層構造体であって、前記半導体層が、コランダム構造を有する結晶性酸化物半導体を主成分として含み、第1の金属層が、周期律表第4族または第11族の金属を含み、第2の金属層が周期律表第4族または第11族の金属を含む。【選択図】なし

2. 发明专利

JP6152514B2 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6152514B2
公开(公告)日：2017-06-28
申请号：JP2013216845
申请日：2013-10-17
申请人：株式会社Flosfia , 株式会社Flosfia
发明人：真也織田 , 真也織田 , 俊実人羅 , 俊実人羅
IPC分类号： C01G15/00 , C23C16/40 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205

3. 发明专利

JP2014234337A 酸化物結晶薄膜の製造方法有权
标题翻译：氧化物晶体薄膜的生产方法
公开(公告)号：JP2014234337A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013118358
申请日：2013-06-04
申请人：株式会社Flosfia , Flosfia Inc , 株式会社Flosfia
发明人： ODA SHINYA , HITORA TOSHIMI
IPC分类号： C30B29/16 , C30B7/14
CPC分类号： C23C16/06 , C23C16/20 , C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/4482 , C30B7/14 , C30B25/14 , C30B29/16 , H01L21/02565 , H01L21/02601 , H01L21/0262 , H01L21/02628
摘要：【課題】炭素不純物濃度の低減と高い成膜速度を両立させることができ、かつ安定的な結晶構造の作り分けを可能にする薄膜製造方法を提供する【解決手段】本発明によれば、ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液を微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法が提供される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够调节碳杂质浓度的降低和薄膜沉积速率的薄膜制造方法，并且分别制造稳定的晶体结构。解决方案：氧化物晶体薄膜的制造方法包括步骤用于将含有镓化合物和铟化合物和水中的至少一种的原料溶液雾化成成膜室的原料微粒供给到成膜室中，其中镓化合物和铟化合物中的至少任一种为溴化物或碘。

4. 发明专利

JP2015018881A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015018881A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2013144016
申请日：2013-07-09
申请人：株式会社Flosfia , Flosfia Inc , 株式会社Flosfia
发明人： HITORA TOSHIMI , ODA SHINYA , SHIROKAWA JUNJIRO
IPC分类号： H01L21/365 , C30B25/18 , C30B29/16 , C30B29/20 , C30B29/22 , H01L21/205
摘要：【課題】インジウム、アルミニウム、ガリウムを含む半導体結晶を用いた半導体装置、又は基板において、チャネル層以外での損失を低減すること、安価で大口径化可能な下地材料上に半導体層を形成すること、窒化物半導体の下地材料として用いられること、Si半導体装置との複合化を実現することにある。【解決手段】本発明によれば、一軸に配向している白金、金又はパラジウムの薄膜又は基板の上に形成した少なくともインジウム、アルミニウム、ガリウムのいずれか一つ、又はこれらを組み合わせた結晶性酸化物薄膜を含む半導体装置、又は基板が提供される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题为了减少除通道层之外的损耗，在能够大直径的廉价的下层材料上形成半导体层，用作氮化物半导体的下层材料，并且与Si半导体形成复合装置，在使用包含铟，铝和镓的半导体晶体的半导体器件或基板中。解决方案：包括铂，金或钯的单轴取向薄膜或任何一种的结晶氧化物薄膜的半导体器件或基板提供至少铟，铝和镓，或其组合在基板上。

5. 发明专利

JPWO2016035696A1 積層構造体およびその製造方法、半導体装置ならびに結晶膜审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016035696A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016546608
申请日：2015-08-28
申请人：株式会社Flosfia , 株式会社Flosfia
发明人：真也織田 , 真也織田 , 章夫高塚 , 章夫高塚 , 俊実人羅 , 俊実人羅
IPC分类号： H01L21/365 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/368 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/16 , H01L33/40
CPC分类号： H01L21/02565 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/242 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/0619 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/739 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L33/42
摘要：結晶性に優れた積層構造体および移動度が良好な前記積層構造体の半導体装置を提供する。コランダム構造を有する結晶基板上に、直接または別の層を介して、コランダム構造を有する結晶性酸化物を主成分として含む結晶膜が積層されている積層構造体であって、前記結晶基板が0.2°〜12.0°のオフ角を有しており、前記結晶性酸化物が、インジウム、アルミニウムおよびガリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含むことを特徴とする積層構造体。

6. 发明专利

JPWO2016013554A1 結晶性半導体膜および板状体ならびに半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2016013554A1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：JP2016535940
申请日：2015-07-21
申请人：株式会社Flosfia , 株式会社Flosfia
发明人：俊実人羅 , 俊実人羅 , 真也織田 , 真也織田 , 章夫高塚 , 章夫高塚
IPC分类号： H01L29/24 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L33/26
CPC分类号： H01L29/24 , C23C16/40 , C23C16/4415 , C23C16/4481 , H01L21/0242 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/739 , H01L29/7395 , H01L29/7722 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78 , H01L29/8083 , H01L29/812 , H01L29/8122 , H01L29/872 , H01L29/8725 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L33/44
摘要：半導体特性、特に、リーク電流が抑制され、耐圧性および放熱性に優れている半導体膜および板状体ならびに半導体装置を提供する。コランダム構造を有する酸化物半導体を主成分として含む結晶性半導体膜、特に、ガリウム、インジウムおよびアルミニウムから選ばれる1種または2種以上の酸化物のうち、半導体である成分を主成分として含む結晶性半導体膜であって、膜厚が1μm以上であることを特徴とする結晶性半導体膜または板状体ならびに前記結晶性半導体膜または前記板状体を含む半導体構造を備える半導体装置。

