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    • 3. 发明专利
    • Thermocurable resin composition, prepreg using the thermocurable resin composition, laminated plate, and printed wiring board
    • 可热固性树脂组合物,使用可热固化树脂组合物,层压板和印刷线路板
    • JP2012111930A
    • 2012-06-14
    • JP2011117322
    • 2011-05-25
    • Hitachi Chemical Co Ltd日立化成工業株式会社
    • TAKAHARA NAOKIOSE MASAHISAUCHIMURA RYOICHIKATO IKUHIKOMIYATAKE MASATOKOTAKE TOMOHIKO
    • C08G59/40C08J5/24C08K3/22C08L63/00H05K1/03
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermocurable resin composition satisfying moisture resistance and adhesion and imparting heat resistance relative to a temperature condition in a lead-free soldering or a reflow soldering and an advantageous thermal coefficient of linear expansion.SOLUTION: This thermocurable resin composition is a thermocurable resin composition containing: a compound (A) obtained by reacting a maleimide compound (a) having in one molecule thereof, at least two N-substituted maleimide group with an amine compound (b) having an acidic substituent represented by General Formula (1) (where, when Rexists in a plurality, Rs represent each independently any one of a hydroxy group, a carboxy group, and a sulfonic acid group which are an acidic substituent; when Rexists in a plurality, Rs represent independently any one of a hydrogen atom, a 1C-5C aliphatic hydrocarbon group, a halogen atom, a hydroxy group, a carboxy group, and a sulfonic acid group; and x and y are each an integer of 1 to 4) and having in the molecule structure thereof, an acidic substituent and an N-substituted maleimide group; an epoxy resin (B); a metal hydrate (C) having a thermal decomposition temperature of 300°C or higher; and a modified imidazole compound (D).
    • 要解决的问题:提供一种满足耐湿性和粘合性并且在无铅焊接或回流焊接中相对于温度条件赋予耐热性和有利的线性膨胀热系数的热固性树脂组合物。 解决方案:该热固性树脂组合物是含有下列化合物的热固性树脂组合物:通过使具有1分子的马来酰亚胺化合物(a),至少2个N-取代马来酰亚胺基与胺化合物(b )具有由通式(1)表示的酸性取代基(其中当R 1 存在于多个时,R 1 独立地表示作为酸性取代基的羟基,羧基和磺酸基中的任一个;当多个R 2 时,R SB SB = “POST”> 2 独立地表示氢原子,1C-5C脂族烃基,卤素原子,羟基,羧基和磺酸基中的任何一个; x和y分别为 每个为1至4的整数),并且在其分子结构中具有酸性取代基和N-取代的马来酰亚胺基团; 环氧树脂(B); 热分解温度为300℃以上的金属水合物(C) 和改性咪唑化合物(D)。 版权所有(C)2012,JPO&INPIT
    • 4. 发明专利
    • 半導体装置の製造方法
    • JP2020009945A
    • 2020-01-16
    • JP2018130707
    • 2018-07-10
    • HITACHI CHEMICAL CO LTD
    • HORI KEICHIKATO IKUHIKOSAITO TAKESHIKAMIMURA KAZUYA
    • H01L21/56H01L23/29H01L23/31
    • 【課題】フィラーや樹脂の不均一性が小さく、反り量ばらつきが非常に小さい半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】熱硬化成分を含む接着層を一方の面に積層した複数の半導体チップを基板もしくはフレームに搭載し積層体を準備する工程と、前記積層体中の接着成分を熱処理によって硬化させる工程と、前記積層体を金型内に設置した後、エポキシ樹脂組成物を封止樹脂として、金型内を減圧下にしつつ、圧縮成形をして樹脂封止する工程と、前記樹脂封止積層体を熱処理によって硬化させる工程と、前記熱処理によって硬化させた樹脂封止積層体を個片化する工程と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記圧縮成形をして樹脂封止する工程において、下記式で示す減圧速度を10〜350torr/秒として、金型内を減圧下に圧縮成形をすることを特長とする半導体装置の製造方法。(減圧速度)=(初期圧力−減圧限界圧力)/(減圧限界圧力到達時間)【選択図】図4