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1. 发明专利

JP2014056871A Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing device, and program 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理方法，衬底处理器件和程序
公开(公告)号：JP2014056871A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2012199536
申请日：2012-09-11
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： HIROSE YOSHIRO , SANO ATSUSHI , HARADA KATSUYOSHI , SHIMAMOTO SATOSHI
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/30 , C23C16/45531 , C23C16/45553 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67 , H01L21/67109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film having high resistance to HF and low permittivity with high productivity in a low temperature region.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device and a substrate processing method form a thin film containing a predetermined element and a borazine ring skeleton on a substrate by performing, a prescribed number of times, a cycle including a step of supplying a material gas containing the predetermined element and a halogen group to the substrate and a step of supplying a reaction gas containing a borazine compound to the substrate under the condition that the borazine ring skeleton in the borazine compound is retained.
摘要翻译：要解决的问题：在低温区域中以高生产率形成具有高的耐HF性和低介电常数的薄膜。解决方案：半导体器件的制造方法和基板处理方法形成含有预定元素的薄膜，通过进行规定次数的包含将含有规定的元素和卤素基团的原料气体供给到基板的工序的循环，以及将含有环硼氮烷化合物的反应气体供给到在保留环硼氮烷化合物中的环硼氮烷骨架的条件下进行。

2. 发明专利

JP2014229834A 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム有权
标题翻译：制造半导体器件，基板处理器件和程序的方法
公开(公告)号：JP2014229834A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：JP2013110242
申请日：2013-05-24
申请人：株式会社日立国際電気 , Hitachi Kokusai Electric Inc
发明人： SHIMAMOTO SATOSHI , HIROSE YOSHIRO , SANO ATSUSHI , KAMAKURA TSUKASA , NODA TAKAAKI
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/02337
摘要：【課題】高エッチング耐性を維持しつつ優れたアッシング耐性を有する薄膜を形成する。【解決手段】基板に対してシリコン、炭素およびハロゲン元素を含みSi−C結合を有する原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、基板に対してIII族元素またはV族元素のいずれかの所定元素を含む改質ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に、シリコン、酸素、炭素および所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：在保持高抗蚀性的同时形成具有优异耐灰蚀性的薄膜。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括：形成含有硅，氧，碳和规定元素的薄膜的步骤 III族元素或V族元素，通过规定次数进行包括以下步骤的循环：提供含有硅，碳和卤素元素并具有Si-C键的催化剂和催化剂气体到基板; 向基板供给氧化气体和催化剂气体; 并将含有规定元素的重整气体供给到基板。

3. 发明专利

JP2013225657A Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing device, and program 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理方法，衬底处理器件和程序
公开(公告)号：JP2013225657A
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：JP2013025016
申请日：2013-02-12
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： SHIMAMOTO SATOSHI , WATAHASHI YOSHISATO , HASHIMOTO YOSHITOMO , HIROSE YOSHIRO
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/455 , C23C16/56 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0228 , B08B7/00 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02263
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film of good quality, while suppressing generation of foreign substances in a low-temperature region.SOLUTION: A method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step of forming a thin film, which includes at least a predetermined element and carbon, on a substrate by performing a predetermined number of times of cycles that include a step of supplying raw material gas including the predetermined element and a halogen element to the substrate in a processing container, and a step of supplying amine-based gas to the substrate in the processing container; and a step of reforming by-products deposited in the processing container, by supplying nitrogen gas in the processing container after the thin film formation.
摘要翻译：要解决的问题：形成质量好的薄膜，同时抑制在低温区域中的异物的产生。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括：形成薄膜的步骤，其至少包括通过在处理容器中进行预定次数的循环，包括将包含预定元素和卤素元素的原料气体供给到基板的步骤，在基板上进行预定的元素和碳，基于气体的处理容器中的基材; 以及通过在薄膜形成之后在处理容器中供给氮气来重整沉积在处理容器中的副产物的步骤。

