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1. 发明专利

JP2015056486A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015056486A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013188369
申请日：2013-09-11
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： YOSHIOKA AKIRA , SUGIYAMA TORU , SAITO YASUNOBU , TSUDA KUNIO
IPC分类号： H01L21/337 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/66674 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7788 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要：【課題】p型のGaN系半導体へのコンタクト抵抗を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、n型の第1のGaN系半導体層と、第1のGaN系半導体層上の、第1のGaN系半導体層側の低不純物濃度領域と、第1のGaN系半導体層と反対側の高不純物濃度領域とを有するp型の第2のGaN系半導体層と、第2のGaN系半導体層の第1のGaN系半導体層と反対側のn型の第3のGaN系半導体層と、一端が第3のGaN系半導体層または第3のGaN系半導体層より上に位置し、他端が第1のGaN系半導体層に位置し、ゲート絶縁膜を介して第3のGaN系半導体層、低不純物濃度領域、第1のGaN系半導体層に隣接するゲート電極と、第3のGaN系半導体層上の第1の電極と、高不純物濃度領域上の第2の電極と、第1のGaN系半導体層の第2のGaN系半導体層と反対側の第3の電極と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可以降低p型GaN基半导体的接触电阻的半导体器件。解决方案：一个实施例的半导体器件包括：n型第一GaN基半导体层; 在第一GaN基半导体层侧的第一GaN基半导体层上具有低杂质浓度区域的p型第二GaN基半导体层和第一GaN基半导体层上的高杂质浓度区域与第一GaN基半导体相对的一侧; 在与第一GaN基半导体层相反一侧的第二GaN基半导体层上的n型第三GaN基半导体层; 栅电极，其一端位于第三GaN基半导体层中，或位于第三GaN基半导体层之上，另一端位于第一GaN基半导体层中，并且与第三GaN基半导体层，低杂质浓度区域和第一GaN基半导体层经由栅极绝缘膜; 第三GaN基半导体层上的第一电极;高杂质浓度区域上的第二电极; 以及与第二GaN基半导体层相反一侧的第一GaN基半导体层上的第三电极。

2. 发明专利

JP2014116636A Nitride semiconductor element 有权
标题翻译：氮化物半导体元件
公开(公告)号：JP2014116636A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：JP2014024636
申请日：2014-02-12
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SAITO WATARU , SAITO YASUNOBU , NODA TAKAO , FUJIMOTO HIDETOSHI , ONO TETSUYA
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/329 , H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/87 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor element having a voltage clamp function when an overvoltage is applied.SOLUTION: A nitride semiconductor element includes: a first layer composed of a first nitride semiconductor; a second layer provided on the first layer and composed of a second nitride semiconductor having a large band gap than the first nitride semiconductor; a first electrode electrically connected to the second layer and extending in a first direction; a plurality of second electrodes provided on the second layer so as to be spaced apart from the first electrode and provided in the first direction; and a floating electrode provided between the second electrodes on the second layer and having a portion further protruding than the second electrodes toward the first electrode.
摘要翻译：要解决的问题：提供当施加过电压时具有电压钳位功能的氮化物半导体元件。解决方案：氮化物半导体元件包括：由第一氮化物半导体构成的第一层; 第二层，设置在第一层上，由具有比第一氮化物半导体大的带隙的第二氮化物半导体构成; 电连接到第二层并沿第一方向延伸的第一电极; 多个第二电极，设置在所述第二层上，以与所述第一电极间隔开并沿所述第一方向设置; 以及设置在第二层上的第二电极之间并具有比第二电极朝向第一电极进一步突出的部分的浮动电极。

