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1. 发明专利

JP2020091403A レジスト組成物、レジストパターン形成方法、及び化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2020091403A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018228559
申请日：2018-12-05
申请人： TOKYO OHKA KOGYO CO LTD
发明人： NGUYEN KHANHTIN , MURATA MARI , ARAI MASATOSHI , MICHIBAYASHI NOBUHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C07C65/05 , C07C65/11 , C07D333/54 , G03F7/039 , G03F7/20
摘要：【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用の新規な化合物の提供。【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、一般式(d0)で表される、アニオン部とカチオン部とからなる化合物(D0)とを含有し、化合物(D0)のカチオン部のLogP値が7.7未満である、レジスト組成物。式中、Mm+は、m価の有機カチオンを表す。Rd0は、置換基である。pは、0〜3の整数である。qは、0〜3の整数である。nは、2以上の整数である。ただし、n+p≦(q×2)+5である。[化1]【選択図】なし

2. 发明专利

JP2014130307A Resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：JP2014130307A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2013041065
申请日：2013-03-01
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： ARAI MASATOSHI , DAZAI NAOHIRO , UTSUMI YOSHIYUKI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0392 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition excellent in lithography characteristics.SOLUTION: The resist composition contains a base component (A) whose solubility in a developer changes by the action of an acid. The base component (A) contains a resin component (A1) which has a constituent unit (a0) represented by general formula (a0-1), at least two kinds of constituent units (a1) containing a group of general formula (a1-r-1) or (a1-r-2), and a constituent unit (a2). [Rais a monovalent substituent; Lais O, S, or a methylene group; Ris a Clinear or branched hydrocarbon group which may have a substituent, or a cyclic hydrocarbon group; Ra'and Ra'are H or an alkyl group; Ra'is a hydrocarbon group; and Ra'to Ra'are a hydrocarbon group.]
摘要翻译：要解决的问题：提供光刻特性优异的抗蚀剂组合物。解决方案：抗蚀剂组合物含有其在显影剂中的溶解度随酸的作用而变化的碱组分（A）。基材（A）含有具有通式（a0-1）表示的结构单元（a0）的树脂组分（A1），至少两种含有通式（a1- r-1）或（a1-r-2）和构成单元（a2）。 [提出一价取代基; Lais O，S或亚甲基; R是可以具有取代基的Clinear或支链烃基或环状烃基; Ra和Ra'are H或烷基; Ra's是一个烃基; 和Ra'to Ra'are是一个烃类。]

3. 发明专利

JP2013148787A Resist composition and method of forming resist pattern 有权
标题翻译：耐蚀组合物和形成耐力图案的方法
公开(公告)号：JP2013148787A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：JP2012010364
申请日：2012-01-20
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： HIRANO TOMOYUKI , TSUCHIYA JUNICHI , ARAI MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C08F220/02 , G03F7/039 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition that can form a resist pattern in a good shape with high rectangularity, and a method of forming the resist pattern.SOLUTION: The resist composition contains a base material component whose solubility to a developing solution is changed by the action of an acid, an acid generator component which generates an acid upon exposure, and a polymer compound having a constituent unit (c1) including a group represented by general formula (c1-10) and a constituent unit (c2) including a group represented by general formula (c2-1), where in the formulas at least one of Xand Rfhas a fluorine atom.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高矩形形成具有良好形状的抗蚀剂图案的抗蚀剂组合物以及形成抗蚀剂图案的方法。溶胶：抗蚀剂组合物含有对显影液的溶解度为通过酸，作为曝光时产生酸的酸发生剂成分的作用而变化，具有由通式（c1-10）表示的基团的构成单元（c1）和构成单元（c2）的构成单元（c1）的高分子化合物，由通式（c2-1）表示的基团，其中在式中X和Rf中的至少一个是氟原子。