4. 发明专利

JP2015053445A 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム有权
标题翻译：半导体器件制造方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：JP2015053445A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013186482
申请日：2013-09-09
申请人：株式会社日立国際電気 , Hitachi Kokusai Electric Inc
发明人： NODA TAKAAKI , SHIMAMOTO SATOSHI , NOHARA SHINGO , HIROSE YOSHIRO , MAEDA KIYOHIKO
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/42 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C23C16/45553 , C23C16/45561 , C23C16/45578 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32559 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/02321 , H01L21/02329 , H01L21/02332 , H01L21/02337 , H01L21/0234
摘要：【課題】高エッチング耐性を維持しつつ優れたアッシング耐性を有する薄膜を形成する。【解決手段】基板に対してシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、基板に対して炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する工程を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：形成具有优异耐灰蚀性的薄膜，同时保持高耐蚀刻性。解决方案：一种半导体器件制造方法包括执行预定数量的循环的过程，每个循环包括：向基板供应材料的步骤用作硅源和碳化物源或用作硅源但不用作碳源的气体和催化剂气体; 将氧化物气体和催化剂气体供给到基板的工序; 以及向所述基板供给包含碳化物或氮化物中的至少一种的重整气体，从而在所述基板上形成含有硅，氧化物和碳的薄膜，或者含有硅，氧化物，碳，和氮。

5. 发明专利

JP2014041975A Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processor and program 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理方法，基板处理器和程序
公开(公告)号：JP2014041975A
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：JP2012184477
申请日：2012-08-23
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： HASHIMOTO YOSHITOMO , HIROSE YOSHIRO , SHIMAMOTO SATOSHI , SANO ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/42 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0214 , C23C16/30 , C23C16/45531 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film which is high in resistance to HF, and which is low in a dielectric constant in a low temperature region.SOLUTION: There is provided a method for forming a thin film containing a predetermined element, nitrogen and borazine ring skeleton on a substrate by performing, a predetermined number of times, a cycle including: a process of forming a first layer containing the predetermined element, halogen group, carbon and nitrogen by performing, the predetermined number of times, a process (step 1) of supplying first source gas containing the predetermined element and the halogen group to the substrate and a process (step 2) of supplying second source gas containing the predetermined element and an amino group to the substrate; and a process (step 3) of forming a second layer containing the predetermined element, carbon, nitrogen and borazine ring skeleton by supplying reaction gas containing a borazine compound to the substrate, and making the first layer and the borazine compound react under such conditions that the borazine ring skeleton in the borazine compound is held to improve the first layer.
摘要翻译：要解决的问题：形成耐HF性高的薄膜，并且在低温区域的介电常数低。本发明提供一种形成含有预定元素，氮和环硼氮烷环骨架，通过进行预定次数的循环，包括：通过进行预定次数的步骤（步骤（b）），形成含有预定元素，卤素基团，碳和氮的第一层的工艺步骤1）将含有预定元素和卤素基团的第一源气体供应到基底和将含有预定元素和氨基的第二源气体供应到基底的步骤（步骤2）以及通过将含有环硼氮烷化合物的反应气体供给到基材中而形成含有规定元素的碳，氮和环硼氮烷骨架的第二层的工序（工序3），使第一层和环硼氮烷化合物在以下条件下反应：保持环硼氮烷化合物中的环硼氮烷骨架以改善第一层。

6. 发明专利

JP2013187507A Method for manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：JP2013187507A
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：JP2012053787
申请日：2012-03-09
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： KIRIKIHIRA KAORI , WATAHASHI YOSHISATO , SHIMAMOTO SATOSHI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/4412 , C23C16/455 , C23C16/45531 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01L21/02104 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/02205 , H01L21/02211 , H01L21/67109 , H01L21/6715
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress deposition of a by-product into an exhaust pipe when a thin film is formed.SOLUTION: The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a thin film on a substrate by performing, a predetermined number of times, a cycle including the steps of: supplying a raw material gas 232 to a substrate 200 in a processing chamber 201; exhausting the raw material gas remaining in the processing chamber by an exhaust line 231 in a state in which the supply of the raw material gas is stopped; supplying an amine-based gas to the substrate in the processing chamber; and exhausting the amine-based gas remaining in the processing chamber by the exhaust line 231 in a state in which the supply of the amine-based gas is stopped. The step of exhausting the amine-based gas remaining in the processing chamber changes the opening of an exhaust valve 244 provided on the exhaust line at multiple stages.
摘要翻译：要解决的问题：在形成薄膜时抑制副产物沉积到排气管中。解决方案：制造半导体器件的方法包括以下步骤：在基片上形成预定数量的薄膜的循环，包括以下步骤：将原料气体232供给到处理室201中的基板200; 在停止供给原料气体的状态下，通过排气管线231排出残留在处理室中的原料气体; 向处理室中的基板供应胺类气体; 并且在停止供给胺系气体的状态下通过排气管线231排出残留在处理室中的胺系气体。排出残留在处理室中的胺系气体的工序，使设置在排气管上的排气阀244的开度变化多级。

