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1. 发明专利

JP2014523815A Process for sealing type mems device comprising a portion which is exposed to the environment 审中-公开
公开(公告)号：JP2014523815A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2014519180
申请日：2012-06-29
申请人：インベンセンス,インク.Invensense,Inc.
发明人：デインマン，マイケル，ジェイ． , リム，マーティン , シーガー，ジョセフ , チャートコフ，イーゴリ , ナシリ，スティーヴン，エス．
IPC分类号： B81C3/00 , B81B7/02 , H01L23/02 , H01L23/28 , H01L25/16
CPC分类号： H01L23/10 , B81B2201/0264 , B81B2201/047 , B81B2207/115 , B81C1/00238 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0792 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G02B26/0833 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：外部環境に曝露される部分を備えるＭＥＭＳデバイスを提供する方法およびシステムが開示される。方法は、ハンドルウエハをデバイスウエハに接合して、ハンドルウエハとデバイスウエハとの間に配設される誘電体層を備えるＭＥＭＳ基板を形成するステップを含んでいる。方法は、少なくとも１つのスタンドオフをデバイスウエハ上にリソグラフィにより画成するステップと、少なくとも１つのスタンドオフを集積回路基板に接合して、ＭＥＭＳ基板と集積回路基板との間に封止キャビティを形成するステップを含んでいる。本方法は、ハンドルウエハにおける少なくとも１つの開口部、スタンドオフ、または集積回路基板を画成して、デバイスウエハの一部を外部環境に曝露するために一部を曝露するステップを含んでいる。
【選択図】なし

2. 发明专利

JP2013180345A Sensor device 有权
标题翻译：传感器设备
公开(公告)号：JP2013180345A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：JP2012043380
申请日：2012-02-29
申请人： Omron Corp , オムロン株式会社
发明人： KASAI TAKASHI
IPC分类号： B81B3/00 , H01L29/84 , H04R19/04
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B7/0064 , B81B2201/0257 , B81B2201/0292 , B81B2207/115 , B81C1/00246 , H04R1/04 , H04R1/06 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/006
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To further surely protect a circuit from being contaminated or a disturbed from the outside in a sensor device having a monolithic structure in which a sensor and the circuit are integrally formed.SOLUTION: A sensor 33 is provided at the central part of the upper surface of a semiconductor substrate 32 such as an Si substrate. Additionally, a circuit 34 is provided on the upper surface of the semiconductor substrate 32 so as to encircle the sensor 33. The upper surface of the circuit 34 is covered by an insulating coating layer 45 formed of SiO. Furthermore, a protective film 41 of the sensor 33 also extends to the circuit 34 and covers the upper part of the circuit 34 from above the insulating coating layer 45. Moreover, almost the whole of the upper part of the circuit 34 is covered with a metal protective film 46 formed on the protective film 41.
摘要翻译：要解决的问题：为了进一步确保电路在具有整体式结构的传感器装置中被外部污染或受到干扰，传感器和电路一体形成。传感器33设置在中央部分的诸如Si衬底的半导体衬底32的上表面。此外，电路34设置在半导体基板32的上表面上以围绕传感器33.电路34的上表面被由SiO形成的绝缘涂层45覆盖。此外，传感器33的保护膜41也延伸到电路34并从绝缘涂层45的上方覆盖电路34的上部。此外，电路34的整个上部几乎覆盖有金属保护膜46形成在保护膜41上。

3. 发明专利

JP2017173310A 劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2017173310A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2017026731
申请日：2017-02-16
申请人：メレクシス・テクノロジーズ・ナムローゼフェンノートシャップ
发明人：ローラン・オット , ジアン・チェン , アポロニウス・ヤコブス・ファン・デル・ウィール
IPC分类号： G01L9/00 , H01L29/84 , H01L21/60 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L23/28 , F01N3/00 , G01L23/24
CPC分类号： B81B7/0058 , B81C1/0023 , G01L19/0645 , G01L19/147 , G01L23/24 , G01L9/0054 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/098 , B81B2207/115 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137
摘要：【課題】劣悪な媒体用途のための半導体圧力センサを提供する。【解決手段】第1の空洞(1244)と、電気的相互接続のための第1のボンドパッド(1211)を備える圧力センサ(1210)と、圧力センサ(1210)との電気的相互接続のための第2のボンドパッド(1241)を備えるCMOSチップ(1240)と、ボンディングワイヤを介して圧力センサおよびCMOSチップに接続された導電経路(1233)を有する相互接続モジュール(1230)であって、耐腐食性金属トラック(1233)を有する基板である、相互接続モジュールと、を備え、CMOSチップ(1240)と相互接続モジュールの一部とがプラスチックパッケージ(1243)によって被包されている、腐食性成分を含有する排気ガスの圧力を計測するための半導体圧力センサ組立体(1200)である。【選択図】図12

