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1. 发明专利

JP2017085126A 半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子、並びに太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017085126A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016238300
申请日：2016-12-08
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： SATO TETSUYA , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , ODA AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L21/2255 , H01L29/36 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】光変換効率に優れる半導体基板及びその製造方法、並びにそれを用いて形成される太陽電池素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】半導体層と、K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及びLuからなる群より選ばれる金属原子の少なくとも1種、並びにn型不純物原子及びp型不純物原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の不純物原子を含む不純物拡散層と、を有する半導体基板。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2015092579A 素子及び太陽電池並びに電極用ペースト組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2015092579A
公开(公告)日：2015-05-14
申请号：JP2014239120
申请日：2014-11-26
申请人： HITACHI CHEMICAL CO LTD
发明人： ADACHI SHUICHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , IWAMURO MITSUNORI , KIZAWA KEIKO , AOYAGI TAKUYA , YAMAMOTO HIROTAKA , NAITO TAKASHI , KATO TAKAHIKO
IPC分类号： H01L31/0224 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L31/068
摘要：【課題】焼成時における銅の酸化が抑制され、良好なオーミックコンタクトを有する銅含有電極がシリコンを含む基板上に形成された素子及び該素子を構成するのに好適な電極用ペースト組成物を提供する。【解決手段】シリコンを含む基板と、前記基板上に配置された電極とを有し、前記電極は、銅含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含む電極用ペースト組成物の焼物であり、体積抵抗率が1?10−4&OHgr;・cm以下である素子である。また電極用ペースト組成物に、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含ませ、25℃における粘度が80Pa・s〜1000Pa・sの範囲であるように構成する。さらにまた電極用ペースト組成物に、リン含有銅合金粒子、錫含有粒子、ガラス粒子、溶剤及び樹脂を含ませ、固形分濃度が70質量%〜98質量%の範囲であるように構成する【選択図】なし

3. 发明专利

JP2015053505A ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法审中-公开
标题翻译：用于N型扩散层形成的组合物，制造N型扩散层的方法和制造太阳能电池单元的方法
公开(公告)号：JP2015053505A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2014220674
申请日：2014-10-29
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： MACHII YOICHI , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , OKANIWA KAORU , IWAMURO MITSUNORI , ADACHI SHUICHIRO , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成することが可能なn型拡散層形成組成物、n型拡散層形成組成物の製造方法、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。【解決手段】分散媒と、ZrO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MgO、CaO、SrO、及びBaOから選択される少なくとも1種並びにP2O5を含むガラス粉末と、を含有する、n型拡散層形成組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于n型扩散层形成的组合物，其可以在太阳能电池单元的制造过程中在特定部分上形成n型扩散层而不形成不需要的n型扩散层，使用晶体硅衬底; 制造这种用于n型扩散层形成的组合物的方法; n型扩散层的制造方法; 和太阳能电池单元的制造方法。解决方案：用于n型扩散层形成的组合物包括：分散剂; 选自ZrO，AlO，TiO，ZnO，MgO，CaO，SrO和BaO中的至少一种化合物; 和玻璃粉末包括PO。

4. 发明专利

JP2015053401A ｐ型拡散層を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子审中-公开
标题翻译：用于制造具有P型扩散层的半导体衬底的方法，用于制造太阳能电池元件的方法和太阳能电池元件
公开(公告)号：JP2015053401A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185613
申请日：2013-09-06
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： ODA AKIHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , ASHIZAWA TORANOSUKE , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SATO HIDEKAZU , SHIMIZU MARI , SATO TETSUYA
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】アウトディフュージョンを抑制できるp型拡散層を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及びこれにより得られる太陽電池素子の提供。【解決手段】本発明のp型拡散層を有する半導体基板の製造方法は、p型不純物を含むガラス粒子及び分散媒を含有するp型拡散層形成組成物が一部の領域に付与された半導体基板を、酸素濃度が3体積%以上の雰囲気下で熱処理する工程を有する、p型拡散層を有する半導体基板の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有能够抑制扩散扩散的p型扩散层的半导体衬底的方法; 太阳能电池元件的制造方法; 以及通过这种方法获得的太阳能电池元件。解决方案：制造具有p型扩散层的半导体衬底的方法包括在氧气密度为3体积的气氛下对半导体衬底进行热处理的步骤。％或者更多; 在半导体衬底的一部分的区域上涂布用于形成包含p型杂质的玻璃微粒和分散剂的p型扩散层的组合物。

5. 发明专利

JP2015018814A 電極用ペースト組成物及び太陽電池审中-公开
标题翻译：电极和太阳能电池组合物
公开(公告)号：JP2015018814A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014171014
申请日：2014-08-25
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , IWAMURO MITSUNORI , ADACHI SHUICHIRO , KIZAWA KEIKO , AOYAGI TAKUYA , YAMAMOTO HIROTAKA , NAITO TAKASHI , KATO TAKAHIKO
IPC分类号： H01B1/22 , H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】焼成時における銅の酸化が抑制され、抵抗率の低い電極を形成可能な電極用ペースト組成物、及び、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池を提供する。【解決手段】電極用ペースト組成物を、示差熱−熱重量同時測定において最大面積を示す発熱ピークのピーク温度が280℃以上である銅含有粒子と、ガラス粒子と、溶剤と、樹脂と、を含んで構成する。また、該電極用ペースト組成物を用いて形成された電極を有する太陽電池である。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在烘烤中抑制铜氧化的电极的糊剂组合物，并且允许形成具有低电阻率的电极和具有通过使用电极用糊剂组合物形成的电极的太阳能电池。：用于电极的糊剂组合物包括在差热和热重量值的同时测量中，具有最大面积为280℃或更高的吸热峰的峰值温度的含铜颗粒，玻璃颗粒，溶剂和树脂。还提供了具有通过使用电极用糊剂组合物形成的电极的太阳能电池。

6. 发明专利

JP2014179360A Composition for n-type diffusion layer formation, method for manufacturing semiconductor substrate having n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar battery device 审中-公开
标题翻译：用于N型扩散层形成的组合物，用于制造具有N型扩散层的半导体衬底的方法，以及用于制造太阳能电池器件的方法
公开(公告)号：JP2014179360A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2013050396
申请日：2013-03-13
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SATO HIDEKAZU , MACHII YOICHI , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , IWAMURO MITSUNORI , ODA AKIHIRO , SHIMIZU MARI , SATO TETSUYA
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/547
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a composition for n-type diffusion layer formation which allows an n-type diffusion layer to be formed in a particular portion while suppressing the occurrence of out-diffusion; a method for manufacturing a semiconductor substrate having an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar battery device.SOLUTION: A composition 11 for n-type diffusion layer formation comprises glass powder including at least a donor element, and a dispersant, and has a free phosphoric acid concentration of 50,000 ppm or less. A method for manufacturing a semiconductor substrate having an n-type diffusion layer comprises the steps of: applying the composition 11 for n-type diffusion layer formation to a surface of a p-type semiconductor substrate 10, namely a face forming a light-receiving surface of a solar battery device; and performing a thermal treatment on the p-type semiconductor substrate 10 with the composition 11 for n-type diffusion layer formation applied thereto at a temperature of 600-1,200°C for 5-90 minutes. As a result of the thermal treatment, the donor element is diffused into the p-type semiconductor substrate, whereby an n-type diffusion layer 12 is formed.
摘要翻译：要解决的问题：提供：一种用于n型扩散层形成的组合物，其允许在抑制扩散的发生的同时在特定部分形成n型扩散层; 一种制造具有n型扩散层的半导体衬底的方法; 以及太阳能电池装置的制造方法。解决方案：用于n型扩散层形成的组合物11包括至少包含供体元素的玻璃粉末和分散剂，并且游离磷酸浓度为50,000ppm以下。制造具有n型扩散层的半导体衬底的方法包括以下步骤：将n型扩散层形成用组合物11施加到p型半导体衬底10的表面，即形成光接收的面太阳能电池装置的表面; 并且在600-1200℃的温度下对其施加用于n型扩散层形成的组合物11，对p型半导体衬底10进行热处理5-90分钟。作为热处理的结果，施主元件扩散到p型半导体衬底中，由此形成n型扩散层12。

7. 发明专利

JP2014157871A Composition for forming passivation film, semiconductor substrate with passivation film and manufacturing method therefor, and solar cell element and manufacturing method therefor 审中-公开
标题翻译：用于形成钝化膜的组合物，具有钝化膜的半导体衬底及其制造方法及其太阳能电池元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014157871A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：JP2013026822
申请日：2013-02-14
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： ADACHI SHUICHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , TANAKA TORU , ODA AKIHIRO , HAYASAKA TAKESHI
IPC分类号： H01L31/05
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a passivation film that can form a passivation film with a simple method, having excellent storage stability in a desired shape while suppressing uneven printing and print stains, and can form a passivation film having high passivation effect uniformly on a semiconductor substrate.SOLUTION: A composition 5 for forming a passivation film containing aluminum hydroxide particles, and a solvent.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成钝化膜的组合物，其可以通过简单的方法形成钝化膜，在所需形状下具有优异的储存稳定性，同时抑制不均匀印刷和印刷污渍，并且可以形成具有高钝化度的钝化膜对半导体衬底均匀地影响。溶液：用于形成含有氢氧化铝颗粒的钝化膜的组合物5和溶剂。

