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1. 发明专利

JP2014236060A 冷却システム、冷却方法、および基板処理装置审中-公开
标题翻译：冷却系统，冷却方法和基板处理装置
公开(公告)号：JP2014236060A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013115599
申请日：2013-05-31
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd , シャープ株式会社 , Sharp Corp
发明人： DEMICHI YOSHIHIKO , KOHAMA NORIYOSHI
IPC分类号： H05K7/20 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/67109 , H01L21/67017
摘要：【課題】冷却能力が安定し、かつ大型のバッファタンクを設けることなく気体状の冷却媒体を安定して供給することができる冷却システムを提供すること。【解決手段】冷却対象を有する装置において、冷却対象を気体状の冷却媒体により冷却する冷却システム100は、気体状の冷却媒体が循環する循環ライン11と、循環ライン11に接続され、冷却対象に冷却媒体を供給する冷却ライン17と、循環ライン11に設けられ、冷却媒体を圧縮し循環させるコンプレッサ12と、循環ライン11に設けられ、冷却ライン17に供給される冷却媒体を所定温度に冷却する冷却機構14とを具備する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种冷却系统，其可以稳定冷却性能，并且在不提供大尺寸缓冲罐的情况下稳定地供应气态冷却介质。解决方案：冷却系统100通过使用气体冷却介质在具有冷却对象。冷却系统100包括：气体冷却介质循环的循环管线11; 冷却管线17，其与循环管线11连接并将冷却介质供应到冷却对象; 设置在循环管线11处的压缩机12压缩冷却介质，并使冷却介质循环; 以及冷却机构14，其设置在循环管线11处并将供给到冷却管线17的冷却介质冷却至预定温度。

2. 发明专利

JP2008041686A SEMICONDUCTOR, p-TYPE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR BONDING ELEMENT, pn-JUNCTION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERTER 有权
标题翻译：半导体，p型半导体，半导体结合元件，pn-JUNCTION元件和光电转换器
公开(公告)号：JP2008041686A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：JP2006209716
申请日：2006-08-01
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NISHIMURA KAZUHITO
IPC分类号： H01L29/861 , H01L31/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor, a p-type semiconductor, a semiconductor bonding element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a forbidden band width and a conductivity type according to the application purpose and capable of being put into practical use. SOLUTION: The semiconductor is manufactured by mixing Mg, Zn or an Ia-group element in iron sulfide. In addition, this semiconductor is used to manufacture the semiconductor bonding element or the photoelectric converter. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够正确地控制禁带宽度和导电类型中的至少一个的半导体，p型半导体，半导体结合元件，pn结元件和光电转换器根据应用目的，能够投入实际使用。解决方案：通过在硫化铁中混合Mg，Zn或Ia族元素来制造半导体。此外，该半导体用于制造半导体接合元件或光电转换器。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2010062593A Substrate for photoelectric converter 有权
标题翻译：光电转换器基板
公开(公告)号：JP2010062593A
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：JP2009286555
申请日：2009-12-17
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NISHIMURA KAZUHITO , HAYAKAWA HISASHI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate for a photoelectric converter that secures high transmittance even when a transparent conductive layer has a thick film thickness, a substrate for a photoelectric converter that has both high transmittance and a high haze rate, and a substrate for a photoelectric converter that attains high transmittance, a high haze ratio and low sheet resistance at the same time. SOLUTION: A substrate 1 for a photoelectric converter includes a first transparent conductive layer 5 formed on a surface region which is at least a part of a transparent substrate 3, and the first transparent conductive layer 5 has at least one opening portion 7 for exposing the transparent substrate 3 at least at the part of the transparent substrate 3. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供即使当透明导电层具有厚膜厚度时也确保高透射率的光电转换器的基板，具有高透射率和高雾度率的光电转换器用基板，以及用于光电转换器的基板，其同时实现高透射率，高雾度比和低薄层电阻。解决方案：用于光电转换器的基板1包括形成在作为透明基板3的至少一部分的表面区域上的第一透明导电层5，并且第一透明导电层5具有至少一个开口部7 用于至少在透明基板3的一部分处露出透明基板3.版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2007189128A N-type semiconductor, semiconductor junction element, pn-junction element, and photoelectric conversion device 有权
标题翻译： N型半导体，半导体连接元件，PN结元件和光电转换器件
公开(公告)号：JP2007189128A
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：JP2006007130
申请日：2006-01-16
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NISHIMURA KAZUHITO
IPC分类号： H01L31/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an n-type semiconductor, a semiconductor junction element, and a photoelectric conversion device wherein their conductivity types can be so controlled accurately that they are sufficient for practical uses. SOLUTION: The n-type semiconductor is created by mixing group IIIb elements with iron sulfide. Also, the semiconductor junction element or the photoelectric conversion device is created by using this n-type semiconductor. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种n型半导体，半导体接合元件和光电转换器件，其中它们的导电类型可以被精确地控制，使得它们足以用于实际应用。解决方案：通过将IIIb族元素与硫化铁混合来形成n型半导体。此外，通过使用该n型半导体产生半导体接合元件或光电转换器件。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2015005634A プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理的装置和方法
公开(公告)号：JP2015005634A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：JP2013130238
申请日：2013-06-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd , シャープ株式会社 , Sharp Corp
发明人： DEMICHI YOSHIHIKO , KOHAMA NORIYOSHI , FUKUDA TOMOHIRO
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , C23C16/509 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/509 , C23C16/24 , C23C16/45502 , C23C16/4585 , C23C16/545 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01J37/32779
摘要：【課題】基板面内での処理の均一性を確保できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ成膜装置100では、下部電極5の非載置領域R2のほぼ全体に、凸状部としての補助プレート9が装着されている。補助プレート9は、枠状をなし、矩形の載置領域R1の全体を囲むように配置されている。補助プレート9は、下部電極5に着脱可能な板状部材であり、例えば、石英、セラミックス、耐熱性の合成樹脂などの誘電体又はアルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等の導電体によって構成されている。補助プレート9によって、基板Sと下部電極5との段差80を縮小もしくは解消し、ガスGの流れが基板Sのコーナー部へ向かいやすくなる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够确保基板表面的加工均匀性的等离子体处理装置。解决方案：等离子体成膜装置100包括安装的辅助板9作为凸形部分，基本上全部基板非安装下部电极5的区域R2。辅助板9具有框架形状并且以围绕整个矩形基板安装区域R1的方式设置。辅助板9是从下部电极5可拆卸的板状构件，并且由诸如石英，陶瓷，耐热和合成树脂的电介质或诸如铝，铝合金和不锈钢的导体制成。辅助板9减少或消除了基板S和下电极5之间的电平差80，从而有助于气体G朝向基板S的角部流动。

