专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015050357A ｐ型拡散層を有するシリコン基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子审中-公开
标题翻译：用于制造具有P型扩散层的硅衬底的方法，用于制造太阳能电池元件的方法和太阳能电池元件
公开(公告)号：JP2015050357A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：JP2013181626
申请日：2013-09-02
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： ODA AKIHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , ASHIZAWA TORANOSUKE , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SATO HIDEKAZU , SHIMIZU MARI , SATO TETSUYA
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/546
摘要：【課題】選択エミッタ構造を有するp型拡散層を有するシリコン基板を、複雑な装置を必要とせず簡便な方法で製造することを可能にするp型拡散層を有するシリコン基板の製造方法の提供。【解決手段】シリコン基板の面上の部分領域に、p型不純物を含むガラス粒子及び分散媒を含有するp型拡散層形成組成物を付与する工程と、前記p型拡散層形成組成物が付与されたシリコン基板を、BBr3又はBCl3を含む雰囲気中で熱処理してp型拡散層を形成する工程と、を有するp型拡散層を有するシリコン基板の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有p型扩散层的硅衬底的方法，通过该方法可以以简单方便的方法制造具有选择性发射极结构的p型扩散层的硅衬底，而不需要用于制造具有p型扩散层的硅衬底的方法包括以下步骤：将包含p型杂质和分散剂的玻璃颗粒的p型扩散层形成组合物施加到在硅衬底的表面中的部分区域; 以及通过在包含BBRBCl的气氛中将p型扩散层形成组合物在硅衬底上进行热处理而形成p型扩散层。

2. 发明专利

JP2014170939A N-type diffusion layer-forming composition, method for manufacturing n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar battery element 有权
标题翻译： N型扩散层形成组合物，制造N型扩散层的方法和制造太阳能电池元件的方法
公开(公告)号：JP2014170939A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2014041961
申请日：2014-03-04
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： ADACHI SHUICHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , OKANIWA KAORU , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2255 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an n-type diffusion layer-forming composition which makes possible to form an n-type diffusion layer in a particular portion without forming an unnecessary n-type diffusion layer in a solar battery element manufacturing process by use of a silicon substrate, and to fabricate a solar battery element having a low surface resistance value, a method for manufacturing an n-type diffusion layer, and a method for manufacturing such a solar battery element.SOLUTION: An n-type diffusion layer-forming composition comprises: glass powder including a donor element; and a dispersant. The glass powder includes a donor element-containing material and a glass component material. The percentage of the donor element-containing material included in the glass powder is 1-80 mass%. A method for manufacturing an n-type diffusion layer comprises the steps of: applying the n-type diffusion layer-forming composition; and performing a thermal diffusion treatment.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种n型扩散层形成用组合物，其能够在太阳能电池元件的制造工序中在特定部分形成n型扩散层而不形成不必要的n型扩散层，硅基板，并制造具有低表面电阻值的太阳能电池元件，制造n型扩散层的方法和制造这种太阳能电池元件的方法。解决方案：n型扩散层形成组合物包括：包含施主元素的玻璃粉末; 和分散剂。玻璃粉末包含施主元素材料和玻璃成分材料。包含在玻璃粉末中的含有供体元素的材料的比例为1-80质量％。制造n型扩散层的方法包括以下步骤：施加n型扩散层形成组合物; 并进行热扩散处理。