4. 发明专利

JP2012173642A Resist composition, method for forming resist pattern, and polymeric compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐火图案的方法和聚合物
公开(公告)号：JP2012173642A
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：JP2011037534
申请日：2011-02-23
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： MATSUZAWA KENSUKE , IWASHITA ATSUSHI , KOMURO YOSHITAKA , ARAI MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/38 , C08F228/06 , C08F2220/382 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2039 , G03F7/38
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition useful for an EUV or EB process, a method for forming a resist pattern by using the resist composition, and a polymeric compound useful for the resist composition.SOLUTION: The resist composition for an EUV or EB process comprises a resin component (A) containing a resin component (A1) having a structural unit (a0) expressed by general formula (a0-0-1), and the composition shows changes in the solubility with a developing solution by an action of an acid generated by exposure.
摘要翻译：要解决的问题：提供可用于EUV或EB工艺的抗蚀剂组合物，通过使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法和用于抗蚀剂组合物的聚合物。解决方案：EUV或EB工艺的抗蚀剂组合物包含含有具有由通式（a0-0-1）表示的结构单元（a0）的树脂组分（A1））的树脂组分（A），组合物通过暴露产生的酸的作用显示出与显影液的溶解度的变化。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2012150166A Resist composition, resist pattern forming method, and high molecular compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，耐蚀图案形成方法和高分子化合物
公开(公告)号：JP2012150166A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：JP2011006940
申请日：2011-01-17
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： TSUCHIYA JUNICHI , TAKAGI DAICHI , ARAI MASATOSHI , SHIONO HIROHISA , HIRANO TOMOYUKI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F20/58
CPC分类号： C08F226/06 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition and a resist pattern forming method superior in lithography characteristics and capable of forming a resist pattern of excellent shape, and to provide a high molecular compound suitable for the resist composition.SOLUTION: A resist composition contains a base component (A) whose solubility to a developing solution is changed by the action of an acid and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure, and the base component (A) contains a high molecular compound (A1) having a structural unit (a5) represented by a general formula (a5-1).
摘要翻译：解决的问题：提供光刻特性优异的抗蚀剂组合物和抗蚀剂图案形成方法，能够形成优异形状的抗蚀剂图案，并提供适合于抗蚀剂组合物的高分子化合物。解决方案：抗蚀剂组合物含有通过在曝光时产生酸的酸和酸产生剂组分（B）的作用改变对显影液的溶解度的基础组分（A）和碱组分（A ）含有具有由通式（a5-1）表示的结构单元（a5）的高分子化合物（A1）。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2011158879A Positive resist composition, resist pattern forming method, and high molecular compound 有权
标题翻译：积极抗性组合物，抗性图案形成方法和高分子化合物
公开(公告)号：JP2011158879A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：JP2010151013
申请日：2010-07-01
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： HIRANO TOMOYUKI , SHIONO HIROHISA , ARAI MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/38 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/38 , C08F2220/283 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , C08F220/18 , C08F2220/281 , C08F2220/382
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition excellent in lithographic properties and resist pattern forming method.
SOLUTION: The positive resist composition contains a base material component (A') which has high solubility against alkali developing solution by action of acid and generates acid by exposure. The base material component (A') contains a resin component (A1) having a structural unit (a0-1) expressed in general formula (a0-1), a structural unit (a0-2) that generates acid by exposure, and a structural unit (a1) derived from acrylate including an acid dissociable dissolution inhibiting group. In the general formula (a0-1), R
1 denotes a hydrogen atom, an alkyl group with a carbon number of 1-5, or an alkyl halide group with a carbon number of 1-5, R
2 denotes a diatomic linking group, and R
3 denotes a cyclic group containing -SO
2 - in a cyclic skeleton thereof.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供平版印刷性能和抗蚀剂图案形成方法优异的正性抗蚀剂组合物。解决方案：正型抗蚀剂组合物含有通过酸作用对碱显影液具有高溶解度的基材成分（A'），并通过曝光产生酸。基材成分（A'）含有具有通式（a0-1）表示的结构单元（a0-1）的树脂成分（A1），通过曝光产生酸的结构单元（a0-2），和来自丙烯酸酯的结构单元（a1），其包含酸解离溶解抑制基团。在通式（a0-1）中，R 1表示氢原子，碳数为1〜5的烷基或碳数为1〜5的烷基卤基， R 2 表示双原子连接基团，并且R 3在其环状骨架中表示含有-SO 2 SB 2的环状基团。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2014130306A Method for forming resist pattern 有权
标题翻译：形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2014130306A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2013041064
申请日：2013-03-01
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： NAKAMURA TAKESHI , DAZAI NAOHIRO , ARAI MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/038 , C08F220/18 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/325
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for forming a resist pattern, capable of improving lithography characteristics.SOLUTION: The method for forming a resist pattern by negative development using a resist composition, which contains a base component (A) whose solubility in an organic solvent decreases by the action of an acid and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure, is characterized by using as the base component (A) a resin component (A1) which has a constituent unit (a0) derived from a compound represented by general formula (a0-1) and a constituent unit (a2) containing a lactone-containing cyclic group or the like.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成抗蚀剂图案的方法，其能够改善光刻特性。解决方案：使用抗蚀剂组合物通过负显影形成抗蚀剂图案的方法，该抗蚀剂组合物含有在有机溶剂通过在曝光时产生酸的酸和酸产生剂组分（B）的作用而降低，其特征在于使用具有衍生的构成单元（a0）的树脂组分（A1）作为基础组分（A）由通式（a0-1）表示的化合物和含有内酯的环状基团的构成单元（a2）等。

