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1. 发明专利

JP5476063B2 Workpiece cutting method 有权
公开(公告)号：JP5476063B2
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：JP2009175835
申请日：2009-07-28
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：直己内山 , 大祐河口 , 英樹下井
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/00 , B23K26/38 , C03B33/09 , H01L21/301
CPC分类号： B28D5/00 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , C03B33/0222 , C03B33/07 , H01L21/78 , Y10T225/12
摘要： A rear face 1b of an object to be processed 1A and a front face 10a of an object to be processed for separation 10A are bonded to each other by anode bonding, whereby a fracture 17 generated in a thickness direction of the object for separation 10A from a molten processed region 13 acting as a start point reaches a front face 1a of the object 1A continuously without substantially changing its direction. Then, after cutting the objects 1A, 10A, the object 10A is removed from the object 1A, so as to yield chips 19.

2. 发明专利

JPWO2013039162A1 レーザ加工方法及びレーザ加工装置有权
标题翻译：激光加工方法以及激光加工装置
公开(公告)号：JPWO2013039162A1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：JP2013533713
申请日：2012-09-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：大祐河口 , 大祐河口
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/046 , B23K26/064 , B23K26/073 , B23K26/40 , B28D1/22 , B28D5/00 , C30B29/18 , C30B33/00 , G02B6/13 , H01L21/301
CPC分类号： B23K26/0665 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/08 , B23K2203/56
摘要：本発明は、加工対象物においてレーザ光入射面に露出する改質スポットを形成する際、加工対象物内のレーザ光入射面近傍に集光点が位置するようレーザ光の収差を補正することにより、空振り現象の発生を抑制することができ、改質スポットを加工対象物に精度よく形成することを可能にしたものである。加工対象物(1)にレーザ光(L)を集光させることにより、改質スポット(S)を含む改質領域(7)を加工対象物(1)に形成する。そのとき、加工対象物(1)内においてレーザ光入射面としての表面(3)近傍にレーザ光(L)の集光点が位置するようにレーザ光(L)の収差を補正した状態で、加工対象物(1)の表面(3)にレーザ光(L)を集光させることにより、表面(3)に露出する第2改質スポット(S2)を加工対象物(1)に形成する。
摘要翻译：本发明中，通过校正激光束的象差形成在对象暴露于所述激光入射面的改质点，在所述工件的激光入射面的附近时，使得焦点位于，能够抑制不结果现象的发生，在这使得它能够准确地形成在对象的改质点。激光光（L）通过在对象冷凝（1），以形成含有所述对象（1）上的改质点（S）的改质区域（7）。然后，在一个状态，其中所述激光束（L）的像差被作为焦点在（3）中靠近所述激光束（L）的对象（1）定位在所述激光入射面的表面上的修正，由激光（L）会聚到所述表面（3）的对象（1），在表面形成第二重整点（S2）暴露于（3）中的对象（1）。

3. 发明专利

JP5670647B2 加工対象物切断方法有权
标题翻译：工件切割方法
公开(公告)号：JP5670647B2
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：JP2010112188
申请日：2010-05-14
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：浩之岩城 , 浩之岩城 , 孝文荻原 , 孝文荻原 , 剛志坂本 , 剛志坂本 , 雅春星川 , 雅春星川 , 一弘渥美 , 一弘渥美 , 大祐河口 , 大祐河口
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC分类号： B23K26/40 , B23K26/0057 , B23K2203/50

4. 发明专利

JPWO2014156692A1 レーザ加工装置及びレーザ加工方法审中-公开
标题翻译：一种激光加工设备和激光加工方法
公开(公告)号：JPWO2014156692A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508286
申请日：2014-03-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：大祐河口 , 大祐河口 , 中野　誠 , 誠中野 , 良太杉尾 , 良太杉尾 , 翼廣瀬 , 翼廣瀬 , 佳祐荒木 , 佳祐荒木
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/067 , H01L21/301
CPC分类号： B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/03 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2203/52 , B23K2203/54 , B23K2203/56
摘要：超短パルス光のレーザ光を加工対象物(1)に集光させることにより加工対象物(1)に改質領域(7)を形成する発明であって、レーザ光(L)を出射するレーザ光源(202)と、レーザ光源(202)により出射されたレーザ光(L)を加工対象物(1)に集光する集光光学系(4)と、集光光学系(4)により加工対象物(1)に集光されるレーザ光(L)に収差を付与する収差付与部(203)と、を備え、レーザ光(L)の光軸方向において、加工対象物(1)にレーザ光(L)を集光させることに起因して当該集光位置で発生する収差である集光発生収差の範囲を基準収差範囲とした場合、収差付与部(203)は、光軸方向において基準収差範囲よりも長い長尺範囲を収差の範囲として有し、且つ光軸方向におけるレーザ光の強度分布が長尺範囲にて連続する強弱を有するように、レーザ光に第1収差を付与することで、加工品質を向上させる。
摘要翻译：在对象形成改质区域的发明（1）（7）由聚焦超短脉冲光的激光束在所述对象（1），发射激光的激光（L）光源（202），通过在聚焦光由聚光光学系统聚光光学系统（4），处理对象工件（1）的激光源（202）（L）发射的激光束（4）对象激光束聚焦（1）的像差赋予单元赋予像差（L）（203）中，设置有上，在激光束（L）时，激光的光轴的方向上在所述对象（1）如果（L）由于被冷凝作为参考像差范围冷凝器中产生的像差的范围是其在光会聚位置产生的像差，像差赋予部（203），在光轴方向上的参考像差具有更长的长范围比其像差量的范围内，并且具有激光束的强度分布的强度与长范围在光轴方向上连续，以赋予在所述激光束的第一像差而在，提高加工质量。

