基本信息:
- 专利标题： TiN膜の成膜方法および記憶媒体
- 专利标题（英）：JP6280721B2 - Deposition method and a storage medium of the TiN film
- 申请号：JP2013206983 申请日：2013-10-02
- 公开(公告)号：JP6280721B2 公开(公告)日：2018-02-14
- 发明人： 山▲崎▼ 英亮 , 岡部 真也 , 山本 健史 , 大西 徹
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社
- 申请人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都港区赤坂五丁目3番1号
- 代理人： 高山 宏志
- 优先权： JP2013009278 2013-01-22
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/285 ; C23C16/34 ; C23C16/50 ; C23C16/455 ; C23C16/44
公开/授权文献:
- JP2014159625A METHOD OF FORMING TiN FILM AND MEMORY MEDIUM 公开/授权日：2014-09-04
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |