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2. 发明专利

JP2017527652A 少なくとも１つの機能的装飾層を含む粘着防止コーティングおよびこのようなコーティングを含む物品审中-公开
公开(公告)号：JP2017527652A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2017501258
申请日：2015-07-06
申请人：セブソシエテアノニム , セブソシエテアノニム
发明人：ルブリステファニー , ルブリステファニー , ペリオンジャン−リュック , ペリオンジャン−リュック , ワクジャン , ワクジャン , シリー−ブローヘレン , シリー−ブローヘレン , ジョビックステファーヌ , ジョビックステファーヌ
IPC分类号： C09D201/00 , A47J36/02 , C09D5/29 , C09D7/12
CPC分类号： C09D5/26 , A47J36/025 , C01B33/20 , C01B33/24 , C01G49/0054 , C01P2004/61 , C01P2006/60 , C08K3/22 , C08K2003/2265 , C09D1/00 , C09D7/1216 , C09D7/61 , C09D127/18 , C09K9/00 , G01K11/14 , G01K2207/08
摘要：本発明は、少なくとも1つの機能的装飾層を含む粘着防止コーティングであって、0℃〜40℃の低温と80℃〜400℃の高温との間の温度変化にさらされる場合に、光学および/または比色特性の可逆的な変化を有する顔料組成物を含む、粘着防止コーティングに関する。また、本発明によれば、顔料組成物は、粒子の形態の少なくとも1種の式Y(3-x)MxFe(5-y)QyO12(式中、Mは、ランタニド、アルカリ金属、アルカリ土類金属および酸化度(DO)が+3のメタロイドから選択され、Qは、ランタニド、酸化度が+4の非金属、DOが+3または+4の金属、DOが+2または+4の遷移金属、アルカリ土類金属およびアルカリ金属で構成されている群から選択され、xは、0から0.3であり、yは、0から3である)の化合物を含む。

3. 发明专利

JPWO2014021149A1 フェライト焼結磁石の製造方法及びフェライト焼結磁石有权
标题翻译：生产过程和铁氧体烧结磁体的铁氧体烧结磁体
公开(公告)号：JPWO2014021149A1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：JP2014528086
申请日：2013-07-24
申请人：日立金属株式会社
发明人：義徳小林 , 義徳小林 , 誠一細川 , 誠一細川 , 悦志尾田 , 悦志尾田
IPC分类号： H01F41/02 , C04B35/26 , H01F1/11
CPC分类号： H01F1/11 , C01G49/0054 , C01G51/40 , C01P2004/62 , C01P2006/42 , C04B35/2633 , C04B35/2641 , C04B35/62685 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3227 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3418 , C04B2235/605 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/767 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , H01F41/0266
摘要：一般式:Ca1-x-yLaxAyFe2n-zCozにおいて、前記1-x-y、x、y及びz、並びにモル比を表わすnが所要範囲を満足する原料粉末を仮焼、粉砕、成形、焼成するに際して、仮焼後、成形前において、仮焼体に1.8質量%以下のSiO2及びCaO換算で2質量%以下のCaCO3を添加し、焼成工程において、1100℃〜焼成温度での昇温速度を1〜4℃/分、及び焼成温度〜1100℃での降温速度を6℃/分以上とすることによって、六方晶のM型マグネトプランバイト構造を有するフェライトからなる主相と、二つの主相間に存在する第一の粒界相と、三つ以上の主相間に存在する第二の粒界相とを有し、任意の断面において、前記第二の粒界相が散在しており、前記第二の粒界相の平均面積が0.2μm2未満であるフェライト焼結磁石を製造する。
摘要翻译：通式：在CA1-X-yLaxAyFe2n-zCoz，其中1-XY中，x，y和z，和煅烧的原料粉末n满足表示的摩尔比要求的范围内，研磨，模制，在焙烧时，临时烧结后，在模制之前，煅烧体在术语中加入碳酸钙2质量％以下的SiO 2和CaO 1.8质量％，在烧成工序中，1至4℃，在1100℃〜烧结温度的升温速度 /分钟，并且通过在烧结温度下C的冷却速度为1100℃和6℃下/分钟以上，并且两个主要阶段之间由铁氧体具有M型磁铅石结构的六边形，第一本的主相和一种晶界相，并且三个或更多个主相之间存在的任何横截面的第二晶界相，所述第二晶界相是分散的，所述第二颗粒以产生Sakaisho的平均面积的铁氧体烧结磁体是小于0.2Myuemu2。

