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1. 发明专利

JP2015032818A ウエーハの分割方法有权
标题翻译：波分方法
公开(公告)号：JP2015032818A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：JP2013164095
申请日：2013-08-07
申请人：株式会社ディスコ , Disco Abrasive Syst Ltd , 岩谷産業株式会社 , Iwatani Internatl Corp
发明人： MATSUZAKI SAKAE , MASUDA TAKATOSHI , MAEMOTO NOZOMI , YOSHINO YUTAKA , SENOO TAKEHIKO , AIDA TOSHIHIRO , BIRO TOMOYA
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/02076 , H01L21/2686 , H01L21/3065
摘要：【課題】クラックの増長を抑制しつつ、チップ側面に残存した改質領域や破片を除去すること。【解決手段】ウエーハの分割方法は、ストリート(75)に沿ってレーザ光を照射してウエーハ(W)の内部に改質領域(77)を形成する工程と、改質領域を起点としてウエーハを個々のチップ(C)に分割する工程と、ウエーハが投入された処理室内を真空状態にし、処理室内を不活性ガスで満たす工程と、不活性ガスで満たされた処理室内にエッチングガスを導入してチップ側面(78)をエッチングする工程とを有している。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：在抑制裂纹发展的同时，除去残留在芯片侧面的修饰区域和碎片。解决方案：晶片分割方法包括以下步骤：在晶片（W）内形成改质区域（77）通过沿着街道（75）用激光束照射所述晶片; 使用改质区域作为起点将晶片分割成单个芯片（C）; 将处理室放入晶片进入真空状态并用惰性气体填充处理室内部; 以及通过将蚀刻气体引入到填充有惰性气体的处理室的内部来蚀刻芯片的侧表面（78）。

2. 发明专利

JP2014199833A 被加工物のエッチング方法有权
标题翻译：用于蚀刻对象的方法
公开(公告)号：JP2014199833A
公开(公告)日：2014-10-23
申请号：JP2013073671
申请日：2013-03-29
申请人：株式会社ディスコ , Disco Abrasive Syst Ltd
发明人： MATSUZAKI SAKAE
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：【課題】より簡易的なエッチングを可能とする被加工物のエッチング方法を提供することである。【解決手段】エッチング領域と非エッチング領域とを備えた被加工物のエッチング方法であって、被加工物の非エッチング領域に対応した開口を有する被加工物を被覆可能なマスクを準備するマスク準備ステップと、該マスクの該開口と被加工物の該非エッチング領域とを一致させた状態で該マスクを被加工物上に載置して、被加工物の該エッチング領域を該マスクで被覆するとともに該非エッチング領域は露出させるマスク載置ステップと、該マスクが載置された被加工物上に該マスクを介して保護膜剤を塗付し、被加工物の該非エッチング領域上に保護膜を形成する保護膜形成ステップと、該非エッチング領域上に該保護膜が形成された被加工物上から該マスクを除去するマスク除去ステップと、該マスク除去ステップを実施した後、被加工物にエッチングを施して被加工物の該エッチング領域をエッチングするエッチングステップと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于以容易的方式蚀刻待加工物体的方法。可以提供一种用于蚀刻具有待蚀刻区域的待处理物体和不被蚀刻的区域的方法被刻蚀。该方法包括：掩模准备步骤，制备可覆盖被处理物体的掩模，该掩模具有对应于待加工物体的不被蚀刻区域的开口; 掩模放置步骤，将掩模放置在被处理物体上，用掩模覆盖被处理物体的被蚀刻区域，并且在掩模的开口与该区域匹配的同时露出不被蚀刻的区域要被蚀刻的待处理物体; 保护膜形成步骤，通过在经过掩模配置掩模的被处理物体上涂覆保护膜剂，在待加工物体的不被蚀刻区域上形成保护膜; 掩模去除步骤，从未被蚀刻的区域上将掩模从其上形成有保护膜的被处理物体去除; 以及蚀刻步骤，在进行掩模去除步骤之后，通过蚀刻待处理对象来蚀刻待处理对象的待蚀刻区域。

