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1. 发明专利

JP2014123676A Deposition method 有权
标题翻译：沉积方法
公开(公告)号：JP2014123676A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2012279922
申请日：2012-12-21
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： TACHIBANA MITSUHIRO , IKEGAWA HIROAKI , KAZUMURA TAMOTSU , OTANI MUNEYUKI , OGAWA ATSUSHI , TAKAHASHI HIROSUKE
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/56 , H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/308 , C23C16/401 , C23C16/405 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45551 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly-productive deposition method capable of doping a prescribed element to an oxide film using a deposition device of rotary table type.SOLUTION: A deposition method for depositing a doped oxide film containing a first and a second element on a plurality of substrates using a deposition device comprising a rotary table 2, a first processing region P1 including a first gas supply unit, a second processing region P2 including a second gas supply unit, and a separation gas supply unit D which supplies a separation gas includes the steps of: supplying a first reaction gas containing the first element from the first gas supply unit and an oxidation gas from the second gas supply unit, and depositing an oxide film containing the first element on the substrate; and supplying a second reaction gas containing the second element from one of the first gas supply unit and the second gas supply unit and an inert gas from the other of the first gas supply unit and the second gas supply unit, and doping the second element on the oxide film.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够使用旋转台式沉积装置将规定的元素掺杂到氧化物膜的高效率的沉积方法。解决方案：一种用于沉积包含第一和第二元素的掺杂氧化物膜的沉积方法在使用包括旋转台2的沉积装置的多个基板上，包括第一气体供应单元的第一处理区域P1，包括第二气体供应单元的第二处理区域P2以及分离气体供应单元D，气体包括以下步骤：从第一气体供应单元提供含有第一元素的第一反应气体和来自第二气体供应单元的氧化气体，以及在基板上沉积含有第一元素的氧化物膜; 从所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元之一供给含有所述第二元件的第二反应气体，以及从所述第一气体供给单元和所述第二气体供给单元中的另一个供给惰性气体，氧化膜。

2. 发明专利

JP2014140018A Deposition method 有权
标题翻译：沉积方法
公开(公告)号：JP2014140018A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2013237216
申请日：2013-11-15
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： IKEGAWA HIROAKI , UENISHI MASAHIKO , TAKAHASHI HIROSUKE , OI MASATO , OGAWA ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01L21/02148 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02189 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition method which can uniformly stack an oxide film or a nitride film of a laminated structure on a plurality of substrates.SOLUTION: A deposition method using a deposition apparatus including a rotary table capable of loading a plurality of substrates, a first gas supply part and a second gas supply part comprises: a first step of supplying an oxidation gas from the first and second gas supply parts to rotate the rotary table; a second step of supplying a first reaction gas containing a first element from the first gas supply part and supplying an oxidation gas from the second gas supply part to rotate the rotary table to deposit a first oxide film containing the first element on a substrate; a third step of supplying the oxidation gas from the first and second gas supply parts to rotate the rotary table; and a fourth step of supplying a second reaction gas containing a second element from the first gas supply par and supplying the oxidation gas from the second gas supply part to rotate the rotary table to deposit a second oxide film containing the second element on the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在多个基板上均匀地堆叠层叠结构的氧化物膜或氮化物膜的沉积方法。解决方案：使用包括能够加载多个基板的旋转台的沉积设备的沉积方法基板，第一气体供应部分和第二气体供应部分包括：第一步骤，从第一和第二气体供应部分供应氧化气体以旋转旋转台; 第二步骤，从第一气体供应部分供应含有第一元素的第一反应气体，并从第二气体供应部分供应氧化气体以旋转旋转台，以将含有第一元素的第一氧化膜沉积在基底上; 第三步骤，从第一和第二气体供应部分提供氧化气体以旋转旋转台; 以及第四步骤，从第一气体供应装置供应含有第二元素的第二反应气体，并从第二气体供应部分供应氧化气体，以旋转旋转台，以将含有第二元素的第二氧化物膜沉积在基板上。