3. 发明专利

JP2014099660A Composition for forming p-type diffusion layer, process of manufacturing p-type diffusion layer, and process of manufacturing solar cell element 审中-公开
标题翻译：用于形成P型扩散层的组合物，制造P型扩散层的方法以及制造太阳能电池元件的方法
公开(公告)号：JP2014099660A
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：JP2014035733
申请日：2014-02-26
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： MACHII YOICHI , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , OKANIWA KAORU , IWAMURO MITSUNORI , ADACHI SHUICHIRO , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1864 , C03C8/16 , C03C8/18 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/032 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a p-type diffusion layer capable of forming a p-type diffusion layer while suppressing generation of internal stress in a silicon substrate and warpage of the substrate in a manufacturing process of a solar cell element using a silicon substrate, and preventing a lifetime of carriers from largely lowering at a substrate having a p-type diffusion layer obtained thereby, and to provide a process of manufacturing a p-type diffusion layer and a process of manufacturing a solar cell element.SOLUTION: The composition for forming a p-type diffusion layer includes: a glass powder, containing an acceptor chemical element, in which a total amount of lifetime killer chemical elements is 1000 ppm or less; and a dispersion medium. By coating the composition for forming a p-type diffusion layer and performing a thermal diffusion treatment, a p-type diffusion layer and a solar cell element having the same are manufactured.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够形成p型扩散层的p型扩散层的形成用组合物，同时抑制硅衬底中的内部应力的产生和太阳能电池元件的制造过程中的衬底翘曲使用硅衬底，并且在由其获得的具有p型扩散层的衬底上防止载流子寿命大大降低，并提供制造p型扩散层的工艺和制造太阳能电池元件的工艺。解决方案：用于形成p型扩散层的组合物包括：含有受体化学元素的玻璃粉末，其中终期杀伤化学元素的总量为1000ppm以下; 和分散介质。通过涂布用于形成p型扩散层的组合物并进行热扩散处理，制造p型扩散层和具有该p型扩散层的太阳能电池元件。

4. 发明专利

JP2013235942A Impurity diffusion layer-forming composition, method for manufacturing impurity diffusion layer, method for manufacturing solar battery device, and solar battery 审中-公开
标题翻译：耐压扩散层形成组合物，制造耐火材料扩散层的方法，制造太阳能电池装置的方法和太阳能电池
公开(公告)号：JP2013235942A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：JP2012106999
申请日：2012-05-08
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： ODA AKIHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SATO TETSUYA
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04
CPC分类号： H01L21/2225 , Y02E10/547
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an impurity diffusion layer-forming composition which allows the selective formation of an impurity diffusion layer in a desired area and the suppression of production of residue after a thermal diffusion process.SOLUTION: The impurity diffusion layer-forming composition comprises: donor element-containing particles or acceptor element-containing particles; and a given organic compound of at least one selected from a group consisting of isobornyl cyclohexanol, isobornylphenol, 1-isopropyl-4-methyl-bicyclo[2.2.2]octa-5-en-2,3-dicarboxylic acid anhydride, and p-menthenylphenol.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种允许在所需区域中选择性地形成杂质扩散层并抑制热扩散工艺后残留物的产生的杂质扩散层形成组合物。解决方案：形成杂质扩散层的组合物包括：含供体元素的颗粒或含受体元素的颗粒; 和选自异冰片基环己醇，异冰片基苯酚，1-异丙基-4-甲基 - 双环[2.2.2]辛-5-烯-2,3-二羧酸酐和p - 苯二酚。

5. 发明专利

JP2017092394A 太陽電池素子、太陽電池、及び太陽電池モジュール审中-公开
公开(公告)号：JP2017092394A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015224221
申请日：2015-11-16
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： MACHII YOICHI , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , ADACHI SHUICHIRO , NEMOTO SATOMI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L31/048 , H01L31/05 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】変換効率の高い太陽電池及び太陽電池モジュールを得ることが可能な太陽電池素子、並びにその太陽電池素子を備える太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】太陽電池素子は、受光面を有する半導体基板と、受光面の裏面に設けられた、金属部及びガラス部を含む裏面出力取出し電極と、上記裏面出力取出し電極の縁部の少なくとも一部を覆うように裏面に設けられた、アルミニウムを含む裏面集電用電極と、を有し、裏面側からの平面図において、上記裏面出力取出し電極と上記裏面集電用電極との重なり領域の幅が0.1mm以上である部分を含む。【選択図】図1B