3. 发明专利

JP2014127570A Wafer processing method 有权
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2014127570A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2012282771
申请日：2012-12-26
申请人： Disco Abrasive Syst Ltd , 株式会社ディスコ
发明人： MATSUZAKI SAKAE , KAWAI AKIHITO , ARAI KAZUNAO
IPC分类号： H01L21/301
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method capable of mounting a resin film such as a die attach film and a die backside film on a rear surface of a device without deteriorating quality of the device.SOLUTION: A wafer processing method for dividing a wafer 2 into individual devices and mounting a resin film 5 on a rear surface of each device includes the steps of: sticking a protective member 3 to a surface 2a of the wafer 2; thinning the wafer 2 to a prescribed thickness by grinding a rear surface 2b of the wafer; mounting the resin film 5 on the rear surface 2b of the wafer 2; coating regions excluding a region corresponding to a street of the resin film 5 with the resist film 6; etching the resin film 5 and the wafer 2 by plasma etching and dividing the wafer into individual devices along the street; removing the resist film 6; and sticking a dicing tape to the resin film 5 side, supporting an outer peripheral part of the dicing tape by an annular frame, and peeling the protective member 3.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在设备的后表面上安装诸如管芯附着膜和模具背面膜的树脂膜的晶片处理方法，而不会降低器件的质量。解决方案：一种用于分割的晶片处理方法将晶片2分割成单个装置并将树脂膜5安装在每个装置的后表面上包括以下步骤：将保护构件3粘贴到晶片2的表面2a; 通过研磨晶片的后表面2b将晶片2变薄到规定的厚度; 将树脂膜5安装在晶片2的后表面2b上; 除了具有抗蚀剂膜6的与树脂膜5的街道相对应的区域的涂布区域; 通过等离子体蚀刻蚀刻树脂膜5和晶片2，并将晶片分割成沿着街道的各个装置; 去除抗蚀剂膜6; 并将切割胶带粘贴到树脂膜5一侧，通过环形框架支撑切割带的外周部分，并剥离保护部件3。

4. 发明专利

JP2014120494A Wafer processing method 审中-公开
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2014120494A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：JP2012271969
申请日：2012-12-13
申请人： Disco Abrasive Syst Ltd , 株式会社ディスコ
发明人： MATSUZAKI SAKAE , KAWAI AKIHITO , ARAI KAZUNAO
IPC分类号： H01L21/301
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method capable of mounting a resin film on a rear surface of each device without deteriorating quality of the device.SOLUTION: A method for dividing a wafer 2 in which devices 22 are formed into individual devices 22 and mounting a resin film on a rear surface of each device 22 includes the steps of: forming a division groove 210 having a depth equivalent to a finishing thickness of the device 22; sticking a protective member to a surface of the wafer; exposing the division groove 210 by grinding a rear surface of the wafer and dividing the wafer into individual devices 22; mounting a resin film 6 on the rear surface of the wafer 2 and supporting the resin film 6 side by a dicing tape T mounted on an annular frame; peeling the protective member; plasmatizing an etching gas for etching the resin film 6, making the gas enter into the division groove 210 from the surface side of the wafer 2, and removing the resin film 6 by etching (etching step).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够将树脂膜安装在每个装置的后表面上而不劣化装置的质量的晶片处理方法。解决方案：一种将装置22形成为单个装置22的晶片2分割的方法并且在每个装置22的后表面上安装树脂膜包括以下步骤：形成深度等于装置22的精加工厚度的分割槽210; 将保护构件粘附到晶片的表面; 通过研磨晶片的后表面并将晶片分成单独的装置22来暴露分割槽210; 将树脂膜6安装在晶片2的后表面上，并通过安装在环形框架上的切割带T支撑树脂膜6侧; 剥离保护构件; 等离子体化用于蚀刻树脂膜6的蚀刻气体，使气体从晶片2的表面侧进入划分凹槽210，并通过蚀刻（蚀刻步骤）去除树脂膜6。

