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2. 发明专利

JP5980418B2 アミン基を有する非共役高分子を含む有機電子素子用機能層及びこれを含む有機電子素子有权
标题翻译：非共轭包括功能层，该有机电子器件聚合物有机电子装置包括一台带有胺基团
公开(公告)号：JP5980418B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2015514885
申请日：2012-11-30
申请人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人：リグァンヒ , カンホンギュ
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5056 , C08L77/04 , C09D139/02 , H01L27/302 , H01L51/0034 , H01L51/0059 , H01L51/0508 , H01L51/4246 , H01L51/44 , H01L51/5016 , H01L51/5068 , H01L51/5072 , H01L51/52 , H01L2251/5353 , H01L51/42 , Y02E10/549 , Y02P70/521

3. 发明专利

JP2015525470A アミン基を有する非共役高分子を含む有機電子素子用機能層及びこれを含む有機電子素子有权
标题翻译：非共轭包括功能层，该有机电子器件聚合物有机电子装置包括一台带有胺基团
公开(公告)号：JP2015525470A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015514885
申请日：2012-11-30
申请人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人：グァンヒリ , グァンヒリ , ホンギュカン , ホンギュカン
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/44 , H01L51/46
CPC分类号： H01L51/5056 , C08L77/04 , C09D139/02 , H01L27/302 , H01L51/0034 , H01L51/0059 , H01L51/0508 , H01L51/42 , H01L51/4246 , H01L51/44 , H01L51/5016 , H01L51/5068 , H01L51/5072 , H01L51/52 , H01L2251/5353 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：アミン基を有する非共役高分子を含む有機電子素子用機能層及びこれを含む有機電子素子が開示される。本発明の一実施形態に係る有機電子素子は、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と第2電極との間に配置される1層以上の有機物層を含む有機電子素子において、前記有機物層は電子輸送層を含み、前記電子輸送層はポリアリルアミンまたはポリリジンを含有する。
摘要翻译： OED公开包括用于有机电子器件的功能层和包含具有胺基的非共轭聚合物。根据本发明，第一电极，第二电极的一个实施方式的有机电子器件，和包括一个或多个被设置在第一电极和第二电极之间的有机材料层的有机电子器件，有机层包括电子传输层，电子传输层含有聚烯丙基胺或聚赖氨酸。

4. 发明专利

JP2014219381A レーザ誘起崩壊分光法を利用したＣＩＧＳ薄膜の深さによる成分定量分析方法审中-公开
标题翻译：使用CIGS薄膜的组分量化分析方法利用激光诱导衰变光谱
公开(公告)号：JP2014219381A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013268850
申请日：2013-12-26
申请人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー , Gwangju Inst Of Science & Technology
发明人： JEONG SUNG HO , KIM CHAN KYU , LEE SEOKHEE , IN JEONG HWAN , LEE HAKJAE
IPC分类号： G01N21/63 , H01L31/06
CPC分类号： G01J3/443 , G01N21/718 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要：【課題】特定元素の分光線のうち特性が類似している分光線を選択し、その強度を合わせた値を利用してCIGS薄膜の深さによる成分定量分析方法を提供する。【解決手段】本発明の第1実施例によるCIGS薄膜の深さによる成分定量分析方法は、CIGS薄膜にレーザビームを照射してプラズマを発生させて前記プラズマから発生する分光線を得るステップと、前記CIGS薄膜の特性元素の分光線のうち特性が類似している分光線を選択するステップと、前記選択された分光線の強度を合わせた値を利用して成分組成を測定する方法と、を含む。【選択図】図11
摘要翻译：要解决的问题：提供具有CIGS薄膜深度的分量定量分析方法，其选择在特定元素的谱线之间的特征相似的谱线，并且利用通过添加这些强度而获得的值。解决方案：A组分根据本发明第一实施例的具有CIGS薄膜深度的定量分析方法包括以下步骤：用激光束照射CIGS薄膜以产生等离子体，并获得从等离子体产生的光谱线; 选择CIGS薄膜特征元素谱线特征相似的谱线; 以及通过利用通过添加所选择的光谱线的强度而获得的值来测量成分组成。

5. 发明专利

JP2014523138A Solar cell module and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP2014523138A
公开(公告)日：2014-09-08
申请号：JP2014520101
申请日：2011-12-12
申请人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人：クァンヒリ , チョンジンリ , ヒュンチョルパク
IPC分类号： H01L51/44 , H01L51/48
CPC分类号： H01L31/0504 , H01L27/301 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/542 , Y02P70/521
摘要：【課題】構造及び性能が改善された太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】太陽電池モジュール及びその製造方法が開示される。本発明による太陽電池モジュールは太陽電池を構成する個別セルの電荷輸送層の配置構造を異なるようにするが、その隣のセルと交番に配置し、電極をセル間連結部として使用して個別セルを直列に連結することで電流を低くし電圧を高めるだけでなく、前記個別セルを直列に連結するための追加的な空間を必要としないため高い光電変換効率と低い電力損失を同時に獲得することができる。

