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1. 发明专利

JP2017096500A 紫外線光源、及び紫外線光源用のガスケット审中-公开
公开(公告)号：JP2017096500A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2016226380
申请日：2016-11-22
申请人：ヘレウスノーブルライトアメリカエルエルシー
发明人：レオンハルト、ダリン , ウッド、チャールズ、エイチ. , スプランクル、デイビッド、エー.
IPC分类号： H01J65/04 , F16J15/10
CPC分类号： F16J15/022 , B05D3/061 , G02B19/0095 , H01J5/12 , H01J5/14 , H01J5/16 , H01J61/34 , H01J65/044
摘要：【課題】紫外線光源に使用されるガスケットの組み込み容易化、導電性の長期維持、アーク放電防止を図る。【解決手段】非変形状態にあるときに長手方向軸に沿って延伸する矩形断面、「T」形状断面、「L」形状断面のガスケット100a、100b、100c、100dはシリコーンベースの弾性材料から形成された本体部を含む。本体部は、導電性であり、本体部の全体に分配された導電性粒子100a4を含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP4392803B2 The light source device 有权
公开(公告)号：JP4392803B2
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：JP2007072071
申请日：2007-03-20
申请人： Hoya Candeo Optronics株式会社
发明人：克己芦田
IPC分类号： H01J5/50 , F21S2/00 , F21V19/00 , H01R33/02
CPC分类号： G02B6/4298 , B05D3/061 , F21V19/006 , G02B6/403

3. 发明专利

JP2008222788A Patterned microparticle film and method for producing patterned microparticle film 有权
标题翻译：图案微阵列薄膜及其制作方法
公开(公告)号：JP2008222788A
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：JP2007060548
申请日：2007-03-09
申请人： Kagawa Univ , 国立大学法人香川大学
发明人： OGAWA KAZUFUMI
IPC分类号： C09D201/00 , B01J19/00 , B01J19/12 , B05D3/00 , C09D7/12 , C09D183/00
CPC分类号： C07F7/0801 , B01J2219/00612 , B01J2219/00626 , B01J2219/00637 , B05D1/185 , B05D3/061 , B05D7/52 , B05D7/56 , B05D2203/35 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08K3/08 , C08K5/5435 , C08K9/06 , C09D4/00 , C09D7/1225 , C09D7/62 , C09D183/06 , G03F7/165 , G03F7/265 , Y10T428/24802 , C08G77/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a patterned monolayer microparticle film prepared by forming only one layer of microparticles arranged in a pattern on the surface of an arbitrary substrate without detriment to the inherent function of the microparticles, to provide a patterned microparticle film prepared by laminating a plurality of such layers on the surface, and to provide methods for producing them. SOLUTION: The patterned microparticle film 1 or 3 is composed of a substrate 14 coated with a patterned coating film formed from a first film compound having a first functional group and either one microparticle layer which is composed of arranged reactive microparticles 42 coated with a coating film formed from a first coupling agent having a first coupling group forming a bond by coupling with the first functional group and is bound and immobilized on the surface of the substrate 14 through the bond formed by the coupling or a plurality of layers, bound and immobilized on the substrate, which alternatingly include at least one layer of microparticles 34 coated with a coating film formed from a film compound reactive with the first coupling group and at least one layer of the microparticles 42. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了获得通过在任意基板的表面上仅形成图案布置的一层微粒而不损害微粒的固有功能而制备的图案化单层微粒膜，以提供图案化微粒膜通过在表面上层叠多个这样的层而制备，并提供其制造方法。解决方案：图案化微粒膜1或3由涂覆有由具有第一官能团的第一膜化合物形成的图案化涂膜的基板14和由涂布有第一官能团的布置的反应性微粒42组成的一个微粒层由具有第一偶联基团的第一偶联剂形成的涂膜，所述第一偶联剂通过与第一官能团结合而形成键，并且通过由所述键合或多个层形成的键被结合并固定在基板14的表面上，并固定在基板上，其交替地包括涂覆有由与第一偶联基团反应的膜化合物形成的涂层的至少一层微粒34和至少一层微粒42.版权所有（C） 2008年，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2006520679A Spray gun and a method for applying the actinic radiation curable coating 审中-公开
公开(公告)号：JP2006520679A
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：JP2006501779
申请日：2004-02-04
申请人：アクゾノーベルコーティングスインターナショナルビーヴィ
发明人：フイグクリンケンベルグ， , グラーフ，ダニエルデ , エドワルドマリヌス， , ヨゼフ，パンクラティウス，マリアヨンケル，
IPC分类号： B05B7/02 , B05B7/22 , B05B17/04 , B05C9/12 , B05D1/02 , B05D3/06 , C09D5/00 , C09D7/12 , C09D201/00
CPC分类号： C08G18/3876 , B05B7/228 , B05D1/02 , B05D3/0209 , B05D3/061 , B05D3/067 , C08G18/792 , C09D175/04
摘要：本発明は、スプレーノズル及び少なくとも一つの化学照射線出口を有する、コーティングを施与するためのスプレーガンにおいて、少なくとも一つの化学照射線出口が外部に配置されており、かつ該照射出口及びスプレーノズルが、コーティングされるべき基体に同時に向けることができることを特徴とするスプレーガン、及び化学照射線により少なくとも部分的に硬化可能であるところのコーティング組成物を施与する方法に関する。本発明に従うスプレーガンは、たとえ、化学照射線により開始と硬化反応の実際の開始との間の誘導期間がないとしても、化学照射線硬化性コーティング組成物の全てのタイプのために適している。施与直後のコーティング物質の流れと乾燥速度とのバランスが特に有利である。