5. 发明专利

JP2017084896A デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017084896A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2015209706
申请日：2015-10-26
申请人：株式会社ディスコ , Disco Abrasive Syst Ltd
发明人： MATSUZAKI SAKAE
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/3065
摘要：【課題】ストリートに金属を含むパターンが形成されている場合において、金属を除去する際に基板にクラックが生じるのを防止する。【解決手段】金属部材50がストリートの幅方向の中央部に配置されたウエーハWをストリートに沿って分割するデバイスの製造方法であって、ウエーハWのストリートを除く部分にマスク15を形成し、マスク15および金属部材50を遮蔽膜として基板10をプラズマエッチングして金属部材50よりもストリートの幅方向両側にストリートに沿って延びる2条の加工溝51を形成し、切削ブレード41を用いて2条の加工溝51の間を切削して金属部材50を除去し、ストリートをプラズマエッチングしてデバイスの仕上がり厚さに相当する深さのエッチング溝52を形成する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2014150109A Decompression processing apparatus 审中-公开
标题翻译：分解处理设备
公开(公告)号：JP2014150109A
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：JP2013016845
申请日：2013-01-31
申请人： Disco Abrasive Syst Ltd , 株式会社ディスコ
发明人： MATSUZAKI SAKAE , MASUDA TAKATOSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67742 , H01L21/68742
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a decompression processing apparatus capable of keeping a decompression chamber in a decompressed state when carrying in/out a workpiece to/from the decompression chamber for processing the workpiece.SOLUTION: A decompression processing apparatus comprises: a housing including a first decompression chamber 21 where a workpiece is processed and a second decompression chamber 22 which is partitioned by a partition 23 and communicates to the first decompression chamber via a communication opening 231 provided on the partition; shutter means 3 for opening/closing the communication opening provided on the partition; gate means 4 for opening/closing a workpiece carry-in/out opening which communicates to the second decompression chamber; workpiece holding means 6 arranged in the first decompression chamber so as to hold the workpiece; processing means for processing the workpiece held by the workpiece holding means; first decompression means 51 for decompressing the first decompression chamber; second decompression means 52 for decompressing the second decompression chamber; temporary placement means 8 arranged in the second decompression chamber so as to temporarily place the workpiece; and workpiece conveyance means 9 for conveying the workpiece between the temporary placement means and the workpiece holding means.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种减压处理装置，其能够在减压室内进出工件时将减压室保持在减压室内，从而减压工作。加工处理装置包括：壳体，包括：第一减压室21，其中处理工件;第二减压室22，其由分隔件23分隔，并经由设置在隔板上的连通开口231与第一减压室连通; 用于打开/关闭设置在隔板上的通信开口的快门装置3; 用于打开/关闭与第二减压室连通的工件进/出开口的门装置4; 布置在第一减压室中以保持工件的工件保持装置6; 用于处理由工件保持装置保持的工件的处理装置; 用于减压第一减压室的第一减压装置51; 用于对第二减压室进行减压的第二减压装置52; 布置在第二减压室中的临时放置装置8，以暂时放置工件; 以及用于在临时放置装置和工件保持装置之间传送工件的工件传送装置9。

7. 发明专利

JP2014075381A Wafer processing method and etching method 审中-公开
标题翻译： WAFER加工方法和蚀刻方法
公开(公告)号：JP2014075381A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2012220419
申请日：2012-10-02
申请人： Disco Abrasive Syst Ltd , 株式会社ディスコ
发明人： TAKAGI ATSUSHI , MATSUZAKI SAKAE
IPC分类号： H01L21/301
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method capable of dividing a wafer by etching the wafer along a division schedule line without using a mask for exposure.SOLUTION: A wafer processing method includes the steps of: applying a positive photoresist to a region corresponding to a division schedule line on a rear surface or a surface of a wafer (division schedule line region application step); applying a negative photoresist to a region corresponding to a device on the rear surface or the surface of the wafer (device region application step); exposing the applied positive and negative photoresists; developing the positive and negative photoresists having been subjected to the exposure step and leaving the negative photoresist by removing the positive photoresist (developing step); and dividing the wafer having been subjected to the developing step by etching it along the division schedule line from which the positive photoresist is removed (etching step).
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在不使用曝光用掩模的情况下沿着分割计划行蚀刻晶片来分割晶片的晶片处理方法。解决方案：晶片处理方法包括以下步骤：将正性光致抗蚀剂施加到区域对应于晶片的后表面或表面上的分割计划行（分割计划行区域应用步骤）; 将负性光致抗蚀剂施加到与晶片的背面或表面上的器件相对应的区域（器件区域施加步骤）; 暴露所应用的正和负光致抗蚀剂; 显影经过曝光步骤的正和负光致抗蚀剂，并通过除去正性光致抗蚀剂留下负性光致抗蚀剂（显影步骤）; 并且通过沿着除去正性光致抗蚀剂的分割计划行（蚀刻步骤）对已经进行显影步骤的晶片进行蚀刻来分割。