6. 发明专利

JP2014002384A Optical element 审中-公开
标题翻译：光学元件
公开(公告)号：JP2014002384A
公开(公告)日：2014-01-09
申请号：JP2013127595
申请日：2013-06-18
申请人： Gwangju Inst Of Science & Technology , クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人： LEE YONGTAK , SOORAJ RAVINDRAN , YEO CHAN IL
IPC分类号： G02F1/015 , G02B6/12 , G02B6/122
CPC分类号： G02F1/025 , G02F1/2257 , G02F1/3133 , G02F2001/0152 , G02F2203/15
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element that is compatible with a semiconductor process, is capable of being integrated together with other semiconductor element, has independent characteristics in term of polarization, and can perform a variety of functions in a small area even when not only a light signal is not lost by light absorption but also there is not a quantum well structure.SOLUTION: The optical element according to the present invention includes: a first waveguide that extends in one direction. A second waveguide is positioned on a side surface of the first waveguide. The second waveguide includes a first conductive type semiconductor layer, a second conductive type semiconductor layer and an undoped semiconductor layer positioned between the first and second conductive type semiconductor layers, and a refractive index of the undoped semiconductor layer is greater when compared with those of the first and second conductive type semiconductor layers. A first electrode and a second electrode are respectively connected to the first conductive type semiconductor layer of the second waveguide and the second semiconductive type semiconductor layer thereof.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供与半导体工艺兼容的光学元件，能够与其他半导体元件集成在一起，在偏振方面具有独立的特性，并且可以在小的区域中执行各种功能，即使当不仅光信号不会被光吸收所损失，而且还没有量子阱结构。解决方案：根据本发明的光学元件包括：沿一个方向延伸的第一波导。第二波导位于第一波导的侧表面上。第二波导包括第一导电类型半导体层，第二导电类型半导体层和位于第一和第二导电类型半导体层之间的未掺杂半导体层，并且未掺杂的半导体层的折射率与第一和第二导电型半导体层。第一电极和第二电极分别连接到第二波导的第一导电类型半导体层及其第二半导体型半导体层。

8. 发明专利

JP5054724B2 Light coupling structure and a method for manufacturing 有权
公开(公告)号：JP5054724B2
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：JP2009108009
申请日：2009-04-27
申请人：クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人：ヤンミン、ソン , ユンギョン、ミン , ヨンタク、リー
IPC分类号： G02B6/42 , G02B6/122
CPC分类号： G02B6/43 , G02B6/4214 , Y10T29/49888

9. 发明专利

JP2010016381A Resistance change memory device equipped with oxide film and solid electrolyte film, and operation method of these 审中-公开
标题翻译：具有氧化物膜和固体电解质膜的电阻变化记忆体装置及其操作方法
公开(公告)号：JP2010016381A
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：JP2009158437
申请日：2009-07-03
申请人： Gwangju Inst Of Science & Technology , クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人： HWANG HYUN SANG , YOON JAESIK
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01B1/06 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resistance change memory device equipped with oxide film and solid electrolyte film and to provide an operation method of the memory device. SOLUTION: The memory device includes a first electrode, an oxide film formed on the first electrode, a solid electrolyte film arranged on the oxide film and a second electrode arranged on the solid electrolyte film. The method includes a step of applying a reference voltage to any one of electrodes of the device, destroying electrically the oxide film by applying a forming voltage to the remaining one, and forming a conductive chip in the oxide film. A conductive filament is formed in the solid electrolyte film, by applying a positive voltage to the second electrode on the basis of the voltage applied to the first electrode. The conductive filament formed in the solid electrolyte film is removed by applying a negative voltage to the second electrode on the basis of the voltage applied to the first electrode. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种装有氧化膜和固体电解质膜的电阻变化记忆装置，并提供存储装置的操作方法。解决方案：存储器件包括第一电极，形成在第一电极上的氧化膜，布置在氧化膜上的固体电解质膜和布置在固体电解质膜上的第二电极。该方法包括将参考电压施加到器件的任一电极的步骤，通过向剩余的电极施加形成电压而在氧化物膜上形成导电芯片来破坏氧化膜。通过基于施加到第一电极的电压向第二电极施加正电压，在固体电解质膜中形成导电细丝。基于施加到第一电极的电压，通过向第二电极施加负电压来去除在固体电解质膜中形成的导电丝。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2009265677A Optical interconnection structure and method for manufacturing the same 有权
标题翻译：光学互连结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2009265677A
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：JP2009108009
申请日：2009-04-27
申请人： Gwangju Inst Of Science & Technology , クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー
发明人： LEE YONGTAK , SONG YOUNGMIN , MIN EUNKYEONG
IPC分类号： G02B6/42 , H01S5/022
CPC分类号： G02B6/43 , G02B6/4214 , Y10T29/49888
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical interconnection structure which includes a substrate in which a hole penetrating a predetermined region is formed, and an optical guide member fixed to the inside of the hole of the substrate, wherein the optical guide member and the substrate are fixed by metal oxide, and to provide a method for manufacturing the optical interconnection structure. SOLUTION: The present invention provides the optical interconnection structure that facilitates the optical interconnection between active optoelectronic devices that transmit/receive the optical signals and an optical waveguide, thereby enhancing heat dissipation efficiency and improving operation speed. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

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