3. 发明专利

JP2013179359A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2013179359A
公开(公告)日：2013-09-09
申请号：JP2013121885
申请日：2013-06-10
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SAITO YASUNOBU , SAITO WATARU , KAKIUCHI YORITO , NITTA TOMOHIRO , YOSHIOKA HIROSHI , ONO TETSUYA , FUJIMOTO HIDETOSHI , NODA TAKAO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device by which a normally-off operation can be attained.SOLUTION: A semiconductor device includes: a first semiconductor layer which includes AlGaN(0≤X
摘要翻译：要解决的问题：提供可以实现常关操作的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：第一半导体层，其包括未掺杂的AlGaN（0≤X<1）; 设置在第一半导体层上的第二半导体层包括不透明或n型的AlGaN（0

4. 发明专利

JP2011176195A Nitride semiconductor device 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP2011176195A
公开(公告)日：2011-09-08
申请号：JP2010040079
申请日：2010-02-25
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YOSHIOKA HIROSHI , SAITO YASUNOBU , FUJIMOTO HIDETOSHI , ONO TETSUYA , NODA TAKAO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/0692 , H01L29/1037 , H01L29/2003 , H01L29/4232 , H01L29/66462
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce variance in threshold voltage of an enhancement GaN-based HFET.
SOLUTION: In a nitride semiconductor device 80, a protrusion portion 51 is formed at an upper portion of an undoped GaN layer 3 by second recess etching. On the protrusion portion 51, an undoped AlGaN layer 4a is provided which is formed by first recess etching the upper portion of the undoped AlGaN layer. A multilayer portion 7 is composed of the protrusion portion 51 of the undoped GaN layer 3, the undoped AlGaN layer 4a, and an insulating film 5. A trench portion 8 is formed by recess etching the insulating film 5, the undoped AlGaN layer 4a and a surface of the undoped GaN layer 3. A gate insulating film 6 is formed on the multilayer portion 7 and the trench portion 8. A gate electrode 33 is formed on the gate insulating film 6 so as to cover the trench portion 8. A film thickness of the insulting film 5 is set larger than that of the gate insulating film 6.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：减少增强GaN基HFET的阈值电压的变化。解决方案：在氮化物半导体器件80中，通过第二凹陷蚀刻在未掺杂的GaN层3的上部形成突出部51。在突起部51上，设置未掺杂的AlGaN层4a，其通过第一凹部蚀刻未掺杂的AlGaN层的上部而形成。多层部分7由未掺杂的GaN层3的突出部分51，未掺杂的AlGaN层4a和绝缘膜5组成。沟槽部分8通过凹陷蚀刻绝缘膜5，未掺杂的AlGaN层4a和未掺杂的GaN层3的表面。在多层部分7和沟槽部分8上形成栅极绝缘膜6.在栅极绝缘膜6上形成栅极33，以覆盖沟槽部分8.膜绝缘膜5的厚度设定为大于栅极绝缘膜6的厚度。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2009218566A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2009218566A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：JP2008327004
申请日：2008-12-24
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SAITO YASUNOBU , SAITO WATARU , KAKIUCHI YORITO , NITTA TOMOHIRO , YOSHIOKA HIROSHI , ONO TETSUYA , FUJIMOTO HIDETOSHI , NODA TAKAO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device capable of achieving a normally-off operation.
SOLUTION: The semiconductor device includes: a first semiconductor layer 3 including undoped Al
X Ga
1-X N (0≤X≤1); a second semiconductor layer 4 provided on the first semiconductor layer, including undoped or n-type Al
Y Ga
1-Y N (0≤Y≤1, X
摘要翻译：要解决的问题：提供能够实现常关操作的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：第一半导体层3，其包含未掺杂的Al X SB（X≤S≤X≤1）; 设置在第一半导体层上的第二半导体层4包括未掺杂的或n型的Al（S）Y（0≤Y≤1，X