6. 发明专利

JP2013030791A Semiconductor, semiconductor junction element, pn-junction element, and photoelectric converter 有权
标题翻译：半导体器件，半导体连接元件，PN结元件和光电转换器
公开(公告)号：JP2013030791A
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：JP2012203409
申请日：2012-09-14
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NISHIMURA KAZUHITO
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor, a semiconductor junction element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a forbidden band width and a conductivity type according to an application purpose and capable of being put into practical use.SOLUTION: A semiconductor is manufactured by mixing Zn, and at least one of a III group element and an Ia group element in iron sulfide. In addition, by using this semiconductor, a semiconductor junction element or a photoelectric converter is manufactured.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供能够根据应用目的正确地控制禁带宽度和导电类型中的至少一个的半导体，半导体接合元件，pn结元件和光电转换器，以及能够投入实际使用。解决方案：通过将Zn和III族元素和Ia族元素中的至少一种混合在硫化铁中制造半导体。此外，通过使用该半导体，制造半导体接合元件或光电转换器。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2013016848A Semiconductor, p-type semiconductor, semiconductor bonding element, pn-junction element, and photoelectric converter 有权
标题翻译：半导体，P型半导体，半导体结合元件，PN结元件和光电转换器
公开(公告)号：JP2013016848A
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：JP2012203416
申请日：2012-09-14
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NISHIMURA KAZUHITO
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor, a p-type semiconductor, a semiconductor bonding element, a pn-junction element, and a photoelectric converter capable of correctly controlling at least one of a prohibition band width and a conductivity type according to an application purpose and capable of being put into practical use.SOLUTION: A semiconductor is manufactured by mixing an Ia-group element in iron sulfide. In addition, this semiconductor is used to manufacture a semiconductor bonding element or a photoelectric converter.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够正确地控制禁带宽度和导电类型中的至少一个的半导体，p型半导体，半导体结合元件，pn结元件和光电转换器根据应用目的，能够投入实际使用。解决方案：通过将Ia族元素混合在硫化铁中制造半导体。此外，该半导体用于制造半导体接合元件或光电转换器。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2010037082A Substrate carrying device and substrate carrying method 审中-公开
标题翻译：承载装置的基板和基板的执行方法
公开(公告)号：JP2010037082A
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：JP2008204210
申请日：2008-08-07
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： KISHIMOTO KATSUSHI , FUKUOKA YUSUKE , KOHAMA NORIYOSHI , OZAKI TOMOAKI
IPC分类号： B65G25/08 , B65G49/07 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67784 , H01L21/67748
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate carrying device capable of preventing risk of carrying trouble. SOLUTION: A plurality of floating gas jetting holes 8 are formed in a guide plate 7 of the substrate carrying device D. That is, circular gas jetting holes 8 of 128 pieces in total arranged by 8 pieces in one row in the orthogonal direction to the carrying direction and in 16 rows in the parallel direction to the carrying direction, are formed on an upper surface of the guide plate 7. One tabular tray 5 is placed on the guide plate 7 in a processing object carrying-out chamber 2. The tray 5 has a rectangular body part 5a having both side edges formed in parallel to the carrying direction, and overhang parts 5b, 5b, 5c, 5c, 5d and 5d of 6 in total arranged so as to partially overhang outside from both respective side edges in this body part 5a and engaging a carrying arm 24/releasing engagement in an abutting shape when carrying the tray 5 by the carrying arm 24. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止携带故障的风险的基板搬运装置。解决方案：在基板搬运装置D的引导板7中形成有多个浮动气体喷射孔8，也就是说，128个圆形气体喷射孔8总共排列成8列，在导向板7的上表面上形成有沿着与输送方向平行的方向的16行方向。一个平板状托盘5被放置在处理对象搬出室2的导板7上托盘5具有矩形主体部分5a，其两侧边缘平行于传送方向形成，并且总共布置了从两个相应的部分突出的外侧部分5b，5b，5c，5c，5d和5d，在该主体部分5a中的侧边缘并且通过承载臂24承载托盘5时接合承载臂24 /释放接合形状的接合。（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2009060149A Stacked photoelectric conversion device 有权
标题翻译：堆叠式光电转换装置
公开(公告)号：JP2009060149A
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2008321032
申请日：2008-12-17
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NISHIMURA KAZUHITO , HAYAKAWA HISASHI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a stacked photoelectric conversion device in which light reflection for wavelength which can be utilized in a bottom cell in an intermediate layer is suppressed, and incident light quantity on the bottom cell can be increased. SOLUTION: The stacked photoelectric conversion device includes a plurality of photoelectric conversion layers with these layers stacked, and an intermediate layer is sandwiched between at least a pair of adjacent photoelectric conversion layers. The intermediate layer is a transparent conductive layer having at least an opening portion, and the pair of the photoelectric conversion layers holding the intermediate layer between them are brought into contact with each other through the opening part. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

10. 发明专利

JP2008181965A Laminated optoelectric converter and its fabrication process 审中-公开
标题翻译：层压光电转换器及其制造工艺
公开(公告)号：JP2008181965A
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2007012851
申请日：2007-01-23
申请人： Sharp Corp , シャープ株式会社
发明人： NASUNO YOSHIYUKI , KOHAMA NORIYOSHI , NAKANO TAKANORI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated optoelectric converter in which incident light quantity control effect is attained by providing an intermediate layer between the optoelectric conversion layers, and the optoelectric conversion efficiency is enhanced by reducing carrier recombination on the interface of the intermediate layer and a semiconductor layer, and also to provide its fabrication process. SOLUTION: The laminated optoelectric converter includes a laminate of a plurality of silicon-based optoelectric conversion layers having a pin structure wherein at least a pair of adjoining optoelectric conversion layers sandwiches an intermediate layer composed of silicon nitride, the pair of optoelectric conversion layers is interconnected electrically, and a p-type silicon based semiconductor layer which is a part of the optoelectric conversion layer and is in contact with the intermediate layer contains nitrogen atoms. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供通过在光电转换层之间设置中间层来实现入射光量控制效果的层叠光电转换器，并且通过减少光电转换效率的界面上的载流子复合来增强光电转换效率中间层和半导体层，并且还提供其制造工艺。解决方案：层压光电转换器包括具有引脚结构的多个硅基光电转换层的叠层，其中至少一对邻接的光电转换层夹在由氮化硅组成的中间层，该对光电转换层是电连接的，作为光电转换层的一部分并与中间层接触的p型硅基半导体层包含氮原子。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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