4. 发明专利

JP2016059860A 纎維状ペロブスカイト型酸化物触媒の製造方法有权
标题翻译：制备薄膜型氧化物催化剂的方法
公开(公告)号：JP2016059860A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014188923
申请日：2014-09-17
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：新田巖
IPC分类号： B01J37/04 , B01J23/83 , B01J35/02 , B01J37/08
CPC分类号： H01M4/9016 , C01G49/0054 , C01G51/68 , H01M12/08 , H01M4/9033 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/10 , C01P2004/40 , C01P2006/12 , Y02E60/128
摘要：【課題】纎維状ペロブスカイト型酸化物触媒の酸素還元活性を改善することができる。【解決手段】纎維状ペロブスカイト型酸化物触媒の製造方法は、La、Sr、Fe、Co、O元素を含む金属塩と、第1ポリマーと、Zn元素を含む金属塩と、第1溶媒とを混合して第1溶液を調整する第1調整工程と、第1溶液をエレクトロスピニング法で噴射して前駆体ファイバーを作製する噴射工程と、前駆体ファイバーを加熱してZn酸化物を有するペロブスカイト型酸化物を作製する焼成工程と、ペロブスカイト型酸化物をアルカリ溶液に含侵させてZn酸化物を除去する含侵工程と、を備える。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提高纤维状钙钛矿型氧化物催化剂的氧还原活性。溶解性：一种纤维状钙钛矿型氧化物催化剂的制造方法，包括：含有La，Sr，Fe，Co和O元素的金属盐的第一制备工序，含有Zn元素的第一聚合物金属盐和第一溶剂以制备第一溶液，通过静电纺丝法喷涂第一溶液以制备前体纤维的喷涂方法，用于加热前体纤维以制造钙钛矿的煅烧方法具有Zn氧化物的氧化物，以及将钙钛矿氧化物浸渍到碱溶液中以除去Zn氧化物的浸渍方法。选择图：无

5. 发明专利

JP5873333B2 フェライト焼結磁石の製造方法及びフェライト焼結磁石有权
标题翻译：生产过程和铁氧体烧结磁体的铁氧体烧结磁体
公开(公告)号：JP5873333B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2011520863
申请日：2010-06-17
申请人：日立金属株式会社
发明人：尾田悦志 , 小林義徳
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/32 , C04B35/40 , H01F1/08 , H01F41/02 , H01F1/11
CPC分类号： H01F1/0557 , C01G49/0054 , C01G51/68 , C04B35/2633 , C04B35/2641 , H01F1/11 , H01F1/348 , H01F41/0266 , H01F7/02 , C01P2002/76 , C01P2006/42 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/44 , C04B2235/442 , C04B2235/767 , C04B2235/85

6. 发明专利

JP5688733B2 誘電体化合物の製造方法有权
标题翻译：的电介质化合物的制造方法
公开(公告)号：JP5688733B2
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：JP2010541352
申请日：2009-12-03
申请人：国立大学法人岡山大学 , 国立大学法人岡山大学
发明人：藤井　達生 , 達生藤井 , 高田　潤 , 潤高田 , 直池田 , 直池田 , 中西　真 , 真中西
IPC分类号： C01G49/00 , H01B3/00 , H01B3/12
CPC分类号： H01B19/00 , B82Y30/00 , C01G49/0054 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/64 , C01P2006/42 , C04B35/2675 , C04B2235/3224 , C04B2235/3272 , C04B2235/3274 , C04B2235/763 , C04B2235/80 , H01B3/10