6. 发明专利

JP2008118044A Field-effect transistor and method for manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：JP2008118044A
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：JP2006301880
申请日：2006-11-07
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： FUJIMOTO HIDETOSHI , SAITO WATARU , YOSHIOKA HIROSHI , SAITO YASUNOBU , NODA TAKAO , NITTA TOMOHIRO , KAKIUCHI YORITO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a field-effect transistor with the high stability of characteristics, and a method for manufacturing the same. SOLUTION: On a substrate 2, a buffer layer 3, an undoped GaN layer 4, an AlGaN layer 5 and a SiC layer 9 are formed in this order. A carrier concentration of the SiC layer 9 is set to 1×10 17 cm -3 or higher and resistivity is set to 10 mΩcm (milli ohm×cm) or lower. Thereafter, the SiC layer 9 is patterned by applying reactive ion etching by a SF 6 gas to the SiC layer 9. Then, after forming a protection film 10 on the AlGaN layer 5, a source electrode 6 and a drain electrode 7 are formed on the SiC layer 9, and a gate electrode 8 is formed on the AlGaN layer 5. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高稳定性的场效应晶体管及其制造方法。解决方案：在衬底2上，依次形成缓冲层3，未掺杂的GaN层4，AlGaN层5和SiC层9。将SiC层9的载流子浓度设定为1×10 30 /秒以上，电阻率设定为10mΩcm（毫欧姆·厘米）以下。此后，通过对SiC层9施加SF 6 SB 7气体的反应离子蚀刻，对SiC层9进行构图。然后，在AlGaN层5上形成保护膜10后，将源电极6和在SiC层9上形成漏电极7，在AlGaN层5上形成栅电极8.（C）2008，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2008034411A Nitride semiconductor element 审中-公开
标题翻译：氮化物半导体元件
公开(公告)号：JP2008034411A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：JP2006202782
申请日：2006-07-26
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SAITO YASUNOBU , SAITO WATARU , NODA TAKAO , NITTA TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nitride semiconductor element, where the costs are low and a breakdown voltage in a vertical direction is high.
SOLUTION: In the nitride semiconductor element 1, an SOI substrate 2 is provided as a support substrate; an AlN layer 3 is formed on the SOI substrate 2 as a buffer layer; a GaN layer 4 is formed on the AlN layer 3 as a channel layer; an AlGaN layer 5 is formed on the GaN layer 4 as a barrier layer; and a source electrode 6, a drain electrode 7, and a gate electrode 8 are provided on the AlGaN layer 5. The SOI substrate 2 comprises a conductive Si substrate 21, an SiO
2 layer 22, and an Si layer 23, and has insulation properties in its thickness direction.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供成本低且在垂直方向上的击穿电压高的氮化物半导体元件。解决方案：在氮化物半导体元件1中，设置SOI衬底2作为支撑衬底; 在SOI衬底2上形成AlN层3作为缓冲层; 在作为沟道层的AlN层3上形成GaN层4; 在GaN层4上形成作为阻挡层的AlGaN层5; 并且在AlGaN层5上设置源电极6，漏电极7和栅电极8. SOI衬底2包括导电Si衬底21，SiO 2 层22和 Si层23，其厚度方向具有绝缘性。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2015056637A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015056637A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013191128
申请日：2013-09-13
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： YASUMOTO YASUAKI , YANASE NAOKO , ABE KAZUHIDE , UCHIHARA TSUKASA , SAITO YASUNOBU , NAKA TOSHIYUKI , YOSHIOKA AKIRA , ONO YU , ONO TETSUYA , FUJIMOTO HIDETOSHI , MASUKO SHINGO , FURUKAWA MASARU , YAGI YASUNARI , YUMOTO MIKI , IIDA ATSUKO
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L29/045 , H01L29/205 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/41758 , H01L29/42316 , H01L29/7786 , H01L29/872
摘要：【課題】GaN系半導体を用いた、信頼性の向上する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、表面がm面またはa面に対し0度以上5度以下の角度を有するGaN系半導体層12と、表面に設けられ、第1の端部を有する第1の電極14と、第1の電極14と離間して表面に設けられ、第1の端部と対向する第2の端部を有し、第1の端部の任意の点と、第2の端部の任意の点とを結ぶ線分の向きが、GaN系半導体層のc軸方向と異なる第2の電極16と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用GaN基半导体并具有提高的可靠性的半导体器件。解决方案：一种半导体器件包括：GaN基半导体层12，其表面具有不小于0度的角度，以及相对于m面或a面不超过5度; 第一电极14，其设置在表面上并具有第一端; 以及第二电极16，其设置在与第一电极14相距一定距离的表面上，并且具有与第一端相对的第二端，其中连接第一端的任何点和第二端的任何点的线的方向端部与GaN类半导体层的c轴方向不同。