7. 发明专利

JP2015017027A 半導体装置及びその製造方法、並びに結晶及びその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法，以及晶体及其制造方法
公开(公告)号：JP2015017027A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2013216845
申请日：2013-10-17
申请人：株式会社Flosfia , Flosfia Inc , 株式会社Flosfia
发明人： ODA SHINYA , HITORA TOSHIMI
IPC分类号： C01G15/00 , C23C16/40 , C23C16/448 , C30B25/02 , C30B29/38 , H01L21/205
摘要：【課題】コランダム構造酸化物結晶の高温時の相転移が抑制される半導体装置、又は結晶を提供する【解決手段】本発明によれば、インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、前記酸化物結晶は、少なくとも、結晶格子の格子点間の隙間にアルミニウム原子を含有する、半導体装置、又は結晶構造体が提供される。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在高温下抑制刚玉结构氧化物晶体的相变的半导体器件或晶体。解决方案：本发明提供一种半导体器件或晶体结构体，其包括刚玉包含铟原子和镓原子中的一个或两个的结构氧化物晶体，所述氧化物晶体在晶格的晶格点之间的间隙中至少包含铝原子。

8. 发明专利

JP2014234344A 酸化物結晶薄膜の製造方法有权
标题翻译：氧化物晶体薄膜的生产方法
公开(公告)号：JP2014234344A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013212620
申请日：2013-10-10
申请人：株式会社Flosfia , Flosfia Inc , 株式会社Flosfia
发明人： ODA SHINYA , HITORA TOSHIMI
IPC分类号： C30B29/16 , C01G15/00 , C23C16/40 , C30B29/22 , H01L21/205
摘要：【課題】炭素不純物濃度の低減と高い成膜速度を両立させることができ、かつ安定的な結晶構造の作り分けを可能にする酸化物結晶薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方と水とを含む原料溶液24aを微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室27に供給する工程を備え、前記ガリウム化合物とインジウム化合物の少なくとも一方は、臭化物又はヨウ化物である、酸化物結晶薄膜の製造方法。薄膜はコランダム構造を有し、酸化ガリウムは、α型Ga2O3結晶を有する薄膜。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够调节碳杂质浓度降低和高成膜速度的氧化物晶体薄膜的制造方法，并分别制造稳定的晶体结构。解决方案：一种氧化物晶体薄片的制造方法膜包括通过将含有镓化合物和铟化合物和水中的至少一种的原料溶液24a雾化到成膜室27而生成的原料微粒的步骤，其中镓化合物和铟中的至少一种化合物是溴化物或碘化物。该薄膜具有刚玉结构，并且氧化镓在薄膜中具有α型GaO晶体。

9. 发明专利

JP2017117955A 光電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017117955A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015252321
申请日：2015-12-24
申请人：株式会社Flosfia , Flosfia Inc , 株式会社Flosfia
发明人： HIROKI KAZUAKI , KATORI SHIGETAKA , ODA SHINYA , HITORA TOSHIMI
IPC分类号： H01L51/44
CPC分类号： Y02E10/549
摘要：【課題】光応答性や電気特性に優れた光電変換素子を工業的有利に製造する方法を提供する。【解決手段】正孔輸送層を電気化学重合法によって形成する。そして、正孔輸送層上に、金属酸化物およびペロブスカイト結晶を含む光電変換層を積層する。ここで、前記正孔輸送層上に、前記光電変換層を積層する際に、金属酸化物とペロブスカイト結晶の前駆体との溶液を、前記正孔輸送層上に塗布し、ついで、アニールすることによってペロブスカイト結晶を形成する。【選択図】なし

10. 发明专利

JP2021172552A 結晶膜审中-公开
公开(公告)号：JP2021172552A
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：JP2020077066
申请日：2020-04-24
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：大島祐一 , 河原克明
IPC分类号： C30B25/04 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L29/24 , C30B29/16
摘要：【課題】半導体装置等に有用な、Si等の不純物が低減された高品質な結晶膜を提供する。【解決手段】原料から結晶成長により基板上に結晶膜を形成する結晶膜の製造方法において、前記原料がGaCl 3 を含み、前記の結晶成長を、前記基板上に、直接または他の層を介して、凹部または凸部からなる凹凸部を形成し、ついで、該凹凸部上に原料の分圧1kPa以上の結晶成長条件にて結晶膜を形成することにより、ガリウムを含む結晶性金属酸化物を主成分として含む結晶膜であって、Siの含有量が2×10 15 cm −3 以下である結晶膜を作製する。【選択図】なし

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