8. 发明专利

JP2012012283A Bi-SUBSTITUTED RARE EARTH IRON GARNET SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING SAME AND OPTICAL DEVICE 审中-公开
标题翻译：双重选择的稀土红土GARNET单晶，其生产方法和光学器件
公开(公告)号：JP2012012283A
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：JP2010286830
申请日：2010-12-23
申请人： Namiki Precision Jewel Co Ltd , 並木精密宝石株式会社
发明人： SHIRAKI KENICHI , FUKUHARA TAKASHI , NARITA KENJI
IPC分类号： C30B29/28 , C30B19/04 , H01F1/34
CPC分类号： C01G49/02 , C01G49/0018 , C01G49/0054 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/09 , H01F10/24
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a garnet single crystal which contains no lead while using a crucible made of platinum, is free from deterioration in quality and rich in mass-productivity, and has an insertion loss of ≤0.10 dB.SOLUTION: A Bi-substituted rare earth iron garnet single crystal has a composition represented by RBiFeAO(wherein, R must contain Gd, and may optionally contain at least one rare earth element; A represents at least one element selected from a group consisting of Ga, Al, In, or the like; x is >0.7 and ≤1.5; and w is >0 and ≤1.5), does not contain Pb but contains Pt, and contains Mn or at least one element of the group II elements. When Mn or the at least one element of the group II elements is expressed as M, the concentration (atppm) of M in the Bi-substituted rare earth iron garnet single crystal is expressed as [M], and the concentration (atppm) of Pt is expressed as [Pt], and further, the relational expression Δ of [M] and [Pt] is represented as Δ=(0.8[M])-[Pt], the value of Δ is set to be within the range of -0.34 to 2.87 atppm.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在使用铂制坩埚时不含铅的石榴石单晶，其质量没有劣化并且生产率高，并且具有≤0.10dB的插入损耗。解决方案：双取代稀土铁石榴石单晶具有由R 3-x Bi x 12 （其中，R必须包含 Gd，并且可以任选地含有至少一种稀土元素; A表示选自由Ga，Al，In等组成的组中的至少一种元素; x> 0.7和≤1.5;并且w> 0和≤ 1.5），不含Pb但含有Pt，并含有Mn或II族元素的至少一种元素。当Mn或II族元素中的至少一种元素表示为M时，Bi取代稀土铁石榴石单晶中M的浓度（atppm）表示为[M]，浓度（atppm）表示为 Pt表示为[Pt]，此外，[M]和[Pt]的关系式Δ表示为Δ=（0.8 [M]） - [Pt]，Δ的值被设定在范围为-0.34至2.87 atppm。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JPWO2009151000A1 熱電変換素子有权
公开(公告)号：JPWO2009151000A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：JP2010516830
申请日：2009-06-05
申请人：学校法人慶應義塾
发明人：健一内田 , 健一内田 , 瑛祐梶原 , 瑛祐梶原 , 裕康中山 , 裕康中山 , 英治齊藤 , 英治齊藤
IPC分类号： H01L29/82 , C01G49/00 , H01L35/22 , H01L35/32 , H02N11/00
CPC分类号： C01G49/009 , C01G49/0054 , C01P2002/77 , C01P2006/42 , H01L37/00
摘要：熱電変換素子に関し、スピン−ゼーベック効果素子の性能指数を高めて熱電変換効率を高める。磁性誘電体からなる熱スピン波スピン流発生部材の少なくとも一端側に逆スピンホール効果部材を設け、前記熱スピン波スピン流発生部材に温度勾配を設けるとともに磁場印加手段により磁場を印加して前記逆スピンホール効果部材において熱スピン波スピン流を電圧に変換して取り出す。

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