5. 发明专利

JPWO2014156690A1 レーザ加工装置及びレーザ加工方法审中-公开
标题翻译：一种激光加工设备和激光加工方法
公开(公告)号：JPWO2014156690A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508285
申请日：2014-03-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：大祐河口 , 大祐河口 , 中野　誠 , 誠中野 , 良太杉尾 , 良太杉尾 , 翼廣瀬 , 翼廣瀬 , 佳祐荒木 , 佳祐荒木
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/53 , C03B33/09 , H01L21/301
CPC分类号： B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/0057 , B23K26/03 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2203/52 , B23K2203/54 , B23K2203/56
摘要：加工対象物(1)にレーザ光(L)を集光させることにより、加工対象物(1)に改質領域(7)を形成する発明であって、レーザ光(L)を出射するレーザ光源と、レーザ光源により出射されたレーザ光(L)を加工対象物(1)に集光する集光光学系(4)と、集光光学系(4)により加工対象物(1)に集光されるレーザ光(L)に収差を付与する収差付与部(203)と、を備え、レーザ光(L)の光軸方向において、加工対象物(1)にレーザ光(L)を集光させることに起因して当該集光位置で発生する収差である集光発生収差の範囲を基準収差範囲とした場合、収差付与部(203)は、光軸方向において基準収差範囲よりも長い長尺範囲を収差の範囲として有し、且つ光軸方向におけるレーザ光(L)の強度分布が長尺範囲にて連続する強弱を有するように、レーザ光に第1収差を付与することで、加工品質を向上させる。
摘要翻译：激光光（L）通过在对象冷凝（1），在对象形成改质区域（7）的发明（1），一个激光光源，用于发射激光（L）当冷凝器聚焦光学系统，用于聚焦由激光光源（L）发射的激光束在所述对象（1）和（4）中，由聚光光学系统（4）向所述对象（1）像差赋予部（203），以赋予在激光束设置有像差（L），在所述激光束（L），的光轴的方向在物体聚焦的激光光（L）（1）到期的特定情况下的范围内参考像差范围是像差冷凝产生的光会聚位置产生的像差，像差赋予部（203），长长范围比在光轴方向上的参考像差范围的具有一定范围的像差，并具有所述激光束（L）的强度分布的强度是在长范围的连续的光轴方向，通过在激光束给出第一像差，工件为了改善。

6. 发明专利

JPWO2014156689A1 レーザ加工装置及びレーザ加工方法有权
标题翻译：一种激光加工设备和激光加工方法
公开(公告)号：JPWO2014156689A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508284
申请日：2014-03-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：大祐河口 , 大祐河口 , 中野　誠 , 誠中野 , 良太杉尾 , 良太杉尾 , 翼廣瀬 , 翼廣瀬 , 佳祐荒木 , 佳祐荒木
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/064 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/0736 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D5/00 , C03B33/0222 , C03B33/07 , G02B3/08 , G02B5/001 , Y02P40/57
摘要：加工対象物(1)にレーザ光(L)を集光させることにより、切断予定ライン(5)に沿って加工対象物(1)の内部に改質領域(7)を形成し、レーザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源により出射されたレーザ光(L)を変調する空間光変調器(203)と、空間光変調器(203)により変調されたレーザ光を加工対象物(1)に集光する集光光学系(204)と、を備え、空間光変調器(203)は、アキシコンレンズパターンを変調パターンとして表示することにより、レーザ光照射方向に沿って近接して並ぶ複数位置に集光点が形成されるようにレーザ光を集光させることで、加工品質を向上させる。
摘要翻译：激光光（L）通过在所述对象（1）冷凝，内部，以形成改质区域（7）的切割沿（5）（1），激光束的对象的线的一个激光光源，用于发射一个空间光调制器，用于调制由所述激光光源（L）和（203）中，通过在对象中的空间光调制器（203）调制的激光束发射的激光（1）聚光光学系统，用于会聚（204）包括一空间光调制器（203），通过显示轴锥透镜图案作为调制图案，多个沿所述激光束的照射方向设置在接近位置的通过聚焦从而形成焦点的激光束，以提高加工质量。