6. 发明专利

JP2014112636A Barrier layer-forming composition, method of manufacturing substrate for solar cell and method of manufacturing solar cell element 审中-公开
标题翻译：阻挡层形成组合物，制造太阳能电池基板的方法和制造太阳能电池元件的方法
公开(公告)号：JP2014112636A
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：JP2013104566
申请日：2013-05-16
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： ODA AKIHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SHIMIZU MARI , SATO TETSUYA , ASHIZAWA TORANOSUKE
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L21/2254 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a barrier layer-forming composition capable of preventing diffusion of donor elements or acceptor elements into a semiconductor substrate sufficiently, while suppressing change of shape after patterning, and to provide a manufacturing method of a substrate for solar cell and a manufacturing method of a solar cell element.SOLUTION: A barrier layer-forming composition contains a metal compound containing an alkaline-earth metal or an alkaline metal, a dispersion medium, and a thixotropy agent. A manufacturing method of a substrate for solar cell using the same, and a manufacturing method of a solar cell element are also provided.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够防止供体元件或受体元件充分地扩散到半导体基板中的阻挡层形成组合物，同时抑制图案化之后的形状变化，并提供太阳能电池基板的制造方法太阳能电池元件的制造方法。解决方案：阻挡层形成组合物含有含有碱土金属或碱金属的金属化合物，分散介质和触变剂。还提供了使用其的太阳能电池用基板的制造方法以及太阳能电池元件的制造方法。

7. 发明专利

JP2017085126A 半導体基板及びその製造方法、太陽電池素子、並びに太陽電池审中-公开
公开(公告)号：JP2017085126A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016238300
申请日：2016-12-08
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： SATO TETSUYA , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , ODA AKIHIRO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/02 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/02363 , H01L21/2255 , H01L29/36 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】光変換効率に優れる半導体基板及びその製造方法、並びにそれを用いて形成される太陽電池素子及び太陽電池を提供する。【解決手段】半導体層と、K、Na、Li、Ba、Sr、Ca、Mg、Be、Zn、Pb、Cd、V、Sn、Zr、Mo、La、Nb、Ta、Y、Ti、Zr、Ge、Te及びLuからなる群より選ばれる金属原子の少なくとも1種、並びにn型不純物原子及びp型不純物原子からなる群より選ばれる少なくとも1種の不純物原子を含む不純物拡散層と、を有する半導体基板。【選択図】なし

8. 发明专利

JP2015053505A ｎ型拡散層形成組成物、ｎ型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法审中-公开
标题翻译：用于N型扩散层形成的组合物，制造N型扩散层的方法和制造太阳能电池单元的方法
公开(公告)号：JP2015053505A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2014220674
申请日：2014-10-29
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： MACHII YOICHI , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , OKANIWA KAORU , IWAMURO MITSUNORI , ADACHI SHUICHIRO , SATO TETSUYA , KIZAWA KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：【課題】結晶シリコン基板を用いた太陽電池セルの製造工程において、不要なn型拡散層を形成させることなく特定の部分にn型拡散層を形成することが可能なn型拡散層形成組成物、n型拡散層形成組成物の製造方法、n型拡散層の製造方法、及び太陽電池セルの製造方法の提供。【解決手段】分散媒と、ZrO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MgO、CaO、SrO、及びBaOから選択される少なくとも1種並びにP2O5を含むガラス粉末と、を含有する、n型拡散層形成組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于n型扩散层形成的组合物，其可以在太阳能电池单元的制造过程中在特定部分上形成n型扩散层而不形成不需要的n型扩散层，使用晶体硅衬底; 制造这种用于n型扩散层形成的组合物的方法; n型扩散层的制造方法; 和太阳能电池单元的制造方法。解决方案：用于n型扩散层形成的组合物包括：分散剂; 选自ZrO，AlO，TiO，ZnO，MgO，CaO，SrO和BaO中的至少一种化合物; 和玻璃粉末包括PO。