4. 发明专利

JP2017028271A 積層ダイのための応力隔離特徴有权
标题翻译：应力隔离部件用于堆叠管芯
公开(公告)号：JP2017028271A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016138368
申请日：2016-07-13
申请人：アナログ・デバイシズ・インコーポレーテッド
发明人：シャオジーシュー , マイケルジェイ. ジリンスキー , トーマスエム. ゴイダ , キャサリーンオー. オドネル
IPC分类号： B81B7/02 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12
CPC分类号： B81B7/0048 , B81C1/00365 , H01L23/057 , H01L23/562 , H01L25/0657 , B81B2207/115 , B81C2201/0147 , B81C2203/0136 , H01L2225/06575
摘要：【課題】積層された集積デバイスダイならびに積層された集積デバイスダイのための応力隔離特徴を提供すること。【解決手段】集積デバイスパッケージが開示される。本パッケージは、第1の集積デバイスダイ、および第1の集積デバイスダイ上に堆積される第2の集積デバイスダイ等のキャリアを含み得る。本パッケージは、第1の集積デバイスダイの外面の少なくとも一部をコーティングし、第2の集積デバイスダイと第1の集積デバイスダイとの間に配置される緩衝層を含み得る。この緩衝層は、第1の集積デバイスダイと第2の集積デバイスダイとの間の応力の伝達を低減するパターンを含み得る。【選択図】なし
摘要翻译：以提供用于堆叠式集成器件管芯和堆叠集成器件管芯上的应力隔离部件。一种集成器件封装中被公开。该包可包括第一集成电路器件管芯，并且第一第二集成器件管芯等沉积在集成器件管芯载体。这个包，涂层至少所述第一集成器件管芯的外表面的部分可以包括设置在第二集成器件管芯和所述第一集成器件管芯之间的缓冲层。缓冲层可以包括减少应力的第一集成器件管芯和第二集成器件管芯之间的传输的图案。系统技术领域

5. 发明专利

JP2009534174A Microfabricated device and a method of manufacturing the same 审中-公开
公开(公告)号：JP2009534174A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2009506547
申请日：2007-04-17
申请人：バイオスケール, インコーポレイテッド
发明人：シバリクバクシ， , マイケルエフ．ミラー，
IPC分类号： B01J19/00 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01N37/00 , H01L21/28 , H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/187 , H01L41/22
CPC分类号： B81B2201/0214 , B81B2207/115
摘要：第１および第２の面を有する基板と、基板の第１の面上に配置されている第１の電極材料層とを含む、流体中で作動させるための微細加工デバイスを提供する。このデバイスは、第１の電極材料層上に配置されている圧電材料層と、圧電材料層上に配置されている第２の電極材料層とを有する。このデバイスは、また、第２の電極材料層上に配置され、第２の電極材料層の一部を流体から化学的または電気的のうちの少なくとも一方で分離する分離材料の層をも含む。あるデバイスは、分離材料の層上に配置されている導電性材料の層を含む。

6. 发明专利

JP2007519228A High temperature electronic devices 有权
公开(公告)号：JP2007519228A
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：JP2006541394
申请日：2004-11-18
申请人：ハリバートンエナジーサービシーズ,インコーポレーテッド
发明人：ゴラ，クリストファー，エイ , シュルツ，ロジャー，エル , フリーマン，ジェイムズ，ジェイ , マジノ，ジェイムズ，イー , ロドニー，ポール，エフ
IPC分类号： H01L21/822 , B81B7/00 , E21B20060101 , E21B7/00 , E21B45/00 , G01V20060101 , G01V3/08 , H01L20060101 , H01L21/86 , H01L23/02 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L29/84 , H01L35/30 , H01Q20060101
CPC分类号： E21B47/0002 , B81B2207/115 , E21B47/011 , G01V1/40 , H01L21/86 , H01L23/3157 , H01L27/12 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： A resistivity tool includes receiver electronics near each receiver antenna loop. Placement of the electronics in this position such as at the circuit card between the terminal ends of the receiver antenna loop improves signal to noise ratio by reducing or eliminating interference, noise, and cross-talk of transmissions from the receiver to a remote microprocessor. By using material such as silicon-on-sapphire, electronics can be miniaturized and operate reliably at when exposed to high temperatures, even for long periods.