8. 发明专利

JP2014138037A Processing method for wafer 有权
标题翻译： WAFER的处理方法
公开(公告)号：JP2014138037A
公开(公告)日：2014-07-28
申请号：JP2013004882
申请日：2013-01-15
申请人： Disco Abrasive Syst Ltd , 株式会社ディスコ
发明人： MATSUZAKI SAKAE , ARAI KAZUNAO , MIZOMOTO YASUTAKA , KAWAI AKIHITO , OBA RYUGO , KIZAKI SEIKI , TAKAYAMA YUKI , KONDO KOICHI
IPC分类号： H01L21/301
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing method for a wafer by which even a TSV wafer with a bump electrode disposed on the back of a base plate can be relatively easily divided along streets, and also entry of copper ion into the base plate can be reliably blocked.SOLUTION: A wafer, having a device formed in an area sectioned by a grid of streets in a function layer arranged over the surface of a silicon substrate, an electrode projecting from the surface of the device and also an electrode terminal connected to the device, is plasma-etched, thereby dividing the wafer into individual chips along the streets. A film of silicon dioxide (SiO) is formed on the internal peripheral surface of an electrode embedding through-hole, in which a pierced electrode formed on the silicon substrate is embedded, and also on the back and sides of each chip.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种用于晶片的处理方法，即使具有设置在基板背面的凸起电极的TSV晶片也可以相对容易地沿着街道分割，并且铜离子进入基板罐可靠地阻塞。解决方案：具有在由硅衬底的表面上布置的功能层中的由街道格栅划分的区域中的器件的晶片，从器件的表面突出的电极以及连接的电极端子等离子体蚀刻，从而将晶片沿着街道划分成单独的芯片。在嵌入有硅基板上的穿透电极以及每个芯片的背面和侧面的电极嵌入通孔的内周面上形成二氧化硅（SiO）膜。

9. 发明专利

JP2014107283A Wafer processing method 有权
标题翻译： WAFER加工方法
公开(公告)号：JP2014107283A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012256603
申请日：2012-11-22
申请人： Disco Abrasive Syst Ltd , 株式会社ディスコ
发明人： MATSUZAKI SAKAE , ARAMI JUNICHI
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/172
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer processing method capable of surely dividing a wafer in which a device composed of a functional layer laminated on a surface of a substrate is formed along streets without decreasing the transverse intensity of the device.SOLUTION: A method for dividing a wafer 2 in which a device is formed along a plurality of streets 23 includes the steps of: removing a functional layer 21 along the streets 23 by irradiating the wafer with a laser beam from a surface side of the functional layer; coating a region excluding the streets 23 with a resist film 5; forming a division groove 200 by etching a substrate 20 to a depth equivalent to a finishing thickness of the device by plasma-etching the wafer and removing a modified layer formed on both sides of the street 23 by etching (plasma etching step); sticking a protective member to a surface of the functional layer; and exposing the division groove 200 by forming the substrate 20 to the finishing thickness of the device by grinding the surface of the substrate and dividing the wafer 2 into individual devices.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够可靠地划分其中层叠在基板表面上的功能层的装置沿街道形成的晶片的晶片处理方法，而不会降低装置的横向强度。解决方案：一种方法用于沿着多个街道23分割其中形成有装置的晶片2包括以下步骤：通过从功能层的表面侧用激光束照射晶片，沿着街道23去除功能层21; 用抗蚀剂膜5涂布除街道23之外的区域; 通过等离子体蚀刻晶片并通过蚀刻（等离子体蚀刻步骤）去除形成在街道23的两侧的改性层，从而将基板20蚀刻到相当于器件的精加工厚度的深度上来形成分割槽200; 将保护构件粘附到所述功能层的表面; 并且通过研磨基板的表面并将晶片2分成单独的装置，通过将基板20形成到装置的精加工厚度来使分割凹槽200暴露。

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