9. 发明专利

JP2003011100A Accumulation method for nanoparticle in gas flow and surface modification method 审中-公开
标题翻译：气体流量和表面改性方法中的纳米颗粒的累积方法
公开(公告)号：JP2003011100A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：JP2001195521
申请日：2001-06-27
申请人： Matsushita Electric Ind Co Ltd , 松下電器産業株式会社
发明人： SUZUKI NOBUYASU , MAKINO TOSHIHARU , YAMADA YUKA , YOSHIDA TAKEHITO
IPC分类号： B82B3/00 , B05D1/12 , B05D3/06 , C23C4/12 , C23C14/58 , H01L21/203
CPC分类号： C23C14/5813 , B05D1/12 , B05D3/061 , C23C4/12 , C23C14/5846
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an accumulation method for nanoparticles in a gas flow capable of efficiently accumulating the nanoparticles in charged states in the gas flow and easily controlling the surface modification of the nanoparticles extremely sensitive to defects and impurities due to the large exposure rate of the surface atoms and to provide the surface modification method. SOLUTION: This accumulation method for the nanoparticles in the gas flow neutralizes the charged nanoparticles in a first gaseous species flow 101 containing the nanoparticles by irradiating an electronic beam 112 thereto and efficiently accumulates them. This surface modification method for the nanoparticles in the gas flow modifies the surfaces of the nanoparticles by mixing second gaseous species with the first gaseous species in a gas mixing chamber 103 and activating the second gaseous species.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在气流中以充电状态有效地积聚纳米颗粒的气流中的纳米颗粒的积聚方法，并且容易地控制由于大的曝光率而对缺陷和杂质非常敏感的纳米颗粒的表面改性的表面原子并提供表面改性方法。解决方案：气流中纳米颗粒的积聚方法通过向其中照射电子束112并有效地累积它们来中和包含纳米颗粒的第一气态物质流101中带电的纳米颗粒。气体流中纳米颗粒的这种表面改性方法通过在气体混合室103中混合第二气态物质与第一气态物质并激活第二气态物质来改变纳米颗粒的表面。

10. 发明专利

JPS6179771A Method and device for vapor growth 失效
标题翻译：用于蒸气生长的方法和装置
公开(公告)号：JPS6179771A
公开(公告)日：1986-04-23
申请号：JP20123084
申请日：1984-09-26
申请人： Applied Material Japan Kk
发明人： MAEDA KAZUO , TOKUMASU TOKU , FUKUYAMA TOSHIHIKO , HIRATA TSUGUAKI
IPC分类号： C23C16/44 , B05D3/06 , B05D7/24 , C23C16/442 , C23C16/455 , C23C16/46 , C23C16/48 , C30B25/10 , C30B25/14
CPC分类号： C23C16/45504 , B05D1/60 , B05D3/061 , C23C16/455 , C23C16/482 , C23C16/487 , C23C16/488 , C30B25/105 , C30B25/14
摘要： PURPOSE:To prevent generation of particles on the film formed on a surface of a substrate by running parallel a reactive gas on the surface of a substrate and running gaseous N2 of the same temp. in parallel with the reactive gas in the upper part of the reactive gas flow in a vapor reaction device. CONSTITUTION:A wafer 22 is imposed on a hot plate 20 and is heated up to a reaction temp. The SiH4-O2 or SiH4-PH3-O2 reactive gas is preliminarily heated up to about the reaction temp. by a heating coil 34 in a gas supply pipe 32 and is ejected from the many small holes 28 of a reactive gas supply nozzle 24 provided in the upper part thereof so as to flow in a belt shape along the surface of the wafer 22, thereby forming an SiO2 film or PSG film on the wafer 22 surface. The preheated gaseous N2 is ejected from a nozzle 28 above the reactive gas flow so as to flow in parallel with the reactive gas. The resultant product of reaction formed in the reactive gas is drifted by the parallel gaseous flow without falling onto the wafer 22 and without generating particles. A reaction chamber is not always required as there is the gaseous N2 and the vapor reaction device is simplified.
摘要翻译：目的：为了防止在衬底表面上形成的膜上产生颗粒，该反应气体平行于衬底表面并运行相同温度的气态N 2。与蒸汽反应装置中的反应气体流的上部中的反应气体平行。构成：将晶片22施加在热板20上并加热至反应温度。将SiH4-O2或SiH4-PH3-O2反应气体预先加热至约反应温度。通过气体供给管32中的加热线圈34，从设置在其上部的反应性气体供给喷嘴24的许多小孔28喷出，沿着晶片22的表面沿带状流动，在晶片22表面上形成SiO 2膜或PSG膜。预热的气态N 2从反应气流上方的喷嘴28喷出，以与反应气体平行流动。在反应气体中形成的反应产生的产物通过平行的气流漂移而不会落在晶片22上而不产生颗粒。由于有气态N 2并且蒸气反应装置被简化，反应室并不总是需要的。

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