9. 发明专利

JP2015056556A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015056556A
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013189746
申请日：2013-09-12
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： ONO TETSUYA , SAITO YASUNOBU , FUJIMOTO HIDETOSHI , YOSHIOKA HIROSHI , UCHIHARA TSUKASA , NAKA TOSHIYUKI , YASUMOTO YASUAKI , YANASE NAOKO , MASUKO SHINGO , ONO YU
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要：【課題】反転層、蓄積層、および転位に起因するリーク電流の流れを抑制して、耐圧を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体基板1と、半導体基板1上に形成された第1の膜2とを備える。さらに、装置は、第1の膜2上に形成された第1導電型またはイントリンシック型の第1半導体層3と、第1半導体層3上に形成された第1導電型またはイントリンシック型の第2半導体層4とを備える。さらに、装置は、第1半導体層3に接する第1の上部S3と、第1の膜に接する第2の上部S4と、第1の上部S3と第2の上部S4との間に位置する第1の側部S5と、第2の上部S4と半導体基板の下部S2との間に位置する第2の側部S6と、を有する第2導電型の第3半導体層11、12を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制由反转层，积聚层和位错引起的漏电流的流动来提高耐压特性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：半导体衬底1; 以及形成在半导体衬底1上的第一膜2.半导体器件还包括：形成在第一膜2上并具有第一导电类型或固有类型的第一半导体层3; 以及形成在第一半导体层3上并具有第一导电类型或固有类型的第二半导体层4。半导体器件还包括第二导电类型的第三半导体层11,12，其具有：与第一半导体层3接触的第一上部部分S3; 与第一膜接触的第二上部S4; 位于第一上部S3和第二上部S4之间的第一侧部S5; 以及位于半导体基板的第二上部S4和下部S2之间的第二侧面部S6。

10. 发明专利

JP2015032745A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015032745A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013162550
申请日：2013-08-05
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： FUJIMOTO HIDETOSHI , SAITO YASUNOBU , YOSHIOKA HIROSHI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0869 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/423
摘要：【課題】高耐圧と低オン抵抗とを両立させることができるIII族窒化物半導体を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】第1の層30は、基板10の第1の面の上方に設けられ第1導電型のIII族窒化物半導体を用いて形成されている。第2の層40は、第1の層30上に設けられ、第2導電型のIII族窒化物半導体を用いて形成されている。第3の層50は、第2の層40の表面のうち第1の領域上に部分的に設けられ第1導電型のIII族窒化物半導体を用いて形成されている。ゲート電極70は、一端が第3の層50の表面上方にあり、第2の層40を介して、他端が第1の層30内にあり、第1の層30、第2の層40および第3の層50から絶縁されている。第1の電極90は、第3の層に接続されている。第2の電極95は第2の層40の表面のうち第1の領域以外の第2の領域に接続されている。第3の電極99は基板10の第2の面上に設けられている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用能够获得高耐受电压和低导通电阻的III族氮化物半导体的半导体器件。解决方案：第一层30设置在衬底10的第一表面上方，并由第一导电型III族氮化物半导体。第二层40设置在第一层30上，并由第二导电型III族氮化物半导体制成。第三层50部分地设置在第二层40的表面的第一区域上，并由第一导电型III族氮化物半导体制成。栅电极70的一端位于第三层50的表面之上，另一端经由第二层40位于第一层30中，并且与第一层30，第二层40和第三层绝缘第一电极90连接到第三层。第二电极95连接到除了第二层40的表面的第一区域之外的第二区域。第三电极99设置在衬底10的第二表面上。

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