7. 发明专利

JP6187684B2 部品上にパターン化されたコーティングを形成する方法有权
公开(公告)号：JP6187684B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2016520322
申请日：2014-05-12
申请人： TDK株式会社
发明人：パール、ウォルフガング
IPC分类号： B81C3/00 , H01L23/02 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00825 , B81B7/0058 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81B2207/115 , B81C2201/053 , B81C2203/0785 , H01L2224/16225 , H01L2224/48137 , H01L2224/73257 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152

8. 发明专利

JP5861497B2 センサ装置有权
公开(公告)号：JP5861497B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2012043380
申请日：2012-02-29
申请人：オムロン株式会社
发明人：笠井隆
IPC分类号： H04R19/04 , H01L29/84 , B81B3/00
CPC分类号： B81B7/0058 , B81B7/0064 , B81C1/00246 , H04R19/005 , H04R31/006 , B81B2201/0257 , B81B2201/0292 , B81B2207/115 , H04R1/04 , H04R1/06 , H04R19/04

9. 发明专利

JP4968371B2 Sensor device manufacturing method and a sensor device 有权
公开(公告)号：JP4968371B2
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：JP2010150109
申请日：2010-06-30
申请人：大日本印刷株式会社
发明人：貴正高野
IPC分类号： G01P15/08 , B81B3/00 , B81C1/00 , G01P15/12 , H01L21/60 , H01L25/16 , H01L29/84
CPC分类号： H01L29/84 , B81B7/0025 , B81B7/0054 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2207/096 , B81B2207/115 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0842 , H01L21/02 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48992 , H01L2224/48997 , H01L2224/49113 , H01L2224/49171 , H01L2224/8592 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要： A method for manufacturing a sensor device is provided. The method prevents corrosion of metal electrodes of a sensor due to outside air with high humidity and preventing the occurrence of warpage of the sensor due to resin sealing of the sensor, thereby reducing the influence on sensor characteristics, and provides the sensor device. The method includes arranging a sensor on a substrate, the sensor having a fixed part, a movable part positioned inside the fixed part, a flexible part connecting the fixed part and the movable part, and a plurality of metal electrodes, electrically connecting the plurality of metal electrodes of the sensor and a plurality of terminals of the substrate with bonding wires, and covering portions of the plurality of metal electrodes of the sensor connected to the bonding wires with a resin so that a part of the bonding wires between the plurality of metal electrodes and the plurality of terminals is exposed.

10. 发明专利

JP4769729B2 High temperature electronic devices 有权
公开(公告)号：JP4769729B2
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：JP2006541394
申请日：2004-11-18
申请人：ハリバートンエナジーサービシーズ,インコーポレーテッド
发明人：ゴラ，クリストファー，エイ , シュルツ，ロジャー，エル , フリーマン，ジェイムズ，ジェイ , マジノ，ジェイムズ，イー , ロドニー，ポール，エフ
IPC分类号： H01L27/04 , B81B7/00 , E21B20060101 , E21B7/00 , E21B45/00 , G01V20060101 , G01V3/08 , H01L20060101 , H01L21/822 , H01L21/86 , H01L23/02 , H01L27/12 , H01L29/06 , H01L29/786 , H01L29/84 , H01L35/30 , H01Q20060101
CPC分类号： E21B47/0002 , B81B2207/115 , E21B47/011 , G01V1/40 , H01L21/86 , H01L23/3157 , H01L27/12 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要： A resistivity tool includes receiver electronics near each receiver antenna loop. Placement of the electronics in this position such as at the circuit card between the terminal ends of the receiver antenna loop improves signal to noise ratio by reducing or eliminating interference, noise, and cross-talk of transmissions from the receiver to a remote microprocessor. By using material such as silicon-on-sapphire, electronics can be miniaturized and operate reliably at when exposed to high temperatures, even for long periods.

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