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    • 3. 发明专利
    • The cleaning composition of nano-electronics and micro-electronics
    • JP2007525851A
    • 2007-09-06
    • JP2007501798
    • 2005-02-11
    • マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッドMallinckrodt Baker, Inc.
    • チーン・ピン・シャーマン・シュ
    • H01L21/304C11D3/04C11D3/39C11D3/395C11D3/43C11D7/18C11D7/22C11D7/26C11D7/32C11D7/34C11D7/38C11D7/50C11D11/00C11D17/00G03F7/42
    • C11D11/0047C11D3/3947C11D3/3956C11D7/22C11D7/261C11D7/34C11D7/5004C11D7/5009C11D7/5022G03F7/422G03F7/425G03F7/426
    • ナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの基板を超臨界流体状態条件下で洗浄するためのナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物、特に、二酸化ケイ素、繊細な低κまたは高κ誘電体および銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クロム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、スズおよび他のメタライゼーションを特徴とするナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの基板、並びにAlまたはAl(Cu)メタライゼーションおよび先端的な相互接続技術の基板に有用であり、これらとの適合性が改善された洗浄組成物は、本発明のナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物を含むナノエレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクスの洗浄組成物により提供される。 これらは、以下を含む組成物により提供される:(1)250℃の温度またはそれ以下、および600バール(592.2気圧、8702.3psi)の圧力またはそれ以下で超臨界流体状態に達する超臨界主要流体、および(2)第2の流体として、以下の製剤から選択される修飾製剤:a)以下を含む製剤:酸化剤;アミド類、スルホン類、スルホレン類、セレノン類および飽和アルコール類からなる群から選択される極性有機溶媒;および、場合による他の成分;b)以下を含む珪酸塩不含製剤:アミド類、スルホン類、セレノン類および飽和アルコール類からなる群から選択される極性有機溶媒;強アルカリ塩基;および場合による他の成分;c)以下を含む製剤:約0.05重量%ないし30重量%の、非求核性の正荷電対イオンを含有する1種またはそれ以上の非アンモニウム産生強塩基;約0.5ないし約99.95重量%の、1種またはそれ以上の、腐食阻害性溶媒化合物、該腐食阻害性溶媒化合物は、金属と錯体化し得る少なくとも2個の部位を有する;および、場合による他の成分;d)以下を含む製剤:約0.05ないし20重量%の、1種またはそれ以上の非アンモニウム産生、非HF産生フッ化物塩;約5ないし約99.95重量%の水、有機溶媒または水と有機溶媒の両方;および、場合による他の成分;並びにe)以下を含む製剤:約0.05%ないし30重量%の、非求核性の正荷電対イオンを含有する1種またはそれ以上の非アンモニウム産生強塩基;約5ないし約99.95重量%の、1種またはそれ以上の立体障害のあるアミド溶媒;および、場合による他の成分。