8. 发明专利

JP2014150261A p-TYPE DIFFUSION LAYER FORMATION COMPOSITION, p-TYPE DIFFUSION LAYER MANUFACTURING METHOD AND SOLAR CELL ELEMENT MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译： p型扩散层形成组合物，p型扩散层制造方法和太阳能电池元件制造方法
公开(公告)号：JP2014150261A
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：JP2014040997
申请日：2014-03-03
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： NOJIRI TAKESHI , YOSHIDA MASATO , OKANIWA KAORU , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , ADACHI SHUICHIRO , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , C03C8/16 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , C03C3/06 , C03C3/066 , C03C3/074 , C03C3/089 , C03C3/093 , C03C3/142 , C03C3/145 , C03C3/15 , C03C8/08 , C03C8/16 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/0288 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a p-type diffusion layer formation composition, a p-type diffusion layer manufacturing method and a solar cell element manufacturing method, which can form a p-type diffusion layer in a manufacturing process of a solar cell element by using a silicon substrate while inhibiting the occurrence of an internal stress in a silicon substrate and warpage of a substrate.SOLUTION: A p-type diffusion layer formation composition contains a glass powder which contains an acceptor element and has a softening temperature of 300-950°C and a disperse medium. A p-type diffusion layer and a solar cell element having a p-type diffusion layer are manufactured by coating the p-type diffusion layer formation composition and performing a heat diffusion treatment.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在太阳能电池元件的制造过程中可以形成p型扩散层的p型扩散层形成用组合物，p型扩散层制造方法和太阳能电池元件的制造方法通过使用硅衬底同时抑制硅衬底中的内部应力的发生和衬底的翘曲。解决方案：p型扩散层形成组合物含有含有受体元素的玻璃粉末，其软化温度为300〜 950℃和分散介质。通过涂覆p型扩散层形成组合物并进行热扩散处理，制造具有p型扩散层的p型扩散层和太阳能电池元件。

9. 发明专利

JP2014146813A P-type diffusion layer formation composition, manufacturing method of p-type diffusion layer, and manufacturing method of solar cell element 审中-公开
标题翻译： P型扩散层形成组合物，P型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
公开(公告)号：JP2014146813A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014041962
申请日：2014-03-04
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： ADACHI SHUICHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , OKANIWA KAORU , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068
CPC分类号： H01L21/2225 , C03C8/18 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a p-type diffusion layer formation composition capable of forming a p-type diffusion layer and forming a solar cell element with low surface resistance value while suppressing generations of an internal stress in a silicon substrate and of a warpage of the substrate in a manufacturing step of the solar cell element using the silicon substrate, a manufacturing method of the p-type diffusion layer, and a manufacturing method of the solar cell element.SOLUTION: The p-type diffusion layer formation composition contains: a glass powder containing an acceptor chemical element; and a dispersion medium. The glass powder contains an acceptor chemical element containing material and a glass component material. A content ratio of the acceptor chemical element containing material in the glass powder is equal to or more than 1 mass% and is equal to or less than 90 mass%. By coating the p-type diffusion layer formation composition and performing a thermal diffusion treatment, a p-type diffusion layer and a solar cell element having the same are manufactured.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够形成p型扩散层并形成具有低表面电阻值的太阳能电池元件的p型扩散层形成组合物，同时抑制硅衬底中的内部应力的产生和翘曲在使用硅衬底的太阳能电池元件的制造步骤中的衬底的制造方法，p型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法。解决方案：p型扩散层形成组合物包含：含有受体化学元素的玻璃粉末; 和分散介质。玻璃粉末含有受体化学元素的材料和玻璃成分材料。玻璃粉中含有受体的化学元素的材料的含有比例在1质量％以上且为90质量％以下。通过涂覆p型扩散层形成组合物并进行热扩散处理，制造p型扩散层和具有该p型扩散层的太阳能电池元件。

10. 发明专利

JP2014146811A N-type diffusion layer formation composition, manufacturing method of n-type diffusion layer, and manufacturing method of solar cell element 审中-公开
标题翻译： N型扩散层形成组成，N型扩散层的制造方法和太阳能电池元件的制造方法
公开(公告)号：JP2014146811A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2014040996
申请日：2014-03-03
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： NOJIRI TAKESHI , YOSHIDA MASATO , OKANIWA KAORU , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , ADACHI SHUICHIRO , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , C03C3/097 , C03C3/16 , C03C8/16 , C23C24/08 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/1804 , C03C3/06 , C03C3/062 , C03C3/074 , C03C3/097 , C03C3/16 , C03C8/08 , C03C8/16 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an n-type diffusion layer formation composition capable of efficiently forming an n-type diffusion layer on a specific part without forming an unnecessary n-type diffusion layer in a manufacturing step of a solar cell element using a silicon substrate, a manufacturing method of the n-type diffusion layer, and a manufacturing method of the solar cell element.SOLUTION: The n-type diffusion layer formation composition contains: a glass powder containing a donor chemical element and having a softening temperature of 300°C to 950°C; and a dispersion medium. By coating the n-type diffusion layer formation composition and performing a thermal diffusion treatment, an n-type diffusion layer and a solar cell element having the same are manufactured.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在特定部分上有效形成n型扩散层而不形成不必要的n型扩散层的n型扩散层形成组合物，其在使用硅的太阳能电池元件的制造步骤中基板，n型扩散层的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。n型扩散层形成用组合物含有：含有供体化学元素，软化温度为300℃的玻璃粉末 ℃至950℃; 和分散介质。通过涂覆n型扩散层形成组合物并进行热扩散处理，制造n型扩散层和具有该n型扩散层的太阳能电池元件。

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