3. 发明专利

JP2017079290A 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP2017079290A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015207362
申请日：2015-10-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： TAKAHASHI KIICHI , SASAKI YUYA , TAKAHASHI HIROSUKE
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45563 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/45578
摘要：【課題】気密な処理容器の側壁部に片持ちで支持されたガスノズルから処理ガスを基板に供給するにあたって、ガスノズルの姿勢を長期に亘って維持すること。【解決手段】処理容器の側壁部の内周面にその内端部が開口し、外側に向けて水平に伸びる第1の孔部と、前記側壁部内にて第1の孔部の外端部に処理ガスの供給路として連続して形成され、当該第1の孔部と同心でありかつ第1の孔部よりも口径の小さい第2の孔部と、前記第1の孔部に内端側からその基端側が嵌入されるガスノズルと、前記ガスノズルの長さ方向に互いに間隔をおいて、当該ガスノズルの外周面と前記第1の孔部との間に介在する複数のシール部材と、前記第1の孔部の外端側に嵌入されると共に、前記ガスノズルの基端側に嵌合されてガスノズルにより第2の孔部の開口縁部である環状の面に押圧される環状のスペーサーと、を備えるように装置を構成する。【選択図】図4

4. 发明专利

JP2014107344A Deposition method, program for the deposition method, recording medium storing the program, deposition device 有权
标题翻译：沉积方法，沉积方法的程序，记录程序的记录介质，沉积装置
公开(公告)号：JP2014107344A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012257651
申请日：2012-11-26
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： IKEGAWA HIROAKI , UENISHI MASAHIKO , TAKAHASHI HIROSUKE , SASAKI MASARU , OGAWA ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/40 , C23C16/45531 , C23C16/45551
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition method and a deposition device, capable of improving controllability and uniformity of deposition between a plurality of substrates and in a surface of a substrate.SOLUTION: A deposition device comprises: a first gas supply unit arranged in a first processing region above a rotary table; a second gas supply unit arranged in a second processing region separated from the first processing region; a separation gas supply unit provided between the first processing region and the second processing region; and a separation region in which a narrow space is formed which guides the separation gas supplied from the separation gas supply unit to the first processing region and the second processing region. A deposition method includes: a first reaction step of rotating the rotary table to a first angle; a second reaction step of rotating the rotary table to a second angle; a third reaction step of rotating the rotary table to a third angle; and a fourth reaction step of rotating the rotary table to a fourth angle. The sum of the first angle, the second angle, the third angle, and the fourth angle is not an integral multiple of 360 degrees.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高多个基板之间和基板表面中的沉积的可控性和均匀性的沉积方法和沉积装置。解决方案：沉积装置包括：第一气体供应单元，其布置在旋转台上方的第一处理区域; 布置在与所述第一处理区域分离的第二处理区域中的第二气体供给单元; 设置在所述第一处理区域和所述第二处理区域之间的分离气体供给单元; 以及分离区域，其中形成有将从分离气体供给单元供给的分离气体引导到第一处理区域和第二处理区域的狭窄空间。沉积方法包括：将旋转台旋转到第一角度的第一反应步骤; 将所述旋转台旋转到第二角度的第二反应步骤; 将旋转台旋转到第三角度的第三反应步骤; 以及将旋转台旋转到第四角度的第四反应步骤。第一角度，第二角度，第三角度和第四角度之和不是360度的整数倍。

5. 发明专利

JP2014075451A Deposition method and deposition device 有权
标题翻译：沉积方法和沉积装置
公开(公告)号：JP2014075451A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2012221662
申请日：2012-10-03
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社 , Osaka Univ , 国立大学法人大阪大学
发明人： SHINONOME SHUJI , KASHIWAGI YUSAKU , MOROZUMI YUICHIRO , KAZUMURA TAMOTSU , HARADA TAKESHIGE , TAKAHASHI HIROSUKE , WATABE HEIJI , SHIMURA TAKAYOSHI , HOSOI TAKUJI
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/423 , H01L29/47 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/401 , C23C16/303 , C23C16/308 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02252 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/02332 , H01L21/044 , H01L21/049 , H01L21/28264 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66045 , H01L29/66068 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7802 , H01L29/7813
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition method which allows for production of an AlON film in which nitrogen is dispersed uniformly in the thickness direction even if the thickness is large.SOLUTION: After depositing an AIN film 23 on the SiC substrate 17 of a wafer W, deposition of an AIO film 24 and deposition of an AIN film 23 on the AIO film 24 thus deposited are repeated, to form an AION film 25 having a lamination structure where the AIO film 24 and the AIN film 23 are laminated alternately, and then the AION film 25 is heat treated.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种沉积方法，即使厚度大，也能够在厚度方向均匀地分散氮的AlON膜的制造。溶解：将AlN膜23沉积在SiC基板17上重复晶片W，AIO膜24的沉积和AIN膜23沉积在这样沉积的AIO膜24上，以形成具有交替层叠AIO膜24和AIN膜23的叠层结构的AION膜25，然后对AION膜25进行热处理。

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