9. 发明专利

JP2015053401A ｐ型拡散層を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子审中-公开
标题翻译：用于制造具有P型扩散层的半导体衬底的方法，用于制造太阳能电池元件的方法和太阳能电池元件
公开(公告)号：JP2015053401A
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：JP2013185613
申请日：2013-09-06
申请人：日立化成株式会社 , Hitachi Chemical Co Ltd
发明人： ODA AKIHIRO , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , ASHIZAWA TORANOSUKE , MACHII YOICHI , IWAMURO MITSUNORI , SATO HIDEKAZU , SHIMIZU MARI , SATO TETSUYA
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】アウトディフュージョンを抑制できるp型拡散層を有する半導体基板の製造方法、太陽電池素子の製造方法、及びこれにより得られる太陽電池素子の提供。【解決手段】本発明のp型拡散層を有する半導体基板の製造方法は、p型不純物を含むガラス粒子及び分散媒を含有するp型拡散層形成組成物が一部の領域に付与された半導体基板を、酸素濃度が3体積%以上の雰囲気下で熱処理する工程を有する、p型拡散層を有する半導体基板の製造方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造具有能够抑制扩散扩散的p型扩散层的半导体衬底的方法; 太阳能电池元件的制造方法; 以及通过这种方法获得的太阳能电池元件。解决方案：制造具有p型扩散层的半导体衬底的方法包括在氧气密度为3体积的气氛下对半导体衬底进行热处理的步骤。％或者更多; 在半导体衬底的一部分的区域上涂布用于形成包含p型杂质的玻璃微粒和分散剂的p型扩散层的组合物。

10. 发明专利

JP2014179360A Composition for n-type diffusion layer formation, method for manufacturing semiconductor substrate having n-type diffusion layer, and method for manufacturing solar battery device 审中-公开
标题翻译：用于N型扩散层形成的组合物，用于制造具有N型扩散层的半导体衬底的方法，以及用于制造太阳能电池器件的方法
公开(公告)号：JP2014179360A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2013050396
申请日：2013-03-13
申请人： Hitachi Chemical Co Ltd , 日立化成株式会社
发明人： SATO HIDEKAZU , MACHII YOICHI , YOSHIDA MASATO , NOJIRI TAKESHI , KURATA YASUSHI , IWAMURO MITSUNORI , ODA AKIHIRO , SHIMIZU MARI , SATO TETSUYA
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/547
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a composition for n-type diffusion layer formation which allows an n-type diffusion layer to be formed in a particular portion while suppressing the occurrence of out-diffusion; a method for manufacturing a semiconductor substrate having an n-type diffusion layer; and a method for manufacturing a solar battery device.SOLUTION: A composition 11 for n-type diffusion layer formation comprises glass powder including at least a donor element, and a dispersant, and has a free phosphoric acid concentration of 50,000 ppm or less. A method for manufacturing a semiconductor substrate having an n-type diffusion layer comprises the steps of: applying the composition 11 for n-type diffusion layer formation to a surface of a p-type semiconductor substrate 10, namely a face forming a light-receiving surface of a solar battery device; and performing a thermal treatment on the p-type semiconductor substrate 10 with the composition 11 for n-type diffusion layer formation applied thereto at a temperature of 600-1,200°C for 5-90 minutes. As a result of the thermal treatment, the donor element is diffused into the p-type semiconductor substrate, whereby an n-type diffusion layer 12 is formed.
摘要翻译：要解决的问题：提供：一种用于n型扩散层形成的组合物，其允许在抑制扩散的发生的同时在特定部分形成n型扩散层; 一种制造具有n型扩散层的半导体衬底的方法; 以及太阳能电池装置的制造方法。解决方案：用于n型扩散层形成的组合物11包括至少包含供体元素的玻璃粉末和分散剂，并且游离磷酸浓度为50,000ppm以下。制造具有n型扩散层的半导体衬底的方法包括以下步骤：将n型扩散层形成用组合物11施加到p型半导体衬底10的表面，即形成光接收的面太阳能电池装置的表面; 并且在600-1200℃的温度下对其施加用于n型扩散层形成的组合物11，对p型半导体衬底10进行热处理5-90分钟。作为热处理的结果，施主元件扩散到p型半导体衬底中，由此形成n型扩散层12。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式