7. 发明专利

JPWO2014156688A1 レーザ加工装置及びレーザ加工方法有权
标题翻译：一种激光加工设备和激光加工方法
公开(公告)号：JPWO2014156688A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508283
申请日：2014-03-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：大祐河口 , 大祐河口 , 翼廣瀬 , 翼廣瀬 , 佳祐荒木 , 佳祐荒木
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/064 , B23K26/067 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0648 , B23K26/0736 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , B23K2203/54 , C03B33/0222 , C03B33/07 , H01L21/78 , Y02P40/57
摘要：レーザ光(L)を出射するレーザ光源と、レーザ光源により出射されたレーザ光(L)を変調する空間光変調器(203)と、空間光変調器(203)により変調されたレーザ光を加工対象物(1)に集光する集光光学系(204)と、を備え、空間光変調器(203)は、ガラス部に改質領域(7)を形成する場合、アキシコンレンズパターンを変調パターンとして表示することにより、レーザ光照射方向に沿って近接して並ぶ複数位置に集光点が形成されるようにレーザ光をガラス部に集光させるガラスを含むガラス部にシリコンを含むシリコン部が樹脂部を介して積層された加工対象物(1)に対してレーザ光(L)を集光させることにより、切断予定ライン(5)に沿って加工対象物(1)の内部に改質領域(7)を形成することにより、加工品質を向上する。
摘要翻译：处理，其发射的激光（L），空间光调制器，用于由所述激光光源（L）和（203）发射调制激光，由空间光调制器调制的激光束的激光光源（203）聚焦侧重所述对象（1）和（204）的光学系统，包括：空间光调制器（203），在形成改质区域时（7），以将玻璃部分，调制所述展像透镜图案通过显示图案，以便在沿着激光束照射方向布置在附近的多个位置，形成含有硅与包含玻璃的激光束聚焦到所述玻璃部的玻璃部分中的硅部分的焦点重整但激光光（L）通过缩合针对它们通过树脂部堆叠在物体（1），线的内部，以切断加工对象物沿着所述（5）（1）通过形成的区域（7），以提高加工质量。

8. 发明专利

JPWO2014156687A1 レーザ加工装置及びレーザ加工方法有权
标题翻译：一种激光加工设备和激光加工方法
公开(公告)号：JPWO2014156687A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508282
申请日：2014-03-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：大祐河口 , 大祐河口 , 翼廣瀬 , 翼廣瀬 , 佳祐荒木 , 佳祐荒木
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/067 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/0057 , B23K26/0617 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0665 , B23K26/0736 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2203/50 , B28D5/00 , C03B33/0222 , Y02P40/57
摘要：レーザ光(L)を出射するレーザ光源(202)と、レーザ光源(202)により出射されたレーザ光(L)を変調する空間光変調器(203)と、空間光変調器(203)により変調されたレーザ光を加工対象物(1)に集光する集光光学系(204)とを備え、複数列の改質領域(7)は、レーザ光入射面側に位置する入射面側改質領域と、レーザ光入射面の反対面側に位置する反対面側改質領域と、入射面側改質領域と反対面側改質領域との間に位置する中間改質領域とを少なくとも含み、空間光変調器(203)は、中間改質領域を形成する場合には、アキシコンレンズパターンを変調パターンとして表示することにより、レーザ光照射方向に沿って近接して並ぶ複数位置に集光点が形成されるようにレーザ光を集光させると共に、入射面側改質領域及び反対面側改質領域を形成する場合には、アキシコンレンズパターンを変調パターンとして表示しないようにすることで、加工品質を向上する。
摘要翻译：调制和激光光源（202），用于发射激光（L），空间光调制器，用于调制（203）由激光源（202）到（L）发射的激光的光，并且通过空间光调制器（203）已处理对象用激光用于会聚所述多个列中的（1）（204），所述改质区域（7）的聚光光学系统中，入射面侧修饰位于所述激光入射面侧包括的区域，并且位于所述激光入射面的相反侧的相反面侧重整区域，和位于入射面侧改质区域相反的一侧改质区域至少之间的中间改质区域，空间光调制器（203），通过显示轴锥透镜图案作为调制图案，在布置在沿激光束照射方向的接近的多个位置的焦点形成中间改质区域时在一起，但以聚焦激光束，以形成，形成所述入射面侧改质区域和所述相反面侧重整区域时，羧通过CON透镜图案不显示为调制模式，从而提高了加工质量。

9. 发明专利

JP5537081B2 Workpiece cutting method 有权
公开(公告)号：JP5537081B2
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：JP2009175836
申请日：2009-07-28
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：英樹下井 , 直己内山 , 大祐河口
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC分类号： B32B37/06 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D5/00 , B28D5/0011 , B32B38/0004 , H01L21/78 , Y10T29/49002 , Y10T29/49787 , Y10T156/1052
摘要： A silicon substrate 12 has a main face in a (100) plane, whereby a fracture 17 generated from a molten processed region 13 acting as a start point extends in a cleavage direction of the silicon substrate 12 (a direction orthogonal to the main face of the silicon substrate 12). Here, a rear face 1b of an object to be processed 1A and a front face 10a of an object to be processed for separation 10A are bonded to each other by anode bonding, whereby the fracture 17 reaches a front face 1a of the object 1A continuously without substantially changing its direction. When generating a stress in the object for separation 10A, the fracture 17 has reached a rear face 10b of the object for separation 10A and thus easily extends toward the object 1A.

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