7. 发明专利

JP2015035477A 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム有权
标题翻译：半导体器件制造方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：JP2015035477A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2013165158
申请日：2013-08-08
申请人：株式会社日立国際電気 , Hitachi Kokusai Electric Inc
发明人： SHIMAMOTO SATOSHI , HIROSE YOSHIRO , SANO ATSUSHI
IPC分类号： H01L21/318 , C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/45553 , C23C16/36 , C23C16/401 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , C23C16/52 , H01J37/32449 , H01J37/32779 , H01L21/02126 , H01L21/02167 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：【課題】高い制御性で高濃度に炭素が添加された薄膜を形成する。【解決手段】基板に対して1分子中に少なくとも2つのシリコンを含み、さらに炭素およびハロゲン元素を含みSi−C結合を有する原料ガスを供給する工程と、基板に対して窒素または酸素のいずれかである所定元素を含む改質ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、基板上に、シリコン、炭素および所定元素を含む薄膜を形成する工程を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：形成具有高可控性的高度添加碳的薄膜。解决方案：半导体器件制造方法包括：通过执行预定时间在基板上形成含有硅，碳和预定元素的薄膜的工艺包括向基板供给工序的循环，在一个分子中含有至少两个硅，另外含有碳和卤素元素并且具有Si-C键的原料气体，以及向所述基板供给的工序，含有氮或氧的预定元素的重整气体。

8. 发明专利

JP2013140944A Manufacturing method for semiconductor device, substrate processing method, substrate processing device, and program 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法，衬底处理方法，衬底处理器件和程序
公开(公告)号：JP2013140944A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2012233850
申请日：2012-10-23
申请人： Hitachi Kokusai Electric Inc , 株式会社日立国際電気
发明人： HIROSE YOSHIRO , SANO ATSUSHI , WATAHASHI YOSHISATO , HASHIMOTO YOSHITOMO , SHIMAMOTO SATOSHI
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/36 , C23C16/45523 , H01L21/02167 , H01L21/02172 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/31
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thin film having characteristics such as a low dielectric constant, high etching resistance, and high leak resistance.SOLUTION: A manufacturing method for a semiconductor device includes a step of forming a thin film including a prescribed element on a substrate by performing a cycle including the following steps a prescribed number of times: forming a first layer including the prescribed element, nitrogen, and carbon by alternately performing a step of supplying a material gas containing the prescribed element and a halogen element to the substrate and a step of supplying a first reaction gas which is composed of three elements of carbon, nitrogen, and hydrogen to the substrate and in which the number of carbon atoms is greater than the number of nitrogen atoms in a composition formula; and modifying the first layer to form a second layer by supplying the material gas and a second reaction gas different from the first reaction gas to the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：形成具有低介电常数，高耐蚀刻性和高耐漏电性等特性的薄膜。解决方案：一种半导体器件的制造方法，包括：将包含规定元素的薄膜形成在第通过以下步骤进行规定次数的循环：通过交替地进行将含有规定元素和卤素元素的原料气体供给到基板的步骤，形成包含规定元素，氮和碳的第一层以及将由碳，氮和氢的三种元素构成的第一反应气体供给到所述基板中，其中碳原子数大于组成式中的氮原子数的步骤; 以及通过将不同于第一反应气体的材料气体和第二反应气体供给到基板，来修饰第一层以形成第二层。

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