8. 发明专利

JP2013257531A Resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，形成耐蚀图案的方法，聚合物和化合物
公开(公告)号：JP2013257531A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2012258947
申请日：2012-11-27
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： UTSUMI YOSHIYUKI , ARAI MASATOSHI , DAZAI NAOHIRO , KOMURO YOSHITAKA
IPC分类号： G03F7/039 , C08F220/28 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition excellent in lithographic characteristics, a method of forming a resist pattern using the resist composition, a polymeric compound useful for the resist composition, and a compound useful as a raw material for the polymeric compound.SOLUTION: There is provided a resist composition which generates acid upon exposure and exhibits changed solubility in a developing solution by the action of acid. The composition includes a base component (A) which exhibits changed solubility in a developing solution by the action of acid. The base component (A) contains a polymeric compound (A1) having a structural unit (a0) represented by the specified general formula (a0), where A'' represents an oxygen atom, a sulfur atom, or a C1-C5 alkylene group which may have an oxygen atom or a sulfur atom; Rrepresents a lactone-containing cyclic group, an -SO- containing cyclic group, or a carbonate-containing cyclic group; and Wrepresents a group which is formed by polymerization reaction of a group including a polymerizable group.
摘要翻译：要解决的问题：提供光刻特性优异的抗蚀剂组合物，使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，可用于抗蚀剂组合物的聚合物和用作聚合物的原料的化合物。提供了一种抗蚀剂组合物，其在曝光时产生酸，并且通过酸的作用在显影液中显示出改变的溶解性。该组合物包括通过酸作用而在显影液中显示出改变的溶解度的碱成分（A）。碱成分（A）含有具有由通式（a0）表示的结构单元（a0）的高分子化合物（A1），其中A“表示氧原子，硫原子或C1-C5亚烷基其可以具有氧原子或硫原子; R表示含内酯的环状基团，含-SO-的环状基团或含碳酸酯的环状基团; W表示由包含可聚合基团的基团的聚合反应形成的基团。

9. 发明专利

JP2013246203A Resist composition, method for forming resist pattern, polymer compound and method for manufacturing polymer compound 有权
标题翻译：耐蚀组合物，耐热型图案的方法，聚合物化合物和制造聚合物化合物的方法
公开(公告)号：JP2013246203A
公开(公告)日：2013-12-09
申请号：JP2012117707
申请日：2012-05-23
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： TAKAGI DAICHI , UTSUMI YOSHIYUKI , ARAI MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , C08F8/14 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F8/14 , C08F8/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , G03F7/30
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition having high solubility with respect to alkali developer while maintaining the lithography characteristics and capable of attaining defect reduction, and also to provide a method for forming a resist pattern using the resist composition.SOLUTION: A resist composition which generates acid by exposure and whose solubility with respect to an alkali developer changes by acid reaction contains a polymer compound containing a base decomposable group in the main chain.
摘要翻译：要解决的问题：提供相对于碱性显影剂具有高溶解度的抗蚀剂组合物，同时保持光刻特性并能够获得缺陷减少，并且还提供使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法。溶液：抗蚀剂通过暴露产生酸并且其相对于碱性显影剂的溶解度通过酸反应而变化的组合物含有在主链中含有碱基分解基团的高分子化合物。

10. 发明专利

JP2013142752A Resist composition and method for forming resist pattern 有权
标题翻译：用于形成电阻图案的耐蚀组合物和方法
公开(公告)号：JP2013142752A
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：JP2012002245
申请日：2012-01-10
申请人： Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd , 東京応化工業株式会社
发明人： UTSUMI YOSHIYUKI , KOMURO YOSHITAKA , MIYASHITA KENICHIRO , DAZAI NAOHIRO , ARAI MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist composition and a method for forming a resist pattern.SOLUTION: There is provided a resist composition containing a base material component (A') which generates an acid upon exposure and whose solubility to a developing solution is changed by the action of an acid, wherein the base material component (A') contains a resin component (A'1) having a structural unit (a0) having a group represented by the formula (a0-0). There is provided a resist composition which contains a base material component (A) whose solubility to a developing solution is changed by the action of an acid and an acid generator component (B) which generates an acid upon exposure, wherein the acid generator component (B) contains an acid generator (B1) composed of a compound represented by the formula (b1-1).
摘要翻译：要解决的问题：提供抗蚀剂组合物和形成抗蚀剂图案的方法。解决方案：提供一种抗蚀剂组合物，其含有在暴露后产生酸的基材成分（A'），其对显影液的溶解度为通过酸的作用而改变，其中基材成分（A'）含有具有由式（a0-0）表示的基团的结构单元（a0）的树脂成分（A'1）。提供了一种抗蚀剂组合物，其含有通过在暴露时产生酸的酸和酸产生剂组分（B）的作用改变对显影液的溶解度的基材成分（A），其中酸产生剂组分 B）含有由式（b1-1）表示的化合物构成的酸发生剂（B1）。

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